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『這個(gè)知識(shí)不太冷』探索 RF 濾波器技術(shù)(上)

發(fā)布時(shí)間:2024-01-03 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在過(guò)去十年中,移動(dòng)無(wú)線數(shù)據(jù)快速增長(zhǎng),使得運(yùn)營(yíng)商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù),以滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)無(wú)線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動(dòng)了無(wú)線技術(shù)的發(fā)展,也增加了對(duì)增強(qiáng)型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求,以幫助減少系統(tǒng)干擾,擴(kuò)大RF覆蓋范圍,增強(qiáng)接收器性能,并提升共存特性。


『這個(gè)知識(shí)不太冷』系列,旨在幫助小伙伴們喚醒知識(shí)的記憶,將挑選一部分Qorvo劃重點(diǎn)的知識(shí)點(diǎn),結(jié)合產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀解讀,以此溫故知新、查漏補(bǔ)缺。


在過(guò)去十年中,移動(dòng)無(wú)線數(shù)據(jù)快速增長(zhǎng),使得運(yùn)營(yíng)商愈加迫切地需要新頻段和新技術(shù),以滿(mǎn)足用戶(hù)對(duì)無(wú)線數(shù)據(jù)容量的需求。這種需求不僅推動(dòng)了無(wú)線技術(shù)的發(fā)展,也增加了對(duì)增強(qiáng)型射頻(RF)濾波器技術(shù)的需求,以幫助減少系統(tǒng)干擾,擴(kuò)大RF覆蓋范圍,增強(qiáng)接收器性能,并提升共存特性。


本篇內(nèi)容將介紹RF濾波器的工作原理,以及如今的應(yīng)用中使用的各種技術(shù)版本。首先介紹關(guān)于濾波器的一些基本實(shí)情,以及它們帶來(lái)的益處。


有關(guān)RF濾波器的基礎(chǔ)知識(shí)


先來(lái)了解這些重要的濾波器術(shù)語(yǔ)和概念。


? 衰減:信號(hào)在通過(guò)RF濾波器后產(chǎn)生的振幅損失,通常以分貝(dB)為單位衡量。在濾波器通帶范圍以外引用時(shí),它也被稱(chēng)為抑制。

? 截?cái)啵簽V波器響應(yīng)降低3dB時(shí)對(duì)應(yīng)的點(diǎn)。

? 插入損耗:濾波器的目標(biāo)通帶中的信號(hào)功率損耗。

? 隔離:將信號(hào)彼此隔開(kāi),以防止它們之間產(chǎn)生不必要的交互。例如,您可能會(huì)隔離發(fā)送信號(hào)和接收信號(hào),以防它們產(chǎn)生交互。

? 通帶:信號(hào)通過(guò),但幾乎無(wú)衰減的區(qū)域。

? Q因數(shù):品質(zhì)因數(shù)的簡(jiǎn)稱(chēng),是指在每個(gè)振蕩周期,存儲(chǔ)能量與損失能量之間的比率。用于測(cè)量諧振電路的選擇性。

? 紋波:通帶中插入損耗的差異。

? 選擇性:對(duì)濾波器通過(guò)或抑制特定頻率(相對(duì)于中心頻率)的能力的測(cè)量。選擇性一般是指在與濾波器的中心頻率相差指定頻率的節(jié)點(diǎn)所發(fā)生的損耗。

? 阻帶:濾波器達(dá)到所需的帶外抑制(由所需的分貝數(shù)表示)時(shí)應(yīng)對(duì)的頻段。


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圖1:典型的RF濾波器響應(yīng)


濾波器去除信號(hào)中多余的頻率成分,同時(shí)保持所需的頻率帶寬。圖2顯示四種基本的濾波器以不同方式接收或抑制信號(hào):


? 低通濾波器:允許低于某個(gè)頻率的所有頻率通過(guò),并阻止所有其他頻率(和高通相對(duì))
? 高通濾波器:允許高于某個(gè)頻率的所有頻率通過(guò),并阻止所有其他頻率(和低通相對(duì))
? 帶通濾波器:允許介于兩個(gè)頻率之間的所有頻率通過(guò),并阻止所有其他頻率(和帶阻相對(duì))

