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熱管理：突破功率密度障礙的 3 種方法
實(shí)現(xiàn)更高功率密度的障礙是什么？實(shí)際上，熱性能是電源管理集成電路 (IC) 在電氣方面的附加特性，既無(wú)法忽略也不能使用系統(tǒng)級(jí)過(guò)濾元件“優(yōu)化”。要緩解系統(tǒng)過(guò)熱問(wèn)題，需要在開(kāi)發(fā)過(guò)程的每個(gè)步驟中進(jìn)行關(guān)鍵的微調(diào)，以便設(shè)計(jì)能夠滿足給定尺寸約束下的系統(tǒng)要求。以下是 TI 專(zhuān)注于優(yōu)化熱性能和突破芯片級(jí)功率密度障礙的三個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測(cè)試平臺(tái)
雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段，適用于各類(lèi)功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí)，這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié)，測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來(lái)越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開(kāi)關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類(lèi)型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類(lèi)型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會(huì)給使用者帶來(lái)更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案
智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來(lái)越豐富，隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下，人們開(kāi)始探索更快的電量補(bǔ)給，以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間，降低充電的時(shí)間成本，從而換取設(shè)備的便攜性，提升用戶體驗(yàn)。
2022-10-28
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無(wú)需電流采樣電阻的智能電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC，不來(lái)了解一下么？
第二次工業(yè)革命，將人們從農(nóng)業(yè)時(shí)代推送到了電氣時(shí)代，在人們不斷發(fā)明創(chuàng)造的今天，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了很多產(chǎn)品的自動(dòng)化，這些都是離不開(kāi)電機(jī)的。電機(jī)其實(shí)也是分好多種。比如，直流電機(jī)、交流電機(jī)、有刷電機(jī)、無(wú)刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)等等，這些電機(jī)在我們的生活中隨處可見(jiàn)。
2022-10-27
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防反保護(hù)電路的設(shè)計(jì)（下篇）
本系列的上、下兩篇文章探討了防反保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。 上篇 介紹了各種脈沖干擾以及在汽車(chē)電子產(chǎn)品中設(shè)計(jì)防反保護(hù)電路的必要性，同時(shí)回顧了 PMOS 方案保護(hù)電路的特性；本文為下篇，將討論使用 NMOS 和升降壓驅(qū)動(dòng) IC 實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路。
2022-10-27
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第一部分——IC制造生命周期關(guān)鍵階段之安全性入門(mén)
本文包括兩部分，我們主要探討芯片供應(yīng)商和OEM之間的相互關(guān)系，以及他們?yōu)楹伪仨殧y手合作以完成各個(gè)制造階段的漏洞保護(hù)。第一部分指出了IC制造生命周期每個(gè)階段中存在的威脅，并說(shuō)明了如何解決這些威脅。第二部分著重說(shuō)明了OEM所特有的安全風(fēng)險(xiǎn)，并指出了最終產(chǎn)品制造商和芯片供應(yīng)商如何承擔(dān)各自的責(zé)任。這些內(nèi)容將圍繞以下問(wèn)題進(jìn)行闡釋?zhuān)碠EM和芯片供應(yīng)商對(duì)各自生產(chǎn)階段的風(fēng)險(xiǎn)各負(fù)其責(zé)，以此來(lái)阻止大多數(shù)安全攻擊。
2022-10-25
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貿(mào)澤電子攜手Nordic舉辦窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研討會(huì)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Nordic于10月25日14:00-15:30舉辦主題為“Nordic超低功耗窄帶蜂窩片上模組”的專(zhuān)題技術(shù)研討會(huì)。屆時(shí)，來(lái)自Nordic的資深技術(shù)專(zhuān)家將為大家?guī)?lái)Nordic的超低功耗產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)方面的開(kāi)發(fā)，助力工程師設(shè)計(jì)出更具性能優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。
2022-10-20
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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應(yīng)用的理想選擇
碳化硅（SiC）MOSFET在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正在迅速普及，因?yàn)橐恍┳畛醯目煽啃詥?wèn)題已經(jīng)解決，并且價(jià)格水平已經(jīng)達(dá)到了非常有吸引力的點(diǎn)。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，了解SiC MOSFET的特性非常重要，這樣用戶才能充分利用每個(gè)器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)，以及由安森美（onsemi）所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產(chǎn)品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應(yīng)用中，特別是對(duì)于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動(dòng)級(jí)成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動(dòng)（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡(jiǎn)單并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國(guó)產(chǎn)廠商派恩杰，不僅在功率器件性能上達(dá)到國(guó)際一流廠商水平，在AC BTI可靠性上更是超越國(guó)際一流廠商?？偛命S興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者，展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
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LED串中升壓電源調(diào)節(jié)電流的示例
在此配置中，外設(shè)配置為產(chǎn)生大多數(shù)電流模式的固定頻率電源。COG是互補(bǔ)輸出發(fā)生器。其功能是通過(guò)上升沿和下降沿輸入構(gòu)成的可編程死區(qū)生成互補(bǔ)輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當(dāng)電流超出斜率補(bǔ)償器的輸出時(shí)，比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結(jié)合來(lái)產(chǎn)生占空比。一些拓?fù)洌ㄈ缟龎?、反激或SEPIC）需要占空比。運(yùn)放OPA用于提供反饋和補(bǔ)償。
2022-10-19
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