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西部電子行業(yè)發(fā)展前沿 參觀注冊好禮相送
2013年6月20—22日,中國電子展(CEF)系列展覽之一的“2013中國(成都)電子展” (www.icef.com.cn )將在成都世紀城新國際會展中心召開。在20000平方米的展廳中,將匯集國內(nèi)外的600余家領(lǐng)軍企業(yè)參展,12場專業(yè)研討會和高峰論壇。
2013-05-13
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微波射頻電路及系統(tǒng)設(shè)計研討會 助力西部核心產(chǎn)業(yè)發(fā)展 為西部RF、微波和高頻電路及系統(tǒng)行業(yè)策劃的新技術(shù)交流會
“2013成都高頻電路及系統(tǒng)技術(shù)研討會”(6月21日 成都世紀城新國際會展中心)如火如荼進行中,此次會議與“2013中國成都電子展”同期舉辦。是由專注于微波、射頻、無線技術(shù)的行業(yè)門戶網(wǎng)站微波射頻網(wǎng)(MWRF.NET)和中國歷史最悠久、最權(quán)威的中國電子展組委會聯(lián)合主辦的,已開通官方網(wǎng)站:http://www.mwrfexpo.com/2013/cd.shtml和www.icef.com.cn。
2013-05-13
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基于UCC27531的電源開關(guān)驅(qū)動設(shè)計
德州儀器UCC27531單通道柵極驅(qū)動器可以非??拷娫撮_關(guān)柵極放置。相比在一塊單IC中組合高側(cè)/低側(cè)柵極驅(qū)動器,它的靈活度更高,可幫助最小化驅(qū)動器和電源開關(guān)之間的電感,并讓設(shè)計人員能夠更好地控制開關(guān)柵極。
2013-05-09
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SiC BJT:比同類產(chǎn)品實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結(jié)型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一個替代技術(shù),它可以在更高的溫度下轉(zhuǎn)換更高的電壓和電流。SiC BJT允許更高的開關(guān)頻率,傳導和開關(guān)損耗降低(30-50%),從而能夠在相同的尺寸的系統(tǒng)中實現(xiàn)高達40%的輸出功率提升。
2013-05-08
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封裝技術(shù)的概述與比較
目前,封裝技術(shù)在當代的應用可謂是越來越廣泛,通過對上一遍文章的了解,我們也大致已經(jīng)對封裝技術(shù)多多少少有所了解了,現(xiàn)在我們就繼續(xù)來深入了解封裝技術(shù),關(guān)于封裝技術(shù)的B功率型LED封裝技術(shù)概述、封裝技術(shù)的功率型LED白光技術(shù)、封裝技術(shù)的LED單芯片封裝、封裝技術(shù)的半導體封裝技術(shù)、封裝技術(shù)的比較、封裝技術(shù)的微電子封裝技術(shù)、封裝技術(shù)的IC發(fā)展對微電子封裝推動、封裝技術(shù)的COB技術(shù)、封裝技術(shù)的Flipchip技術(shù)。
2013-05-08
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PI推出支持LED照明應用的Expert Suite 9.0電源設(shè)計軟件
近日,Power Integrations宣布推出其廣受歡迎的電源設(shè)計軟件的更新版本-PI Expert Suite 9.0。新版軟件現(xiàn)在增加了對其LinkSwitch-PL和LinkSwitch-PH LED驅(qū)動器IC以及近期推出的TinySwitch-4離線式開關(guān)IC產(chǎn)品系列的設(shè)計支持。
2013-05-07
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第一講:基于SiC雙極結(jié)型晶體管的高能效設(shè)計
為努力實現(xiàn)更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規(guī)要求以及系統(tǒng)正常運行時間要求,工業(yè)和功率電子設(shè)計人員在進行設(shè)計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。SIC雙極結(jié)型晶體管可實現(xiàn)效率和功率密度的大幅提升,以及改善功率密度、可靠性和效率。從而實現(xiàn)電力電子的高能耗設(shè)計。
2013-05-06
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MEMS加速傳感器更快速、方便、準確檢測心臟功能
通過基于微電子機械系統(tǒng)(MICRO ELECTRO MECHANICAL SYSTEM,MEMS)的加速傳感器和陀螺儀的設(shè)計,正越來越多地應用于醫(yī)療領(lǐng)域。本文將給大家詳細介紹MEMS加速傳感器在心臟功能檢測方面相對于傳統(tǒng)方法的巨大優(yōu)勢。
2013-05-04
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電涌保護器(SPD)工作原理及結(jié)構(gòu)
電涌保護器(Surge protection Device)是電子設(shè)備雷電防護中不可缺少的一種裝置,過去常稱為“避雷器”或“過電壓保護器”英文簡寫為SPD。電涌保護器的作用是把竄入電力線、信 號傳輸線的瞬時過電壓限制在設(shè)備或系統(tǒng)所能承受的電壓范圍內(nèi),或?qū)姶蟮睦纂娏餍沽魅氲?,保護被保護的設(shè)備或系統(tǒng)不受沖擊而損壞。
2013-05-04
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FAN3180:集成3.3V輸出電壓穩(wěn)壓器的單通道2A底邊驅(qū)動器
近日,飛兆半導體公司推出FAN3180驅(qū)動器,這是集成了3.3V輸出電壓穩(wěn)壓器的單通道2A底邊驅(qū)動器,可為微控制器或ASIC供電,并為外部半導體開關(guān)提供強大的柵極驅(qū)動。
2013-04-26
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Vishay新款功率MOSFET導通電阻比前一代器件低45%
Vishay Siliconix 新型N溝道TrenchFET功率MOSFET——SiR872ADP,電壓擴大至150V,為DC/DC應用提供18mΩ導通電阻,適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器,以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級側(cè)和次級側(cè)的同步整流。
2013-04-24
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IDT推出首款雙模無限電源接收器IC
IDT近日宣布:推出業(yè)界首款雙模無線電源接收器IC,這款接收器同時兼容無線充電聯(lián)盟 (Wireless Power Consortium,WPC) 和PMA聯(lián)盟 (Power Matters Alliance,PMA) 標準。IDT的創(chuàng)新接收器彌合了互相競爭的傳輸標準間的技術(shù)差異,使移動設(shè)備和配件OEM廠商能夠使用單一的物料清單(BOM) 來同時支持WPC和PMA標準。
2013-04-20
- IGBT 脈沖測量方法的優(yōu)點?正確選擇脈沖測量
- 基于GPU器件行為的創(chuàng)新分布式功能安全機制為智能駕駛保駕護航
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