? 頻段抑制濾波器(也稱(chēng)為帶阻或陷波濾波器):阻止介于兩個(gè)頻率之間的所有頻率,并允許所有其他頻率通過(guò)(和帶通相對(duì))


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圖2:基本的RF濾波器和響應(yīng)


濾波器技術(shù)的比較


根據(jù)應(yīng)用的不同,濾波器的結(jié)構(gòu)也不同。RF濾波器技術(shù)最常見(jiàn)的差異在于尺寸、成本和性能。濾波器的結(jié)構(gòu)是導(dǎo)致這些差異的主要因素。以下是一些RF濾波器結(jié)構(gòu)示例:


? 聲學(xué)濾波器:一種濾波器,能夠滿(mǎn)足低頻率和高頻率(高達(dá)9GHz),在有些特殊情況下能夠滿(mǎn)足高達(dá)12GHz頻率。它體積小,提供極佳的性能和成本組合,以滿(mǎn)足復(fù)雜的濾波器要求。聲學(xué)濾波器是商用RF微波應(yīng)用(例如手機(jī)、WiFi和全球定位系統(tǒng)GPS)中最常見(jiàn)的濾波器結(jié)構(gòu)。

? 空腔濾波器:一種只用在基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用中的濾波器。它能在合理的成本下實(shí)現(xiàn)良好的性能,但體積比聲學(xué)濾波器大。

? 分立式電感-電容(LC)濾波器:一種結(jié)構(gòu)成本低,性能和體積中等的濾波器。LC元件有時(shí)候以印制結(jié)構(gòu)的形式集成在基板上,稱(chēng)為集成式無(wú)源器件(IPD)。LC濾波器也可以通過(guò)分立式表貼器件(SMD)元件實(shí)現(xiàn)。

? 單體式陶瓷濾波器:一種成本和性能均高于多層陶瓷濾波器的濾波器。它的體積也更大,不適合用于移動(dòng)應(yīng)用。

? 多層陶瓷濾波器:一款中低成本的濾波器,性能與LC濾波器相當(dāng)。其占用面積通常較為合理,但厚度更大,使其無(wú)法用于有些應(yīng)用。

? 濾波器可以設(shè)計(jì)用于滿(mǎn)足多種要求。雖然它們使用相同的基本電路配置,但當(dāng)電路被設(shè)計(jì)用于滿(mǎn)足不同的標(biāo)準(zhǔn)時(shí),電路值會(huì)有所不同。比如,當(dāng)需要滿(mǎn)足帶內(nèi)紋波、以最快速度過(guò)渡到最終滾降、最高的帶外抑制等標(biāo)準(zhǔn)時(shí),會(huì)導(dǎo)致不同的電路值。


了解壓電式聲學(xué)濾波器


對(duì)于如今的許多應(yīng)用,首選的濾波器技術(shù)是壓電式濾波器。這些RF濾波器是體積小巧、經(jīng)濟(jì)高效的解決方案,用于許多商業(yè)、軍事和科學(xué)應(yīng)用中。


壓電效應(yīng)是一種可逆的物理現(xiàn)象。晶體物質(zhì)在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)產(chǎn)生電流,反之亦然。當(dāng)施加電場(chǎng)或電壓時(shí),晶體會(huì)有微小幅度的拉伸。壓電材料將施加的機(jī)械應(yīng)力轉(zhuǎn)化為電能,也能將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械應(yīng)力。


市面上提供兩種聲學(xué)濾波器,分別是表面聲波(SAW)和體聲波(BAW)。


如圖3所示,SAW和BAW濾波器可以分為兩類(lèi):梯式和柵格式。梯式濾波器在通帶附近有很高的抑制,但帶外抑制性能很差。柵格式濾波器提供良好的帶外抑制,在通帶附近提供較低的抑制。而梯式-柵格式的混合配置在抑制和通帶抑制性能之間實(shí)現(xiàn)折衷。


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圖3:SAW和BAW配置設(shè)計(jì)


