能效整改

 

1. VF 值，肖特基

 

? 低 VF 值的要比普通的要高0.5-3個(gè)百分比；

? 品牌、VF 值不一樣，有差別；

? 選型，能用40V 的就不要用45V 或者60V 的，電壓經(jīng)測試可以得出。

 

2. 加速度肖特基的導(dǎo)通

 

電源適配器基本上都在次級加入了 RCD 電路，如圖，可將 R2 更改為 D3（D3為4148），此處更改可增加老化后0.5%的效率，但是 R1 的位置要按測試 EMI 測試出來的數(shù)據(jù)相對應(yīng)的調(diào)整。

 

 

3. 初級 RCD

 

可將吸收的 D 更改為阻尼二極管。

 

此處更改有以下優(yōu)勢：

 

① MOS 管的峰值會下降。600V 左右的峰值會下降到520V 左右。實(shí)測為準(zhǔn)。

② 能效，老化5分鐘后，增加0.5%的效率。

③ 注意事項(xiàng)，此時(shí)吸收只的 R，取值5M-10M 左右為最佳。

④ 注意 MOS 串在 RCD 上的電阻，太小會影響 EMI，大了也不適合。以測試為準(zhǔn)。

 

4. 變壓器

 

此處各位搞工程的都懂，無非就是設(shè)計(jì)時(shí)的計(jì)算與繞線方式。

 

本人經(jīng)驗(yàn)

 

? 定頻 65KHZ 的 IC 在45-50KHz 時(shí)（滿載）最佳。

? 注意10%--25%負(fù)載時(shí)有沒有異音。

 

5. 電解電容 ESR

 

低 ESR 的效率要高過普通的，包括現(xiàn)在用的高分子電容。可以提高壽命與能效，是針對低壓大電流的不二選擇。

 

6. 待機(jī)

 

高壓起動的 IC，節(jié)省了起動電阻的損耗。非高壓起動的 IC 可加大起動電阻來減少待機(jī)功率，但是會影響起動時(shí)間，可以按一定條件更改 VCC 起動電容，或者增加二級起動電路等，包括更改假負(fù)載電阻等，當(dāng)然太小了會出現(xiàn)空載不穩(wěn)定的現(xiàn)象等。

 

本文轉(zhuǎn)載自 21Dianyuan

 

 

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