要實(shí)現(xiàn)“十一五”規(guī)劃中提出的“單位國內(nèi)生產(chǎn)總值能源消耗比‘十五’期末降低20%左右”的目標(biāo)，關(guān)鍵是要有效降低工業(yè)生產(chǎn)過程中那些大電流和高電壓應(yīng)用的功耗，如交流電機(jī)控制、逆變器、繼電器、開關(guān)電源、變頻器、工業(yè)傳動裝置、機(jī)車與列車用電源以及供暖系統(tǒng)傳動裝置等工業(yè)自動化應(yīng)用的能耗。
所有這些交流控制應(yīng)用都需要能夠產(chǎn)生大電流和高電壓的核心功率器件，作為新型電力電子器件的代表，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)越來越受到業(yè)界的重視。
IGBT結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù)，將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗較大、熱穩(wěn)定性好、驅(qū)動電路簡單、低飽和電壓及大電流等特性，被作為功率器件廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子系統(tǒng)等領(lǐng)域(例如：伺服電機(jī)的調(diào)速、變頻電源)。為使我們設(shè)計(jì)的系統(tǒng)能夠更安全、更可靠的工作，對IGBT的保護(hù)顯得尤為重要。
1. 集電極過電壓、過電流防護(hù)
以IGBT變頻調(diào)速電源主電路為例(圖1)。
圖1:傳統(tǒng)保護(hù)模式
在集電極和發(fā)射極之間并接RC濾波電路，可有效地抑制關(guān)斷過電壓和開關(guān)損耗。但在實(shí)際應(yīng)用中，由于DC電源前端的浪涌突波會使集電極過電壓，并使RC濾波電路部分的抑制效果生效，IGBT通常都會被擊穿或者短路。另外，在電機(jī)起動時，由于起動時的大電流，在主線路中分布的電感亦會造成較大程度的感應(yīng)過電壓，使IGBT損壞。同時，電機(jī)勵磁造成的感應(yīng)電動勢，對電路的破壞也相當(dāng)?shù)卮?-工程師們經(jīng)常沒有考慮到這一點(diǎn)。
針對上述情況，浪涌突波部分可以用防雷電路進(jìn)行防護(hù)(圖2)。瞬雷電子開發(fā)的藍(lán)寶寶浪涌抑制器(BPSS)，在雷擊方面既具有極大的過電流能力，又具有極低的殘壓。同時，針對電機(jī)部分，參照ISO7637的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，該產(chǎn)品完全可以使用。而使用其他器件則不能同時達(dá)到上述兩種情況。具體問題有：壓敏電阻在ISO7637的長波(P5A)中容易失效，并且不宜長期使用;陶瓷放電管不能直接用于有源電路中，常因續(xù)流問題導(dǎo)致電路短路，并且抑制電壓過高。
圖2 新型電路保護(hù)模式
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2.柵極過電壓、過電流防護(hù)
傳統(tǒng)保護(hù)模式：防護(hù)方案防止柵極電荷積累及柵源電壓出現(xiàn)尖峰損壞IGBT--可在G極和E極之間設(shè)置一些保護(hù)元件，如下圖的電阻RGE的作用，是使柵極積累電荷泄放(其阻值可取5kΩ);兩個反向串聯(lián)的穩(wěn)壓二極管V1和V2,是為了防止柵源電壓尖峰損壞IGBT.另外，還有實(shí)現(xiàn)控制電路部分與被驅(qū)動的IGBT之間的隔離設(shè)計(jì)，以及設(shè)計(jì)適合柵極的驅(qū)動脈沖電路等。然而即使這樣，在實(shí)際使用的工業(yè)環(huán)境中，以上方案仍然具有比較高的產(chǎn)品失效率--有時甚至?xí)?%.相關(guān)的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)和研究表明：這和瞬態(tài)浪涌、靜電及高頻電子干擾有著緊密的關(guān)系，而穩(wěn)壓管在此的響應(yīng)時間和耐電流能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)不足，從而導(dǎo)致IGBT過熱而損壞。
新型保護(hù)模式：將傳統(tǒng)的穩(wěn)壓管改為新型的瞬態(tài)抑制二極管(TVS)。一般柵極驅(qū)動電壓約為15V,可以選型SMBJ15CA.該產(chǎn)品可以通過IEC61000-4-5浪涌測試10/700US 6kV.
TVS反應(yīng)速度極快(達(dá)PS級)，通流能力遠(yuǎn)超 穩(wěn)壓二極管(可達(dá)上千安培)，同時，TVS對靜電具有非常好的抑制效果。該產(chǎn)品可以通過 IEC61000-4-2接觸放電8kV和空氣放電15kV的放電測試。
將傳統(tǒng)電阻RG變更為正溫度系數(shù)(PPTC)保險絲。它既具有電阻的效果，又對溫度比較敏感。當(dāng)內(nèi)部電流增加時，其阻抗也在增加，從而對過流具有非常好的抑制效果。
圖3:傳統(tǒng)保護(hù)模式和新型保護(hù)模式電路對比
IGBT失效場合
來自系統(tǒng)內(nèi)部，如電力系統(tǒng)分布的雜散電感、電機(jī)感應(yīng)電動勢、負(fù)載突變都會引起過電壓和過電流;來自系統(tǒng)外部，如電網(wǎng)波動、電力線感應(yīng)、浪涌等。歸根結(jié)底，IGBT失效主要是由集電極和發(fā)射極的過壓/過流和柵極的過壓/過流引起。
IGBT失效機(jī)理
IGBT由于上述原因發(fā)生短路，將產(chǎn)生很大的瞬態(tài)電流--在關(guān)斷時電流變化率di/dt過大。漏感及引線電感的存在，將導(dǎo)致IGBT集電極過電壓，而在器件內(nèi)部產(chǎn)生擎住效應(yīng)，使IGBT鎖定失效。同時，較高的過電壓會使IGBT擊穿。IGBT由于上述原因進(jìn)入放大區(qū)， 使管子開關(guān)損耗增大。
IGBT傳統(tǒng)防失效機(jī)理
盡量減少主電路的布線電感量和電容量，以此來減小關(guān)斷過電壓;在集電極和發(fā)射極之間，放置續(xù)流二極管，并接RC電路和RCD電路等;在柵極，根據(jù)電路容量合理選擇串接阻抗，并接穩(wěn)壓二極管防止柵極過電壓。
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