SAW濾波器


SAW濾波器應(yīng)用廣泛,非常成熟。它橫向傳播高頻波。如圖4所示,利用在石英、鉭酸鋰 (LiTaO3) 或鈮酸鋰 (LiNbO3) 等壓電基板上創(chuàng)建的交錯(cuò)金屬叉指式換能器 (IDT),將電輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為聲波。SAW濾波器速度慢,可用于適應(yīng)極小器件中穿過(guò)IDT的許多波長(zhǎng)。


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圖4:基本的SAW RF濾波器


SAW的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)在于,它能夠優(yōu)化用于600-1900MHz的標(biāo)準(zhǔn)濾波器應(yīng)用。它不僅能滿(mǎn)足600MHz的低5G頻段,而且在1、5、8、13低手機(jī)頻段以及GPS頻段下也表現(xiàn)出色,且經(jīng)濟(jì)高效。


為了達(dá)到1900MHz以上,我們采用分層SAW技術(shù),例如低損耗諧振器技術(shù) (LRT)、薄膜 SAW (TF-SAW)、超SAW或性能極高 (IHP) 的SAW。這些技術(shù)使多層SAW能達(dá)到 2.7GHz,可用于中高頻段應(yīng)用。高于2.7GHz時(shí),SAW濾波器的選擇性下降。但是,在SAW濾波器的效用結(jié)束時(shí),BAW濾波器(本章稍后會(huì)進(jìn)行介紹)開(kāi)始發(fā)揮作用。


溫度補(bǔ)償SAW


在諸多SAW技術(shù)創(chuàng)新中,有一種溫度補(bǔ)償SAW (TC-SAW)。TC-SAW使用熱補(bǔ)償層來(lái)避免熱漂移,如圖5所示。由于具有更高的溫度穩(wěn)定性,其性能要優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)SAW。


與傳統(tǒng)的基于SAW的濾波器和雙工器相比,TC-SAW器件集成在單晶鈮酸鋰上,且將 IDT 電極埋入二氧化硅 (SiO2) 層中,提高了TCF和品質(zhì)因數(shù)。


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圖5:SAW與TC-SAW比較


要在SAW上采用溫度系數(shù),需要將叉指式換能器 (IDT) 與任何環(huán)境溫度變化隔離開(kāi)來(lái)。要實(shí)現(xiàn)這種隔離,需要使用 SiO2 層覆蓋 SAW 結(jié)構(gòu),有時(shí)候還需要額外的氮化硅層,如圖5右側(cè)所示。


TC-SAW改善濾波器性能,以應(yīng)對(duì)LTE和5G嚴(yán)格的頻段分配,以及上行鏈路和高功率用戶(hù)設(shè)備 (HPUE) 的載波聚合 (CA)。這些改善包括更低的插入損耗、更陡的裙邊特性、溫度穩(wěn)定性、更高的電源耐久性、更寬的帶寬頻率范圍、更高的線性度、更小的尺寸和集成。為了實(shí)現(xiàn)這些特性,需要使用更高的Q因數(shù)和較小的頻率溫度系數(shù) (TCF)。


多層SAW


在傳統(tǒng)的SAW基板結(jié)構(gòu)中,聲波沿表面?zhèn)鞑?,在電極下達(dá)到幾個(gè)波長(zhǎng),體聲波輻射模式則是出現(xiàn)在基板深處。這會(huì)導(dǎo)致體聲波泄漏,使Q因數(shù)、TCF和耦合降低。


降低這種泄漏的方法之一是創(chuàng)建一個(gè)新的多層結(jié)構(gòu)或是創(chuàng)建TC-SAW的變型,如圖6所示。在壓電層和功能層表面以下增加這個(gè)額外的SiO2層會(huì)提供一個(gè)重要益處:將在表面?zhèn)鞑サ腟AW引入壓電層和功能層。這會(huì)將聲學(xué)能量限制在表面附近,從而改善TCF和Q因數(shù)。


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圖6:多層SAW與SAW的比較


市面上有幾種類(lèi)型的SAW濾波器。它們被稱(chēng)為SAW、TC-SAW和多層SAW,也被稱(chēng)為引導(dǎo)式SAW、LRT-SAW、TF-SAW、ultra-SAW和IHP-SAW。它們都屬于SAW種類(lèi),在基板和功能層之間增加一層,例如SiO2,如圖6所示。在本書(shū)中,我們將這種類(lèi)型稱(chēng)為SAW。


