讓我們做一個(gè)超低噪聲、48 V、幻像麥克風(fēng)電源怎么樣?
發(fā)布時(shí)間:2020-06-01 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】專業(yè)級(jí)電容麥克風(fēng)需要使用48 V電源為內(nèi)部電容傳感器充電,以及為內(nèi)部緩沖器供電,以提供高阻抗傳感器輸出。該電源的電流很低,一般只有幾mA,但因?yàn)辂溈孙L(fēng)的輸出電平非常低,并 且緩沖器本身的電源波紋抑制性能不佳,因此要求電源必須具有極低的噪聲。此外,幻像電源不得將EMI注入相鄰的低電平電路,這是緊湊型產(chǎn)品始終需要解決的一大挑戰(zhàn)。
Q:是否可以利用5 V、12 V或24 V輸入生成緊湊的超低噪聲幻像電源 (48 V)?
A:可以,需要使用一個(gè)簡(jiǎn)單的升壓轉(zhuǎn)換器、一個(gè)濾波器電路來(lái)降低EMI,通過(guò)一個(gè)小技巧則可實(shí)現(xiàn)小尺寸。
專業(yè)級(jí)電容麥克風(fēng)需要使用48 V電源為內(nèi)部電容傳感器充電,以及為內(nèi)部緩沖器供電,以提供高阻抗傳感器輸出。該電源的電流很低,一般只有幾mA,但因?yàn)辂溈孙L(fēng)的輸出電平非常低,并 且緩沖器本身的電源波紋抑制性能不佳,因此要求電源必須具有極低的噪聲。此外,幻像電源不得將EMI注入相鄰的低電平電路,這是緊湊型產(chǎn)品始終需要解決的一大挑戰(zhàn)。
我們可以使用LT8362升壓轉(zhuǎn)換器構(gòu)建一個(gè)高性能電源,該轉(zhuǎn)換器采用60 V、2 A開(kāi)關(guān),工作頻率最高可達(dá)2 MHz,且采用3 mm × 3 mm小型封裝。下面的電路基于標(biāo)準(zhǔn)的LT8362演示板 DC2628A, 其原理圖如圖1所示。
圖1. 用于構(gòu)建幻像電源的演示電路DC2628的原理圖。
該演示板上的輸入EMI濾波器能夠借助與輸入串聯(lián)的開(kāi)關(guān)電感器,有效過(guò)濾高頻率噪聲。在輸出端,情況則沒(méi)有這般理想。輸出EMI濾波器能夠有效抑制MHz區(qū)域的噪聲,但對(duì)音頻區(qū)域的噪聲沒(méi)什么效果。這些噪聲主要由反饋環(huán)路中的30×增益引起,這會(huì)放大LT8362的基準(zhǔn)電壓源噪聲。
消除這些噪聲的方法之一是在輸出端增加電容。只要增加足夠電容就有效,但對(duì)于48 V輸出,實(shí)際電容的最低工作電壓為63 V,這意味著所需的電容既大又昂貴。
第二種方法是將LT8362 輸出增大1 V或2 V,并在輸出端增加一個(gè)LDO穩(wěn)壓器。這需要采用高壓LDO穩(wěn)壓器,其成本一般高于低壓穩(wěn)壓器。此外,雖然這些穩(wěn)壓器在低輸出電壓下具有低噪聲,但是使用基準(zhǔn)電壓的器件 也會(huì)遇到與LT8362一樣的基準(zhǔn)電壓源噪聲倍增問(wèn)題。
第三種方法是:因?yàn)辂溈孙L(fēng)輸出的靈敏性并非高度依賴電源電壓,所以無(wú)需對(duì)幻像電源實(shí)施完全調(diào)節(jié)。這意味著,我們可以將一些電阻與輸出電容串聯(lián),以提升其有效性;但是,這只能在一定程度上減小高壓電容的尺寸。
比較好的方法是讓輸出電容看起來(lái)比實(shí)際大。我們可以使用一種稱之為電容倍增的傳統(tǒng)方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在圖2的灰色陰影部分可看到這個(gè)簡(jiǎn)單電路。
圖2. 與圖1所示的電路相同,但輸出端配有電容倍增器(灰色)來(lái)抑制開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器產(chǎn)生的音頻噪聲。
其中,100 μF電容控制基極電流的波紋,所以其對(duì)集電極電流的影響會(huì)以NPN晶體管的beta值放大。影響非常顯著。圖3a顯示LT8362電路在C4(濾波之前)處的輸出,負(fù)載為1 kΩ (50 mA)。
圖3.濾波之前和之后。(a)在C4處(濾波之前)測(cè)量時(shí),升壓穩(wěn)壓器輸出的噪聲含量約為0.2%。(b) 濾波之后,輸出的噪聲含量明顯減少,為0.002%。
噪聲約為80 mV p-p,相當(dāng)于約0.2%的噪聲含量。對(duì)于非關(guān)鍵應(yīng)用,這種噪聲含量可能足夠,但在濾波之后,輸出噪聲性能明顯改善,約為1 mV p-p,如圖3b所示。這相當(dāng)于約0.002%或20 ppm噪聲含量,足以滿足最嚴(yán)苛的應(yīng)用要求。圖4顯示工作臺(tái)設(shè)置。
圖4. 使用演示電路DC2628的干凈幻像電源的工作臺(tái)設(shè)置。
晶體管SBCP56-16T1G用于在低電流下實(shí)現(xiàn)高VCBEO (80 V) 和高β。高β讓電容倍增器具備高表觀電容,并且隨輸出電流變化保持相對(duì)恒定的壓降。輸出電壓從2 kΩ負(fù)載時(shí)的47.8 V降低至500 Ω負(fù)載時(shí)的47.5 V,足以滿足麥克風(fēng)應(yīng)用的要求。在沒(méi)有測(cè)試噪聲和穩(wěn)壓效果的情況下,不要替換另一個(gè)晶體管。
測(cè)試時(shí)使用16 V輸入,但性能與12 V至24VIN類似。有些應(yīng)用可能要求從5 V開(kāi)始升壓,這可以通過(guò)將LT8362的開(kāi)關(guān)頻率從2 MHz降至1 MHz來(lái)實(shí)現(xiàn),從而實(shí)現(xiàn)75 ns的最小關(guān)斷時(shí)間。這也要求提高L1,達(dá)到約10 μH至15 μH,并且將大容量輸出電容C4加倍,以保持等效性能。
LT8362
● 寬輸入電壓范圍:2.8V 至 60V
● 超低靜態(tài)電流和低紋波突發(fā)模式 (Burst Mode®) 操作:IQ = 9μA
● 2A、60V 電源開(kāi)關(guān)
● 利用單個(gè)反饋引腳來(lái)進(jìn)行正或負(fù)輸出電壓編程
● 可編程的頻率 (300kHz 至 2MHz)
● 可同步至外部時(shí)鐘
● 擴(kuò)展頻譜頻率調(diào)制用于實(shí)現(xiàn)低 EMI
● 針對(duì)較高效率的 BIAS 引腳
● 可編程的欠壓閉鎖 (UVLO)
● 耐熱性能增強(qiáng)型 10 引腳 3mm x 3mm DFN 封裝和 16 引腳 MSOP 封裝
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