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如何設計可靠性更高、尺寸更小、成本更低的高電壓系統(tǒng)解決方案
工廠自動化設備、電網(wǎng)基礎設施應用、電機驅(qū)動器和電動汽車 (EV) 等高電壓工業(yè)和汽車系統(tǒng)能夠產(chǎn)生數(shù)百至數(shù)千伏的電壓，這不僅會縮短設備壽命，甚至會給人身安全帶來重大風險。本文介紹如何利用全新隔離技術來保證這些高電壓系統(tǒng)的安全，從而提高可靠性，同時縮小解決方案尺寸并降低成本。
2022-07-06
高電壓系統(tǒng) 解決方案 TI
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分立式CoolSiC MOSFET的寄生導通行為研究
米勒電容引起的寄生導通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應，硬開關逆變器通常采用負柵極電壓關斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？
2022-07-06
CoolSiC MOSFET 寄生導通
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從負供電軌生成正電壓，這種簡單高效且組件少的電路你要知道
有時候您需要正電源，但大部分可用的供電軌（或僅有的可用供電軌）提供的都是負電源。事實上，負到正電壓轉(zhuǎn)換已用于汽車電子，以及各種音頻放大器、工業(yè)和測試設備的偏置電路中。雖然在許多系統(tǒng)中是電源通過相對于地的負供電軌分配，但這些系統(tǒng)中的邏輯板、ADC、DAC、傳感器和類似器件仍然需要一個...
2022-07-05
負供電軌 正電壓 ADI
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用于汽車負載應用的上橋SmartFET驅(qū)動器
上橋SmartFET因其易于使用和高水平的保護而越來越受歡迎。與標準MOSFET一樣，SmartFET非常適合各種汽車應用。它們的區(qū)別在于內(nèi)置在上橋SmartFET器件中的控制電路?？刂齐娐烦掷m(xù)監(jiān)控輸出電流和器件溫度，同時針對電壓瞬變和其他意外應用條件提供被動保護。這種主動和被動保護功能的結合確保了穩(wěn)定可...
2022-07-04
汽車負載 SmartFET 驅(qū)動器
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IQE宣布與Lumentum達成長期戰(zhàn)略供應協(xié)議
IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡稱“IQE”或“集團”），全球領先的化合物半導體晶圓產(chǎn)品和先進材料解決方案供應商，近日宣布與 Lumentum 簽署一項長期協(xié)議，為其提供支持 3D 傳感、汽車激光雷達 (LiDAR) 和光網(wǎng)絡應用的外延片。
2022-07-01
IQE Lumentum 晶圓
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車載以太網(wǎng)100Base-T1ESD器件保護方案
隨著汽車的數(shù)字電子化、自動駕駛系統(tǒng)的需求，傳統(tǒng)的CAN、LIN汽車通訊協(xié)議已經(jīng)不能滿足汽車的信號傳輸數(shù)據(jù)需求，以太網(wǎng)正是其中一個比較理想的改進方案;它能同時適用于域控制(Domain Control)和區(qū)塊控制(Zonal Control)。
2022-07-01
車載以太網(wǎng) ESD器件 方案
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為ADAS設計更好的高電流開關電源！
在如今的車輛之中，高級駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)的重要性與日俱增。它們可以幫助盡可能減少人為操作錯誤，提升駕駛員和道路安全。早期的ADAS只包含單個自動駕駛員輔助功能，例如使用一個雷達傳感器的自適應巡航控制功能?，F(xiàn)在，越來越多的ADAS功能被應用到汽車上，例如自動緊急停車、盲點監(jiān)測、車輛/行...
2022-07-01
ADAS設計 開關電源
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SiC FET的起源及其向著完美開關發(fā)展的歷程
使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現(xiàn)更高的功率轉(zhuǎn)換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術進行了比較。
2022-07-01
SiC FET 起源 UnitedSiC
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英飛凌絕緣體上硅(SOI)高壓驅(qū)動芯片的三個優(yōu)勢
現(xiàn)在的高功率變頻器和驅(qū)動器承載更大的負載電流。如下圖1 所示：由于功率回路里的寄生電感（主要由功率器件的封裝引線和PCB的走線產(chǎn)生的），電路中VS腳的電壓會從高壓母線電壓（S1通S2關時）變化到低于地的負壓（S1關閉時）。圖一右邊波形中的紅色部分就是VS腳在半橋感性負載電路中產(chǎn)生的瞬態(tài)負電壓。
2022-06-28
英飛凌 SOI 驅(qū)動芯片
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