多層SAW的性能要高于標(biāo)準(zhǔn)SAW濾波器。在有些頻段中,多層SAW的性能能媲美BAW濾波器,接下來(lái)我們會(huì)討論這一點(diǎn)。


多層SAW技術(shù)以分布在隔離器上的壓電材料為基礎(chǔ)。在多層SAW中,熱補(bǔ)償機(jī)制直接來(lái)自基板,而不是源自電極表面。


下表比較了各種聲學(xué)SAW RF濾波器技術(shù)的不同特點(diǎn)。


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BAW濾波器


BAW可用于替代SAW。BAW濾波器支持1.4至9GHz頻率范圍。


除了結(jié)構(gòu)之外,BAW和SAW的主要區(qū)別在于濾波器賴(lài)以使用的壓電材料。BAW濾波器使用多晶氮化鋁,具有更高的耦合系數(shù)和更高的波速。


BAW濾波器的聲學(xué)能量密度非常高,且其結(jié)構(gòu)能夠很好地捕捉聲波,因此能夠?qū)崿F(xiàn)極低的損耗。此外,相比在微波頻率下使用的其他尺寸合適的濾波器類(lèi)型,它們可實(shí)現(xiàn)的Q因數(shù)更高。如此可以實(shí)現(xiàn)出色的抑制和插入損耗性能,在關(guān)鍵的帶通邊沿也是如此。


BAW濾波器提供更低的插入損耗,有助于延長(zhǎng)智能手機(jī)應(yīng)用中的電池使用壽命。BAW還適用于上行鏈路和下行鏈路之間分隔很短的應(yīng)用,以及在緊密排列的相鄰頻段中對(duì)衰減要求很高的應(yīng)用。


與SAW濾波器不同,BAW濾波器中的聲波是垂直傳播的。如圖7所示,諧振器使用石英晶體作為基板。石英頂部和底部?jī)蓚?cè)的金屬路徑激發(fā)聲波,聲波從頂部反彈到底部表面,形成駐波。平板的厚度和電極的質(zhì)量決定了諧振發(fā)生的頻率。在BAW濾波器有效的高頻率下,壓電層必須只有幾微米厚,這就要求諧振器結(jié)構(gòu)是以載波基板為底,利用薄膜淀積和精密加工構(gòu)成。


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圖7:基本的BAW RF濾波器


在這種類(lèi)型的濾波器中,為了防止聲波逃逸到基板中,會(huì)堆疊剛度和密度交替變化的薄層來(lái)創(chuàng)建布拉格聲學(xué)反射器。構(gòu)建出的器件被稱(chēng)為固載諧振器(SMR) BAW,如圖7所示。布拉格反射器由多層交替材料構(gòu)成,這些材料的折射率各不相同。


市面上主要有兩種類(lèi)型的BAW濾波器,如圖8所示:固載諧振器(SMR) BAW和多晶薄膜體聲波諧振器 (FBAR)。


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圖8:BAW濾波器技術(shù)的截面比較


從技術(shù)角度來(lái)看,最大區(qū)別在于基板,以及基板和底層電極之間的空腔。根據(jù)下表,可以看出堆疊層BAW的溫度補(bǔ)償性能最佳。


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有些公司會(huì)使用自己的品牌名稱(chēng)來(lái)指代FBAR或BAW技術(shù),但它們都?xì)w屬于BAW或FBAR這兩類(lèi)技術(shù)。例如,XBAW就是另一種FBAR,超BAW是另一種BAW。XBAR是一種剪波BAW技術(shù),具有場(chǎng)橫向耦合的特性;但是,這項(xiàng)技術(shù)還處于研發(fā)階段,尚未投產(chǎn)……


限于篇幅,更多有關(guān)濾波器的溫度系數(shù)、Q因數(shù)、耦合系數(shù)等精彩內(nèi)容將在《探索 RF 濾波器技術(shù)(下)》繼續(xù)探討,一定要留意我們的推文哦~

本文轉(zhuǎn)載自:Qorvo半導(dǎo)體

 

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