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電容電壓分隔器
電容器像電阻一樣反對(duì)電流流動(dòng)，但與電阻器以熱的形式消散其不必要的能量，當(dāng)電荷充電和釋放時(shí)，電容器將能量存儲(chǔ)在其板上，或者在放電時(shí)將能量歸還到連接的電路中。
2025-02-24
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JFET 共源共柵提高了電流源性能
許多過程控制傳感器，例如熱敏電阻和應(yīng)變計(jì)電橋，都需要的偏置電流。通過添加單個(gè)電流設(shè)置電阻器 R 1，您可以配置電壓參考電路 IC 1 以產(chǎn)生恒定且的電流源（圖 1 ）。然而，信號(hào)源的誤差取決于 R 1 和 IC 1的精度 ，并影響測(cè)量精度和分辨率。盡管您可以指定精度超過常用電壓基準(zhǔn) IC 精度的高精度電阻，但基準(zhǔn)電壓源的誤差決定了該電流源的精度。盡管制造商限度地降低了電壓基準(zhǔn)的溫度敏感性和輸出電壓誤差，但對(duì)電源變化的敏感性可能會(huì)影響其精度，特別是在必須在較寬電源電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的過程控制應(yīng)用中。
2024-12-31
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對(duì)比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設(shè)計(jì)分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有很多，而且經(jīng)常爭論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運(yùn)算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶有外部 RG 的精密 IA。
2024-12-13
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干貨 使用分流電阻器測(cè)量電流
分流電阻器是一種插入電路中測(cè)量電流的精密元件。在使用靈敏表頭測(cè)量電流的電流表中，將分流電阻器與表頭并聯(lián)，就可以將部分電流從表頭中“分流”出去。如今，一般通過將電阻器插入電路來進(jìn)行“分流”，電阻器會(huì)相應(yīng)地小幅降低電路中的電流電壓。然后可以使用電壓表或示波器測(cè)量該電壓降，并利用歐姆定律將測(cè)得的電壓除以電阻值，即可計(jì)算得出流經(jīng)電路的電流。
2024-12-09
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利用電容測(cè)試方法開創(chuàng)鍵合線檢測(cè)新天地
鍵合線廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和微電子領(lǐng)域。它能夠?qū)⒓呻娐罚↖C）中的裸片與其他電子元器件（如晶體管和電阻器）進(jìn)行連接。鍵合線可在芯片的鍵合焊盤與封裝基板或另一塊芯片的相應(yīng)焊盤之間建立電氣連接。
2024-10-17
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第4講：SiC的物理特性
SiC作為半導(dǎo)體功率器件材料，具有許多優(yōu)異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對(duì)比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度，可實(shí)現(xiàn)高耐壓。與另一種寬禁帶半導(dǎo)體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導(dǎo)通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優(yōu)勢(shì)。此外，由于GaN是直接躍遷型半導(dǎo)體，少數(shù)載流子壽命較短，因此通過電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)來實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻器件的效果并不理想。
2024-09-11
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開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：檢測(cè)電阻器違規(guī)
本文是系列文章中的第二篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的反饋級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注檢測(cè)電阻器(RSENSE)元件。RSENSE對(duì)于確保反饋網(wǎng)絡(luò)（負(fù)責(zé)維持輸出電壓）接收來自電感電流的準(zhǔn)確信號(hào)而言至關(guān)重要。失真的信號(hào)可能會(huì)使電感紋波看起來比實(shí)際更大或更小，從而導(dǎo)致反饋網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)意外行為。
2024-09-10
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電流測(cè)量分流電阻
大多數(shù)電流表都內(nèi)置電阻器來測(cè)量電流。但是，當(dāng)電流對(duì)于電流表來說太高時(shí)，需要不同的設(shè)置。解決方案是將電流表與的分流電阻器并聯(lián)。有時(shí)用于此類電阻器的另一個(gè)術(shù)語是電流表分流器。
2024-07-26
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如何計(jì)算放大器的輸入電阻（通俗易懂）
單片差分放大器是集成電路，包含一個(gè)運(yùn)算放大器（運(yùn)放）以及不少于四個(gè)采用相同封裝的精密電阻器。對(duì)需要將差分信號(hào)轉(zhuǎn)換成單端信號(hào)同時(shí)抑制共模信號(hào)的模擬設(shè)計(jì)人員而言，它們是非常有用的構(gòu)建塊。例如，圖1所示的INA134目的是用作適合差分音頻接口的線路接收器。
2024-04-15
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發(fā)光二極管中的電阻器
當(dāng)電流通過時(shí)，LED（發(fā)光二極管）就會(huì)發(fā)光。為 LED 供電的簡單電路是一個(gè)帶有串聯(lián)電阻和 LED 的電壓源。這種電阻器通常稱為鎮(zhèn)流電阻器。鎮(zhèn)流電阻用于限制通過 LED 的電流并防止電流過大而燒壞 LED。如果電壓源等于 LED 的壓降，則不需要電阻。LED 還可采用集成封裝，并配有用于 LED 操作的正確電阻器。
2024-03-11
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使用分流電阻器增強(qiáng)電流感應(yīng)以提高效率
電力電子集成系統(tǒng)帶來了許多優(yōu)勢(shì)，例如提高效率、增強(qiáng)可靠性以及簡化設(shè)計(jì)和組裝。隨著各行業(yè)快速電氣化，對(duì)集成系統(tǒng)和模塊的需求不斷增加。碳化硅和氮化鎵晶體管（稱為寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體）等先進(jìn)功率半導(dǎo)體器件的出現(xiàn)，進(jìn)一步推動(dòng)了對(duì)集成解決方案的需求，以實(shí)現(xiàn)性能和成本效益。
2023-11-13
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)。
2023-10-25
- 權(quán)威認(rèn)證！貿(mào)澤電子斬獲Amphenol SV Microwave全球代理商年度大獎(jiǎng)
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