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IMF：TE推出用于零瓦電路的靈敏雙穩(wěn)態(tài)小尺寸繼電器
TE Connectivity 公司推出用于零瓦電路的IMF繼電器。如果沒有像移動(dòng)手機(jī)連接器之類的終端設(shè)備，零瓦充電器就會(huì)停止從電網(wǎng)中取電， TE的IMF是專為這樣的應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，其設(shè)計(jì)是對(duì)現(xiàn)有AXICOM IM繼電器產(chǎn)品線的補(bǔ)充。
2012-02-22
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ADIsimRF 1.6版：ADI新版模擬器件設(shè)計(jì)工具簡化RF設(shè)計(jì)
Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，近日推出其頗受歡迎的ADIsimRF?設(shè)計(jì)工具的全新版本ADIsimRF 1.6版。ADI公司的ADIsimRF設(shè)計(jì)工具是ADI公司所有RF至數(shù)字功能模塊系列產(chǎn)品的配套軟件，通過該設(shè)計(jì)工具，工程師可以使用ADI公司的RF IC和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品系列進(jìn)行RF信號(hào)鏈建模。
2012-02-22
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DIGITIMES Research：TSV 3D IC面臨諸多挑戰(zhàn)
TSV 3D IC技術(shù)雖早于2002年由IBM所提出，然而，在前后段IC制造技術(shù)水準(zhǔn)皆尚未成熟情況下，TSV 3D IC技術(shù)發(fā)展速度可說是相當(dāng)緩慢，DIGITIMES Research分析師柴煥欣分析，直至2007年東芝(Toshiba)將鏡頭與CMOS Image Sensor以TSV 3D IC技術(shù)加以堆棧推出體積更小的鏡頭模塊后，才正式揭開TSV 3D IC實(shí)用化的序幕。
2012-02-22
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Si8497DB/Si8487DB：Vishay推出小尺寸低導(dǎo)通電阻MOSFET
Vishay宣布引入兩款在尺寸和導(dǎo)通電阻上設(shè)立了新的行業(yè)基準(zhǔn)的p溝道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，擴(kuò)充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。新的Si8497DB是業(yè)內(nèi)首款采用小巧的1mm x 1.5mm外形尺寸的30V芯片級(jí)MOSFET，是目前市場上尺寸最小的此類器件；而Si8487DB在1.6mm x 1.6mm外形尺寸的30V芯片級(jí)器件中具有最低的導(dǎo)通電阻。
2012-02-21
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AD9737A：ADI推出低功耗DAC用于電纜前端
Analog Devices, Inc. (ADI)，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器市場份額領(lǐng)先者，最近推出一款11位DAC AD9737A，它能夠讓有線電視和寬帶運(yùn)營商將高至1 GHz的整個(gè)電纜頻譜合成于單個(gè)RF（射頻）端口，而最大功耗僅為1.1 W。AD9737A 2.5 GSPS DAC具有較寬的帶寬和動(dòng)態(tài)范圍，因而電纜基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)人員能夠?qū)AM通道密度提高至目前電纜調(diào)制解調(diào)器實(shí)現(xiàn)方案的20倍，并且支持經(jīng)過改良的全新服務(wù)，例如互動(dòng)電視、高清廣播和新專業(yè)頻道。
2012-02-20
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EV1320：Enpirion推出高效率DDR電源解決方案
業(yè)界最小負(fù)載點(diǎn)直流—直流轉(zhuǎn)換器領(lǐng)先創(chuàng)新者Enpirion 公司發(fā)布了其 DDR 存儲(chǔ)器終端電源的電源集成電路 (IC) 產(chǎn)品組合的新成員。Enpirion EV1320 是 2A (sink/source) DDR 終端轉(zhuǎn)換器，最高效率達(dá)到 96%——比傳統(tǒng) LDO（低壓差）穩(wěn)壓器解決方案省電 1.4 瓦，同時(shí)擁有低成本、小尺寸的優(yōu)點(diǎn)。
2012-02-17
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飛兆、英飛凌擴(kuò)展功率MOSFET封裝兼容協(xié)議
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系，擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對(duì)稱結(jié)構(gòu)功率級(jí)雙MOSFET封裝。
2012-02-16
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PCC-M0512W：松下推出低直流電阻的電源電感器用于便攜設(shè)備
松下元器件公司（Panasonic Device）推出了直流電阻號(hào)稱業(yè)界最小的、采用金屬復(fù)合物鐵心結(jié)構(gòu)的電源電感器（功率扼流圈）“PCC-M0512W系列”。3.3μH產(chǎn)品的直流電阻為80mΩ，較該公司以前的產(chǎn)品減小了10～20％。外形尺寸為5.4mm×5.15mm×1.2mm，電感值為0.47～4.7μH，額定電流為2.2～5.5A。主要面向智能手機(jī)、平板終端及游戲機(jī)的硬盤驅(qū)動(dòng)器（HDD）等使用的DC-DC轉(zhuǎn)換電路。
2012-02-16
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WCSP 在克服各種挑戰(zhàn)的同時(shí)不斷發(fā)展
晶圓芯片級(jí)封裝 (WCSP) 去掉了許多傳統(tǒng)的封裝步驟，例如：裸片焊接、引線接合以及芯片級(jí)倒裝片 (flip chip) 連接工藝等。這種方法使半導(dǎo)體客戶加速了產(chǎn)品上市進(jìn)程。WCSP 應(yīng)用正擴(kuò)展到一些新領(lǐng)域，并逐漸出現(xiàn)基于引腳數(shù)量和器件類型的細(xì)分市場。集成無源分立 RF 和存儲(chǔ)器件的 WCSP 應(yīng)用也正擴(kuò)展到邏輯 IC 和 MEMS。但是這種發(fā)展也帶來了許多挑戰(zhàn)，包括裸片尺寸和引腳數(shù)的增長對(duì)板級(jí)可靠性所產(chǎn)生的影響。本文將介紹我們當(dāng)前面臨的諸多挑戰(zhàn)，以及集成化和硅過孔 (TSV) 技術(shù)等一些未來發(fā)展趨勢(shì)。
2012-02-15
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安森美半導(dǎo)體推出降低待機(jī)能耗的突破性電源產(chǎn)品
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN) 持續(xù)開發(fā)創(chuàng)新技術(shù)及產(chǎn)品，使公司能夠?yàn)槭袌鎏峁┴S富的電源半導(dǎo)體方案。
2012-02-13
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瑞薩電子巴西辦事處成立，增強(qiáng)南美地區(qū)服務(wù)和支持
全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）進(jìn)入宣布在巴西圣保羅市成立Renesas Electronics Brasil-Servicos Ltda.,（以下簡稱“瑞薩電子巴西辦事處”），以進(jìn)一步擴(kuò)大在海外發(fā)展中市場的銷售額。
2012-02-13
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RJQ6020/1/2DPM:瑞薩電子宣布推出低損耗SiC功率器件系列
全球領(lǐng)先的高級(jí)半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布推出三款碳化硅（SiC）復(fù)合功率器件，它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個(gè)碳化硅二極管和多個(gè)功率晶體管，組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個(gè)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電（如空調(diào)）、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
2012-02-13
- 意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
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