【導讀】傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測量微小電阻一般也要用到恒流源。恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源，包括運放、穩(wěn)壓芯片、三極管、MOS管等。下面以運放和電壓調(diào)節(jié)器為例來構(gòu)成恒流源。

傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測量微小電阻一般也要用到恒流源。恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源，包括運放、穩(wěn)壓芯片、三極管、MOS管等。下面以運放和電壓調(diào)節(jié)器為例來構(gòu)成恒流源。

一. 圖一所示的V/I轉(zhuǎn)換電路中，對采樣電阻Rs左側(cè)電壓Uo1執(zhí)行負反饋，右側(cè)電壓Ua跟隨到同相輸入端，以維持Rs兩端電壓恒定。對運放A1而言，是局部負反饋電路，仍滿足虛短條件，屬同相加法器電路，可進行如下推導運算。

Up1為Ui和Uo2在同相端P1處的疊加，即Up1=0.5Ui+0.5Uo2 ;

Uo1=2Up1=Ui+Uo2 ,

Uo1-Uo2=Ui，其中的Uo2=Ua,

即Uo1-Ua=Ui ，可見Rs兩端的電壓為Ui;因Ip2=0 ,流過負載的電流IL=Io=Ui/Rs，負載上的電流與電壓成正比例函數(shù)關系，轉(zhuǎn)換系數(shù)是1/Rs ，當Rs=500歐時，IL=0.002Ui 例如，若Ui=0~10V,則lL=0~20mA。如果Ui由精密的基準源Vref給定，Rs采用低溫漂精密電阻，則負載將流過精確的恒定電流IL=Vref/Rs 。下面將利用TL431B產(chǎn)生的基準電壓，將圖一電路改成恒流源。

對照圖二右側(cè)的TL431內(nèi)部原理框圖，調(diào)整端R連接至內(nèi)部運放的同相輸入端，是虛斷的，IR=0 ,可知左圖中的I1=I2 ;當A點電壓超過2.495V時，內(nèi)部三極管T就會導通進行電壓調(diào)節(jié)，多余電壓加在R0上，使A點電壓維持在2.495V,根據(jù)I1=I2方程，可得：（Vout-2.495)/R1=2.495/R2即Vout=(1+R1/R2)*2.495 ;圖示輸出電壓可以在2.495~5V之間調(diào)節(jié)，下面用此基準電壓，結(jié)合圖一原理，來構(gòu)成一個可調(diào)恒流源，如圖三所示。

由圖一電路原理可知，負載電流IL=Vref/Rs ，由于Vref和Rs都是精確值，IL就是恒定值。為減小對基準源的影響，同時提高運放A1的運算精度，增加電壓跟隨器A0作隔離緩沖; Vref=2.5V~7.5V，取Rs=360歐，電流可恒定在7mA至20mA之間的一個值上；也可以保持Vref不變，將Rs用精密多圈電位器代替，通過改變Rs來調(diào)整恒流值。運放的輸出電流一般都比較小，需要輸出較大的恒定電流時，可以用三極管、達林頓管和MOSFET進行擴流，可以在圖三基礎上進行擴流，也可用圖四和圖五所示電路進行擴流。

圖四是由運放和三極管組成的V/I轉(zhuǎn)換電路，輸入信號Ui經(jīng)R1加至A1的同相端，T1發(fā)射極接有負反饋電阻Rp和RL，負反饋信號經(jīng)A2緩沖后，經(jīng)由電阻R3加到A1反相端；負載電阻RL為正反饋電阻，經(jīng)A3緩沖后，經(jīng)由電阻R4加至A1同相輸入端；

R1=R2 ,R3=R4，整體電路屬于電流串聯(lián)負反饋電路，具有比較好的恒流特性，設R1=R2=m ,R3=R4=n .根據(jù)疊加：

Up=n/(m+n)*Ui+m/(m+n)*Ub ;

Un=m/(m+n)*Ua

由Up=Un，得Ua-Ub=n/m*Ui

而Ua-Ub=Io*Rp,得Io=n/(mRp)*Ui;

按圖四參數(shù)，如取Rp=500歐，則Io=4Ui ；Ui=1~5V ，則Io=4~20mA ?？梢钥闯觯敵鲭娏鱅o與輸入電壓成正比例函數(shù)關系，改變Rp可以調(diào)整轉(zhuǎn)換系數(shù)。

將Ui用基準源提供，Rp用采樣電阻代替，選合適功率的三極管，即可得到需要的恒流源。如圖五所示，將R1~R4取相同的值，則有：

Io=Vref/Rs ，采樣電阻Rs取不同的定值，即可得到不同大小的恒流源，但應注意Io(RL+Rs)應小于電源電壓，并根據(jù)電流大小確定三極管和采樣電阻Rs的功率參數(shù)。

二. 恒流源也可由穩(wěn)壓芯片構(gòu)成，由可調(diào)穩(wěn)壓芯片LM317構(gòu)成的恒流源如圖六所示。

圖六右側(cè)為LM317構(gòu)成電流源時的內(nèi)部原理框圖，內(nèi)部運放A構(gòu)成負反饋。

Up=1.25V+(Iadj+Is)RL ;

Un=IsRs+(Is+Iadj)RL ;

由Un=Up ，得Is=1.25/Rs ;

負載上電流：Io=Is+Iadj ，其中Iadj僅50微安左右，且很穩(wěn)定，變化量只有0.2~5uA,可以認為輸出電流Io是恒定的，近似計算時忽略Iadj,

Io=Is=1.25/Rs ；Rs為LM317輸出端和調(diào)整端之間連接的取樣電阻。

LM317內(nèi)部電路需要足夠的壓差才能正常工作，要求最小輸出電流應在5mA以上; 當需要10～100mA的恒流源時，選用TO-92封裝的小功率LM317L，對應的電路圖如圖六左側(cè)所示；當需要使用100mA~1A的恒流源時，可用TO-220封裝的LM317 。最大恒流值除與LM317自身額定電流有關外，還與輸入和輸出的壓差有很大關系，電流比較大時，輸入電壓不要選太高。

圖七中的LM317LZ構(gòu)成了15mA的恒流源，用于驅(qū)動雙向可控硅型光耦，可以適應3.3V～24VDC的驅(qū)動電壓，電壓雖變，驅(qū)動效果不變。

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