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將ICT和FCT優(yōu)勢(shì)結(jié)合在單個(gè)測(cè)試適配器中
一般以針床來測(cè)試不上電的電路板,使用直接數(shù)字合成(DDS)和離散傅立葉變換(DFT)等技術(shù)生成刺激信號(hào)進(jìn)行模擬測(cè)量分析,以此讓在線測(cè)試儀(ICA)測(cè)量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù),以便確認(rèn)所有被測(cè)器件(DUT)測(cè)試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi),以及是否有開路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問題。這些都在不上電的情況下進(jìn)行測(cè)量。繼電器多路復(fù)用器可以用來連接探針觸點(diǎn)和電路板的模擬通道或數(shù)字驅(qū)動(dòng)器/傳感器(D/S)(圖1)。
2022-02-09
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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當(dāng)電源設(shè)計(jì)人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時(shí),他們會(huì)利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進(jìn)行預(yù)測(cè)有助于縮小反饋環(huán)路補(bǔ)償元件的選擇范圍。
2022-02-09
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針對(duì)SiC串?dāng)_抑制方法的測(cè)試報(bào)告
近年來,以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開關(guān)頻率、高開關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn),已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關(guān)速度加快,橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇,串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小,串?dāng)_問題引起的正負(fù)向電壓尖峰更容易造成開關(guān)管誤導(dǎo)通或柵源極擊穿,進(jìn)而增加開關(guān)損耗,嚴(yán)重時(shí)損壞開關(guān)管,因此合適的串?dāng)_抑制方法對(duì)提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入/輸出
對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來看,還沒有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?,F(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它,用戶就有了一款強(qiáng)大工具,使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問題。
2022-02-08
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用于信號(hào)和數(shù)據(jù)處理電路的低噪聲、高電流、緊湊型DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、片上系統(tǒng)(SoC)和微處理器等數(shù)據(jù)處理IC不斷擴(kuò)大在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車、航空電子和國(guó)防系統(tǒng)領(lǐng)域的應(yīng)用。這些系統(tǒng)的一個(gè)共同點(diǎn)是處理能力不斷提高,導(dǎo)致原始功率需求相應(yīng)增加。設(shè)計(jì)人員很清楚高功率處理器的熱管理問題,但可能不會(huì)考慮電源的熱管理問題。與晶體管封裝處理器本身類似,當(dāng)?shù)蛢?nèi)核電壓需要高電流時(shí),熱問題在最差情況下不可避免——這是所有數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的總體電源趨勢(shì)。
2022-01-30
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開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁:方案概述
在本系列文章的第一部分中,[1]我們介紹了電動(dòng)車快速充電器的主要系統(tǒng)要求,概述了這種充電器開發(fā)過程的關(guān)鍵級(jí),并了解到安森美(onsemi)的應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)正在開發(fā)所述的充電器。現(xiàn)在,在第二部分中,我們將更深入研究設(shè)計(jì)的要點(diǎn),并介紹更多細(xì)節(jié)。特別是,我們將回顧可能的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),探討其優(yōu)點(diǎn)和權(quán)衡,并了解系統(tǒng)的骨干,包括一個(gè)半橋SiC MOSFET模塊。
2022-01-28
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如何充分發(fā)揮碳化硅耐高溫的優(yōu)勢(shì)?
隨著碳化硅(SiC)技術(shù)的發(fā)展,器件也在日趨成熟和商業(yè)化,其材料獨(dú)特的耐高溫性能正在加速推動(dòng)結(jié)溫從150℃走向175℃,有的公司稱,現(xiàn)在已開始研發(fā)200℃結(jié)溫的碳化硅器件。
2022-01-28
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在當(dāng)今高壓半導(dǎo)體器件上執(zhí)行擊穿電壓和漏流測(cè)量
在經(jīng)過多年研究和設(shè)計(jì)之后,碳化硅(SiC)和氮化鎵 (GaN)功率器件正變得越來越實(shí)用。這些器件盡管性能很高,但它們也帶來了許多挑戰(zhàn),包括柵極驅(qū)動(dòng)要求。SiC要求的柵極電壓(Vgs)要高得多,在負(fù)偏置電壓時(shí)會(huì)關(guān)閉。GaN的閾值電壓(Vth)則低得多,要求嚴(yán)格的柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。寬帶隙(WBG)器件由于物理特點(diǎn),機(jī)身二極管壓降較高,因此對(duì)空轉(zhuǎn)時(shí)間和打開/關(guān)閉跳變的控制要求要更嚴(yán)格。
2022-01-27
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷超49000種Amphenol產(chǎn)品
2022年1月26日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 分銷全球知名互聯(lián)系統(tǒng)供應(yīng)商Amphenol Corporation的新款產(chǎn)品和解決方案。貿(mào)澤備貨Amphenol及其41個(gè)部門的全系列產(chǎn)品,總數(shù)超過49600種。
2022-01-26
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如何構(gòu)建功能安全的小型48V、30kW MHEV電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
減少溫室氣體(GHG)排放的全球性舉措推動(dòng)了汽車的發(fā)展,要求汽車制造商提高新車動(dòng)力總成的電氣化水平。輕混合動(dòng)力電動(dòng)汽車(MHEV)采用48V電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)來幫助減少內(nèi)燃機(jī)(ICE) 的GHG排放,已成為實(shí)現(xiàn)合規(guī)性的極具吸引力的選擇,因?yàn)檫@種汽車的實(shí)現(xiàn)成本遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于全混合動(dòng)力電動(dòng)汽車。本白皮書介紹如何使用DRV3255-Q1 48V BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)器在 MHEV 中實(shí)現(xiàn)汽車安全完整性等級(jí)D(ASIL D) 功能安全,同時(shí)提供高達(dá) 30kW 的電機(jī)功率和高集成度以幫助減小布板空間。
2022-01-25
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貿(mào)澤電子備貨豐富多樣的Murata產(chǎn)品
Murata是陶瓷無源電子元件、無線連接模塊和電源轉(zhuǎn)換技術(shù)設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的全球先鋒。貿(mào)澤電子作為其全球授權(quán)分銷商,庫(kù)存有來自Murata Electronics、Murata Power Solutions及Murata IPDiA的19,000多種產(chǎn)品,并且還在不斷引入新的解決方案。
2022-01-21
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貿(mào)澤電子內(nèi)容中心推出機(jī)器人專題,一站提供各類豐富資源及前沿產(chǎn)品
2022年1月20日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存?的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 在貿(mào)澤內(nèi)容中心開辟了機(jī)器人專題,為工程師提供廣泛而深入的專業(yè)知識(shí)和內(nèi)容,幫助其加快機(jī)器人設(shè)計(jì)速度。此專題包含一系列文章、博客、圖表和精選產(chǎn)品,重點(diǎn)介紹全球知名制造商的特色產(chǎn)品,以及如何將其解決方案合理實(shí)現(xiàn)到機(jī)器人應(yīng)用和機(jī)器人過程自動(dòng)化 (RPA) 解決方案中。要開始探索貿(mào)澤內(nèi)容中心的機(jī)器人專題,請(qǐng)從導(dǎo)航菜單中選擇Applications(應(yīng)用)中的Industrial(工業(yè))板塊,并進(jìn)入Robotics(機(jī)器人)專題;或者也可直接點(diǎn)擊https://resources.mouser.com/robotics。
2022-01-20
- 面向新太空應(yīng)用的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
- 使用功率分析儀測(cè)量和分析電抗器(電感器)的方法
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