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物聯(lián)網(wǎng)中的幾大關(guān)鍵無線通信技術(shù)，你更看好誰
物聯(lián)網(wǎng)（IoT）這個(gè)概念于1999年首次出現(xiàn)，它描述了一種使用互聯(lián)網(wǎng)來改善人類生活的智能設(shè)備網(wǎng)絡(luò)。比如一輛裝配有各種傳感器的汽車，當(dāng)輪胎壓力不足時(shí)，傳感器就會(huì)向你的手機(jī)發(fā)出提醒。除了運(yùn)用大量的傳感器，物聯(lián)網(wǎng)還是各種無線互連技術(shù)的競技場，蜂窩、Wi-Fi、BLE、NB-IoT、LTE-M、LoRa、Zigbee、N...
2023-02-15
Wi-Fi LoRa 無線通信技術(shù)
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貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的全新醫(yī)療技術(shù)資源網(wǎng)站
知名新品引入(NPI) 分銷商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 推出了一個(gè)專門針對(duì)醫(yī)療行業(yè)的前沿資源網(wǎng)站，包含大量先進(jìn)的產(chǎn)品、文章、設(shè)計(jì)指南等。在全球制造商合作伙伴的支持下，貿(mào)澤廣泛的資源組合能夠幫助電子設(shè)計(jì)工程師和采購人員快速高效地找到所需的工具、信息和材料。
2023-02-14
貿(mào)澤電子 醫(yī)療技術(shù)
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分區(qū)存儲(chǔ)助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備
目前應(yīng)用在移動(dòng)終端的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備（這里主要指UFS/eMMC等，以下統(tǒng)稱“嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備”）中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲(chǔ)密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化，比如一些數(shù)據(jù)中心（讀密集型應(yīng)用）已經(jīng)在部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來更低的成本，作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備，未來引入QLC也是勢(shì)在必...
2023-02-14
分區(qū)存儲(chǔ) QLC應(yīng)用 嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備
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對(duì)照一下，你了解幾種電阻？
電阻的成分屬性描述了制造電阻本身的材料，而不是安裝電阻的外部封裝材料或基板。不同的成分意味著結(jié)構(gòu)上存在一些差異，并導(dǎo)致有不同特征，使某些類型更適合某些應(yīng)用，又或不適用于某些環(huán)境。
2023-02-14
電阻
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貿(mào)澤電子聯(lián)手Qorvo推出全新電子書探索汽車設(shè)計(jì)的未來
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo聯(lián)手推出全新電子書《The Future of Automotive》（汽車的未來），探索正在重塑汽車設(shè)計(jì)的技術(shù)創(chuàng)新。書中，來自貿(mào)澤和Qorvo的主題專家對(duì)車聯(lián)網(wǎng) (V2X) 架構(gòu)、超寬帶 (UWB) 通信和電動(dòng)汽車車...
2023-02-13
貿(mào)澤電子 Qorvo 汽車設(shè)計(jì)
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如何輕松完成剛?cè)峤Y(jié)合 PCB 彎曲的電磁分析？
對(duì)于使用剛?cè)峤Y(jié)合 PCB 的系統(tǒng)，確保功能性、安全性和有效性是重中之重，尤其是用于先進(jìn)醫(yī)療植入物、高精度關(guān)鍵軍事設(shè)備以及類似受監(jiān)管機(jī)密設(shè)備的系統(tǒng)。為此，一定要對(duì)它們進(jìn)行全面詳盡的仿真。Footprint 尺寸較小的系統(tǒng)必須具有很高的封裝密度，才能容得下各種器件。
2023-02-10
PCB 電磁分析
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IOTE 上海物聯(lián)網(wǎng)展邀請(qǐng)函
IOTE 2023 第十九屆國際物聯(lián)網(wǎng)展·上海站（簡稱：IOTE上海物聯(lián)網(wǎng)展），2023年5月17-19日將在上海世博展覽館 3號(hào)館開展，匯聚全球超350+家參展企業(yè)、5萬+來自工業(yè)、物流、基礎(chǔ)建設(shè)、智慧城市、智慧零售領(lǐng)域的專業(yè)集成商、終端用戶參觀展會(huì)。
2023-02-10
健康IoT產(chǎn)品 可穿戴設(shè)備 掃地機(jī)器人 智能音箱 智能門鎖
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MOS管開通過程的米勒效應(yīng)及應(yīng)對(duì)措施
在現(xiàn)在使用的MOS和IGBT等開關(guān)電源應(yīng)用中，所需要面對(duì)一個(gè)常見的問題 — 米勒效應(yīng)，本文將主要介紹MOS管在開通過程中米勒效應(yīng)的成因、表現(xiàn)、危害及應(yīng)對(duì)方法。
2023-02-10
MOS管 米勒效應(yīng)
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異構(gòu)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值
隨著高性能半導(dǎo)體需求的不斷增加，半導(dǎo)體市場越來越意識(shí)到“封裝工藝”的重要性。 順應(yīng)發(fā)展潮流，SK海力士為了量產(chǎn)基于HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）的先進(jìn)封裝產(chǎn)品和開發(fā)下一代封裝技術(shù)，盡力確保生產(chǎn)線投資與資源。一些曾經(jīng)專注于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造技術(shù)的企業(yè)也紛紛布局封裝技術(shù)領(lǐng)域，...
2023-02-10
異構(gòu)集成 半導(dǎo)體封裝技術(shù)
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