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第15講：高壓SiC模塊封裝技術
SiC芯片可以高溫工作，與之對應的連接材料和封裝材料都需要相應的變更。三菱電機高壓SiC模塊支持175℃工作結溫，其封裝技術相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術做了很大改進，本文帶你詳細了解內(nèi)部的封裝技術。
2025-02-14
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功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數(shù)Ψth(j－top)獲取結溫信息
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-24
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IGBT并聯(lián)設計指南，拿下！
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。
2025-01-24
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第14講：工業(yè)用NX封裝全SiC功率模塊
三菱電機開發(fā)了工業(yè)應用的NX封裝全SiC功率模塊，采用低損耗SiC芯片和優(yōu)化的內(nèi)部結構，與現(xiàn)有的Si-IGBT模塊相比，顯著降低了功率損耗，同時器件內(nèi)部雜散電感降低約47%。
2025-01-24
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IGBT的并聯(lián)知識點梳理：靜態(tài)變化、動態(tài)變化、熱系數(shù)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。系統(tǒng)設計工程師需要了解這些，才能設計出可靠的系統(tǒng)。
2025-01-16
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功率器件熱設計基礎（十二）——功率半導體器件的PCB設計
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2025-01-14
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IGBT 模塊在頗具挑戰(zhàn)性的逆變器應用中提供更高能效
制造商和消費者都在試圖擺脫對化石燃料能源的依賴，電氣化方案也因此廣受青睞。這對于保護環(huán)境、限制污染以及減緩破壞性的全球變暖趨勢具有重要意義。電動汽車 (EV) 在全球日益普及，眾多企業(yè)紛紛入場，試圖將商用和農(nóng)業(yè)車輛 (CAV) 改造成由電力驅動。
2025-01-08
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柵極驅動器選得好，SiC MOSFET高效又安全
硅基MOSFET和IGBT過去一直在電力電子應用行業(yè)占據(jù)主導地位，這些應用包括不間斷電源、工業(yè)電機驅動、泵以及電動汽車（EV）等。然而，市場對更小型化產(chǎn)品的需求，以及設計人員面臨的提高電源能效的壓力，使得碳化硅（SiC）MOSFET成為這些應用中受歡迎的替代品。
2025-01-06
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功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-25
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功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-09
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安森美榮獲2024年亞洲金選車用電子解決方案供應商獎及年度最佳功率半導體獎
智能電源和智能感知技術的領導者安森美再次榮膺電子行業(yè)資深媒體集團ASPENCORE頒發(fā)的2024亞洲金選獎（EE Awards Asia)之車用電子解決方案供應商獎，彰顯其在車用領域的卓越表現(xiàn)和領先地位。同期，安森美第 7 代 1200V QDual3 IGBT功率模塊獲得年度最佳功率半導體獎，基于新的場截止第 7 代 (FS7) IGBT 技術帶來出色的效能表現(xiàn)獲得業(yè)界肯定。
2024-12-06
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功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容
功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。
2024-12-06
- 【明天見】IIC Shanghai 2025：同期峰會論壇展商名單全攻略
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