有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法(1)
發(fā)布時(shí)間:2021-07-02 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】曾有人問(wèn),是否可以用下面的公式計(jì)算電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗。乍一看貌似沒(méi)問(wèn)題,但實(shí)際上是不正確的。“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯(cuò),但“流過(guò)電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電機(jī)的功耗,因此,正確的做法是應(yīng)先求出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的輸出功耗,再加上IC電路的功耗。
本文將探討電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗。
曾有人問(wèn),是否可以用下面的公式計(jì)算電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗。
(IC電路電流+流過(guò)電機(jī)的電流)×電源電壓
乍一看貌似沒(méi)問(wèn)題,但實(shí)際上是不正確的。“IC電路電流×電源電壓”雖然不錯(cuò),但“流過(guò)電機(jī)的電流×電源電壓”中卻含有電機(jī)的功耗,因此,正確的做法是應(yīng)先求出電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的輸出功耗,再加上IC電路的功耗。
輸出功耗通過(guò)“損耗電壓×輸出電流”來(lái)計(jì)算。后續(xù)會(huì)介紹在電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC輸出段的H橋電路中的計(jì)算方法,在這里為了便于理解,給出了線性穩(wěn)壓器IC的功耗計(jì)算公式作為簡(jiǎn)單示例。
線性穩(wěn)壓器IC的功耗=自身功耗(Vin×Iin)+輸入輸出電壓差(Vin-Vout)×輸出電流(IO)
在該公式中,Iin是技術(shù)規(guī)格書(shū)中被稱為“Icc”或“Iq”等的電流,是從Vin引腳流到IC內(nèi)部的輸出穩(wěn)壓控制電路并被消耗的電流。下一項(xiàng)“輸入輸出電壓差×輸出電流”是輸出損耗(消耗)功率。
例如,在運(yùn)算放大器IC的輸出電流未達(dá)到毫安級(jí)別的情況下,即使通過(guò)“電源電壓×電源電流”來(lái)計(jì)算,也不會(huì)對(duì)其誤差產(chǎn)生很大的影響,但對(duì)于電源IC或電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC這類需要供應(yīng)較大輸出電流的IC來(lái)說(shuō),如果按照“電源電壓×輸出電流”來(lái)計(jì)算,則會(huì)產(chǎn)生很大誤差。
這樣的說(shuō)明雖然貌似有些繞彎,但是電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗計(jì)算也是相同的思路。
有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功耗計(jì)算方法
下面將以有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC為例來(lái)說(shuō)明功耗計(jì)算公式。有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的典型驅(qū)動(dòng)方法包括恒壓驅(qū)動(dòng)和PWM驅(qū)動(dòng),因此先來(lái)介紹恒壓驅(qū)動(dòng)。
①恒壓驅(qū)動(dòng)時(shí)的功耗計(jì)算
恒壓驅(qū)動(dòng)的情況下,有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的功耗Pc基本上可以通過(guò)以下公式求得:
Pc=小信號(hào)部電路電流×電源電壓+流過(guò)電機(jī)的電流×(高邊輸出間的電壓+低邊輸出間的電壓)
下圖是表示功耗發(fā)生在哪部分以及功耗的產(chǎn)生機(jī)制示意圖。
標(biāo)為“小信號(hào)部”的部分是有刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器IC的控制電路,設(shè)這部分的電路電流為Icc、電源電壓為Vcc、流過(guò)電機(jī)的電流為IO。此外,Q1~Q4的MOSFET在輸出段的H橋電路中。
小信號(hào)部電路的功耗可以簡(jiǎn)單地通過(guò)Icc×Vcc來(lái)計(jì)算。
H橋部分是高邊Q1和低邊Q4導(dǎo)通,IO從Vcc經(jīng)由Q1流向電機(jī),并經(jīng)由Q4流向GND。需要求此時(shí)的H橋的功耗(損耗)。MOSFET的導(dǎo)通狀態(tài)可以等效地視為電阻器,其阻值為MOSFET的導(dǎo)通電阻Ron。假設(shè)高邊Q1的導(dǎo)通電阻為RonH、低邊Q4的導(dǎo)通電阻為RonL,則各輸出之間的電壓可用以下公式來(lái)表示。
高邊輸出間的電壓VH=IO×RonH
低邊輸出間的電壓VL=IO×RonL
由此,即可通過(guò)以下公式來(lái)計(jì)算功耗Pc。
Pc=Icc×Vcc+I(xiàn)o×(VH+VL)=Icc×Vcc+I(xiàn)O2×(RonH+RonL)
雖然測(cè)量實(shí)際VH和VL的方法很實(shí)用,但是由于MOSFET的Ron已在技術(shù)規(guī)格書(shū)中給出,因此使用最大值來(lái)計(jì)算即可預(yù)估最差的情況。
未完待續(xù)
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