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繼電器在汽車通信市場(chǎng)是未來(lái)重點(diǎn)
在今后一段時(shí)間內(nèi)，我國(guó)經(jīng)濟(jì)仍將高速發(fā)展，這將給繼電器行業(yè)帶來(lái)巨大的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。特別是我國(guó)各行業(yè)的高速增長(zhǎng)和升級(jí)換代具有自動(dòng)化、數(shù)字化的特征，對(duì)控制基礎(chǔ)元件——— 繼電器的需求不斷加大，對(duì)其技術(shù)性能、品質(zhì)、種類等都提出了更高要求。
2009-12-21
繼電器 汽車 通信繼電器
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安森美收購(gòu)California Micro Devices
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)于14日宣布以每股4.7美元，11日收盤價(jià)3.05美元溢價(jià)54%，總金額1.08億美元現(xiàn)金收購(gòu)California Micro Devices，強(qiáng)化手機(jī)產(chǎn)品線。
2009-12-21
安森美 CMD 手機(jī)
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Gartner：硅晶圓市場(chǎng)將復(fù)蘇 2010年增長(zhǎng)23%
市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)Gartner表示，09年第三季度，全球?qū)杈A需求環(huán)比增長(zhǎng)17% ，2009年對(duì)全球硅晶圓需求整體下滑幅度好于之前預(yù)期。但預(yù)計(jì)2010年第二季度會(huì)開(kāi)始恢復(fù)穩(wěn)步增長(zhǎng)，硅晶圓年度增長(zhǎng)率將為23.4%。
2009-12-21
硅晶圓 Gartner 復(fù)蘇
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FXO-LC32 系列：FXO推出新款2.5伏XpressO XO LVDS振蕩器
Fox Electronics 最近推出了 FXO-LC32 系列低壓差分信號(hào) (LVDS) 振蕩器，擴(kuò)充 XpressO XO LVDS 振蕩器系列。新款2.5伏 XpressO 晶體振蕩器采用更小的 3.2mm x 2.5mm 封裝，穩(wěn)定性高達(dá) ±25ppm，擁有業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)封裝，包括占用空間(footprint)和腳位(pin-out)。
2009-12-21
FXO-LC32 Fox LVDS 振蕩器 XpressO
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NCV840x：安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC
首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列器件通過(guò)了AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，非常適用于嚴(yán)格的汽車及工業(yè)工作環(huán)境中的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
2009-12-21
安森美 汽車標(biāo)準(zhǔn) 自保護(hù) MOSFET 驅(qū)動(dòng)IC
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首爾半導(dǎo)體LED應(yīng)用于世界最大游輪的照明
首爾半導(dǎo)體LED通過(guò)與特別制作高級(jí)郵輪個(gè)人露臺(tái)英國(guó)的照明企業(yè)合作，向綠洲號(hào)的所有個(gè)人露臺(tái)提供了該產(chǎn)品。 用于游輪的露臺(tái)照明內(nèi)置有每個(gè)裝置最大消耗4.5W（瓦）的3個(gè)LED，與鹵素?zé)粝啾?，能源效率提高了約10倍，露臺(tái)的燈光不會(huì)照射到客房?jī)?nèi)。是能夠減少游輪耗電的最佳產(chǎn)品。
2009-12-21
首爾 半導(dǎo)體 LED 游輪 照明
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能源革命為微電子產(chǎn)業(yè)提供新機(jī)遇
在過(guò)去10年中，中國(guó)的GDP與能耗基本上是同比例增加的。從單位GDP(國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值)的能耗來(lái)看，根據(jù)國(guó)家統(tǒng)計(jì)局提供的數(shù)據(jù)，當(dāng)前中國(guó)1億美元GDP所消耗的能源是12.03萬(wàn)噸標(biāo)準(zhǔn)煤，大約是日本的7.2倍，是德國(guó)的5.62倍，是美國(guó)的3.52倍，是印度的1.18倍，是世界平均水平的3.28倍。中國(guó)的GDP要趕超美國(guó)，如果...
2009-12-21
能源革命 微電子 新機(jī)遇 GDP 低能耗
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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