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如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來(lái)的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過(guò)，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什...
2024-03-05
碳化硅 固態(tài)斷路器
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使用大面積分析提升半導(dǎo)體制造的良率
設(shè)計(jì)規(guī)則檢查 (DRC) 技術(shù)用于芯片設(shè)計(jì)，可確保以較高的良率制造出所需器件。設(shè)計(jì)規(guī)則通常根據(jù)所使用設(shè)備和工藝技術(shù)的限制和變異性制定。DRC可確保設(shè)計(jì)符合制造要求，且不會(huì)導(dǎo)致芯片故障或DRC違規(guī)。常見(jiàn)的DRC規(guī)則包括最小寬度和間隔要求、偏差檢查以及其他規(guī)格，以避免在制造過(guò)程中出現(xiàn)短路、斷路、...
2024-03-05
半導(dǎo)體制造 芯片
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你準(zhǔn)備好迎接新興汽車(chē)?yán)走_(dá)衛(wèi)星架構(gòu)了嗎？
隨著全球新車(chē)安全評(píng)鑒協(xié)會(huì)的安全等級(jí)和法規(guī)對(duì)主動(dòng)安全功能的要求日益嚴(yán)格，安全性已成為當(dāng)今車(chē)輛的一項(xiàng)不可或缺的特性。全球汽車(chē)制造商不斷增強(qiáng)其車(chē)輛內(nèi)的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 功能（包括自動(dòng)緊急制動(dòng) (AEB)、自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 和高級(jí)車(chē)道居中），從而滿(mǎn)足這些安全要求并致力于實(shí)現(xiàn)更高水平...
2024-03-05
汽車(chē)?yán)走_(dá) 衛(wèi)星架構(gòu)
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SEMICON專(zhuān)題直播預(yù)告|一起聊聊半導(dǎo)體測(cè)試
2024年3月20日，全球最大規(guī)模半導(dǎo)體嘉年華——SEMICON China 2024將在上海新國(guó)際博覽中心盛大啟幕，作為半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，加速科技即將重裝亮相此次盛會(huì)（N2館N2327）。
2024-03-05
SEMICON
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如何幫助提高混合動(dòng)力汽車(chē)/電動(dòng)汽車(chē)電池?cái)嚅_(kāi)系統(tǒng)的安全性和效率
對(duì)于混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 和電動(dòng)汽車(chē) (EV)，電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的配電系統(tǒng)可為車(chē)輛的核心功能供電，還可提供安全斷開(kāi)高電壓或高電流事件的機(jī)制。隨著對(duì)更高電壓、電流、效率和可靠性的需求持續(xù)增長(zhǎng)，配電系統(tǒng)的兩個(gè)核心組件（高壓繼電器和斷開(kāi)保險(xiǎn)絲）面臨越來(lái)越多的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。圖 1 展示了高壓繼...
2024-03-04
電爆驅(qū)動(dòng)器 接觸器 汽車(chē) 電動(dòng)汽車(chē) 電池
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大算力時(shí)代, 如何打破內(nèi)存墻
近年來(lái)，人工智能應(yīng)用正經(jīng)歷一輪快速的發(fā)展與普及，而以ChatGPT等先進(jìn)的大模型技術(shù)在此過(guò)程中起到了關(guān)鍵作用。這些模型對(duì)計(jì)算能力的需求不斷攀升，催生了AI芯片設(shè)計(jì)的不斷革新，進(jìn)入了大算力時(shí)代。
2024-03-04
大算力 內(nèi)存
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輕松了解功率MOSFET的雪崩效應(yīng)
在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數(shù)量級(jí)。
2024-03-04
功率MOSFET 雪崩效應(yīng)
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