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穩(wěn)壓二極管與普通二極管的區(qū)別
普通極管，電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調(diào)電容器。
2020-11-10
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安森美的1200V壓鑄模功率集成模塊系列獲中國2020年Top 10電源產(chǎn)品獎
2020年11月9日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，宣布其1200 V壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)系列獲《21IC中國電子網(wǎng)》(21ic.com)選為2020年Top 10電源產(chǎn)品獎。
2020-11-09
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如何檢測紅外發(fā)射二極管的極性及好壞？
二極管，（英語：Diode），電子元件當中，一種具有兩個電極的裝置，只允許電流由單一方向流過，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來當作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（RecTIfying）”功能。
2020-11-09
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安森美的VE-Trac Dual獲ASPENCORE全球電子成就獎
2020年11月6日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON）的VE-Trac Dual電源模塊NVG800A75L4DSC獲2020年全球電子成就獎 (WEAA) 電源管理/電壓轉(zhuǎn)換類創(chuàng)新產(chǎn)品獎。
2020-11-06
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SiC將會是分立器件和模塊共存的市場
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實上，從特性上來講，SiC和GaN的優(yōu)勢是互補的，應(yīng)用覆蓋了電動汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器、醫(yī)療、通信射頻。
2020-11-06
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AntMicro開源DRAM控制器添加對RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因為更多的計算能力可以被封裝到越來越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲器，Antmicro已經(jīng)開發(fā)了對開源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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貿(mào)澤電子新品推薦：2020年10月
2020年11月4日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計出先進產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。
2020-11-04
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利用光聲效應(yīng)的MEMS氣體傳感器模塊
光聲效應(yīng)（photoacoustic effect）在19世紀被發(fā)現(xiàn)，它可以將光轉(zhuǎn)換成聲音。當物質(zhì)受到周期性強度調(diào)制的光照射時，產(chǎn)生聲信號的現(xiàn)象。用光照射某種媒質(zhì)時，由于媒質(zhì)對光的吸收會使其內(nèi)部的溫度改變從而引起媒質(zhì)內(nèi)某些區(qū)域結(jié)構(gòu)和體積變化；當采用脈沖光源或調(diào)制光源時，媒質(zhì)溫度的升降會引起媒質(zhì)的體積漲縮，因而可以向外輻射聲波。這種現(xiàn)象稱為光聲效應(yīng)。
2020-11-04
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碳化硅FET推動了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因為Vgs隨溫度線性降低。此屬性對于需要功率場效應(yīng)管（Sic JFET）的功率模塊應(yīng)用程序特別有用，它可以監(jiān)視其自身的運行狀況。
2020-11-03
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GaN基電源性能的簡易測試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個關(guān)鍵平臺集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開關(guān)電源中的這些進步也使得表征這些電源的性能變得越來越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對于基于GaN的設(shè)計來說是一項艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨特特性測量交叉導(dǎo)通的簡單而經(jīng)濟的方法。
2020-11-03
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簡化汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功能安全認證
合理的功能安全設(shè)計離不開嚴謹?shù)膽B(tài)度和大量的文檔參考，也需要投入一定的時間。無論您從事工廠車間還是公路方面的設(shè)計，此白皮書中 TI 的集成電路 (IC) 設(shè)計方法都會為您提供所需的資源，從而簡化功能安全設(shè)計。隨著工業(yè)和汽車領(lǐng)域自動化的出現(xiàn)，人們對功能安全的需求有增無減。
2020-11-03
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2020年中國（深圳）集成電路峰會成功舉辦
10月30日，2020年中國（深圳）集成電路峰會（以下簡稱“峰會”）在深圳市南山區(qū)華僑城洲際大酒店隆重召開。本次峰會由深圳市人民政府、國家“核高基”重大專項總體專家組、國家集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會主辦，以“新時期，芯生態(tài)”為主題，以創(chuàng)新共贏、開放合為理念，聚焦IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)、研討先進特色制造和封裝工藝、探索創(chuàng)新生態(tài)體系、促進產(chǎn)品創(chuàng)新應(yīng)用。國內(nèi)外著名院士，專家學(xué)者，技術(shù)行家和企業(yè)領(lǐng)袖匯聚一堂，覆蓋IC設(shè)計、制造、封測、應(yīng)用等集成電路行業(yè)上下游全鏈條，深入探討和交流，共同推動中國IC產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。
2020-11-02
- 意法半導(dǎo)體與高通達成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
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