【導(dǎo)讀】在日常的電源設(shè)計(jì)中，半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件的雪崩能力、V_DS電壓降額設(shè)計(jì)是工程師不得不面對(duì)的問(wèn)題，本文旨在分析半導(dǎo)體器件擊穿原理、失效機(jī)制，以及在設(shè)計(jì)應(yīng)用中注意事項(xiàng)。

一、半導(dǎo)體器件擊穿原理

PN結(jié)I-V曲線如圖[1]所示：

●  PN結(jié)正向?qū)ǎ聪蚪刂梗?/p>

●  反向電壓超過(guò)一定限值V_BR，器件發(fā)生電擊穿；

●  正向?qū)〞r(shí)，電流超過(guò)一定限值（圖示綠色區(qū)域之外），器件發(fā)生熱燒毀。

圖[1]：PN結(jié)I-V曲線

PN結(jié)的擊穿原理分為：電擊穿和熱擊穿（二次擊穿）。

1）電擊穿

電擊穿：指強(qiáng)電場(chǎng)導(dǎo)致器件的擊穿，過(guò)程通常是可逆的。當(dāng)電壓消失，器件電學(xué)特性恢復(fù)。電擊穿又分為：

a）雪崩倍增效應(yīng)

雪崩倍增效應(yīng)：（通常指電壓>6V時(shí)發(fā)生，）原理如下：

圖[2]：PN結(jié)反偏示意圖

如圖[2]所示：在PN結(jié)兩端加反向電壓，隨著反向電壓增加，PN結(jié)耗盡區(qū)反向電場(chǎng)增加，耗盡區(qū)中電子（或者空穴）從電場(chǎng)中獲得的能量增加。當(dāng)電子（或者空穴）與晶格發(fā)生碰撞時(shí)傳遞給晶格的能量高于禁帶寬度能量（E_g），迫使被碰撞的價(jià)帶電子躍遷到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生一堆新的電子空穴對(duì)，該過(guò)程叫做碰撞電離；課本里把一個(gè)自由電子（或者空穴）在單位距離內(nèi)通過(guò)碰撞電離產(chǎn)生的新的電子空穴對(duì)的數(shù)目稱為電子（或者空穴）的碰撞電離率，表示為α_in(or α_ip)。

當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)增加到一定程度，碰撞電離激發(fā)出的新電子-空穴對(duì)，即“二次載流子”，又可能繼續(xù)產(chǎn)生新的載流子，這個(gè)過(guò)程將不斷進(jìn)行下去，稱為雪崩倍增。如果由于雪崩倍增效應(yīng)導(dǎo)致流出PN結(jié)的電流趨于無(wú)窮大，則發(fā)生了所謂的雪崩擊穿，該過(guò)程簡(jiǎn)單示意如圖[3]所示。

圖[3]：雪崩擊穿示意圖

發(fā)生雪崩擊穿的條件是：

其物理意義是碰撞電離率在整個(gè)耗盡區(qū)積分趨于1。由于α_i隨電場(chǎng)的變化強(qiáng)相關(guān)（如圖[4]所示），因此可以近似的認(rèn)為當(dāng)耗盡區(qū)最大電場(chǎng)E_MAX達(dá)到某臨界電場(chǎng)E_c時(shí)，即發(fā)生雪崩擊穿。E_c與結(jié)的形式和摻雜濃度有一定關(guān)聯(lián)，硅PN結(jié)典型值為E_c = 2×10⁵ V/cm。

圖[4]：電場(chǎng)的強(qiáng)相關(guān)函數(shù)圖

為了更好地理解PN結(jié)電場(chǎng)強(qiáng)度E_c隨耗盡區(qū)X_D的關(guān)系，我們?cè)谶@里簡(jiǎn)單討論下泊松方程：在一維情況下（PN結(jié)/BJT）泊松方程的表達(dá)形式為：

等式右邊第一項(xiàng)“q”為電荷量，介電常數(shù)“ε_s”為電通量密度與電場(chǎng)的映射關(guān)系，括號(hào)內(nèi)表示自由離子的加和。從直觀來(lái)看，該式反映電場(chǎng)（或者電通量密度，兩者從某種角度上可以理解為反映著同一種東西）的源是電荷，如果是記公式：泊松方程表示的是，單位體積內(nèi)對(duì)電通量密度（電位移）求散度，結(jié)果為體積內(nèi)的電荷。除了從電磁學(xué)理論出發(fā)的分析，該式從數(shù)學(xué)上也可以看成是：電場(chǎng)與位置的函數(shù)關(guān)系。通過(guò)解泊松方程，便可以得到隨著位置變化時(shí)，電場(chǎng)、電勢(shì)的變化情況。

接下來(lái)我們通過(guò)舉例來(lái)看擊穿電壓V_B與哪些因素相關(guān)：圖[5]所示為兩種摻雜濃度材料的E_c VS X_d曲線關(guān)系（其中，N1>N2）。

圖[5]不同摻雜濃度E_c VS X_d曲線關(guān)系

分析該圖可知：

1. 禁帶寬度E_g越大，則擊穿電壓V_B越高；比如Si (E_g=1.12 eV) VS SiC (E_g=3.23 eV)

2. 摻雜濃度越低，V_B越高；

3. 擊穿電壓主要取決于低摻雜一側(cè)，該側(cè)的雜質(zhì)濃度越低，則V_B越高。

除了上述方法可以提高擊穿電壓V_B，還可以通過(guò)增加電場(chǎng)維度，改變電場(chǎng)強(qiáng)度分布（如圖[6]、圖[7]所示）：比如英飛凌的CoolMOS^TM系列產(chǎn)品，通過(guò)在N-耗盡區(qū)摻入P柱結(jié)構(gòu)（引入橫向電場(chǎng)分布），大幅提高V_B。這里不再贅述其機(jī)理，感興趣的讀者可在英飛凌官網(wǎng)查閱相關(guān)文獻(xiàn)資料。

圖[6]SJ MOSFET剖面示意圖

圖[7]SJ MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)仿真示意圖

綜上所述，PN結(jié)的雪崩擊穿電壓V_BR還與PN結(jié)結(jié)溫（T_j）呈現(xiàn)正相關(guān)性（如圖[8]）：

圖[8]：IPL65R065CFD7 V_BR(DSS) VS T_j

其主要原因是：隨著溫度升高，晶格振動(dòng)加劇，價(jià)帶電子躍遷到導(dǎo)帶需要的能量E_g更高，因此需要更強(qiáng)的電場(chǎng)。

b）隧道效應(yīng)

隧道效應(yīng)又稱為齊納擊穿、隧道穿通，（一般發(fā)生在擊穿電壓V_B<4V時(shí)，）其原理如下：

圖[9] P⁺N⁺結(jié)電壓反偏示意圖

將兩塊重?fù)诫s的P⁺、N⁺半導(dǎo)體材料結(jié)合在一起，由于耗盡區(qū)兩側(cè)P⁺ 、N⁺載流子濃度更高，因此形成耗盡區(qū)寬度，較普通PN結(jié)更薄，耗盡區(qū)帶電離子濃度更高，內(nèi)建電場(chǎng)E_b更強(qiáng)。當(dāng)在PN結(jié)兩端加反向偏壓如圖[9]所示，該電壓產(chǎn)生的電場(chǎng)與內(nèi)建電場(chǎng)同向疊加，當(dāng)耗盡區(qū)電場(chǎng)強(qiáng)度＞300kV/cm時(shí)，電子空穴對(duì)在電場(chǎng)力的作用下掙脫原子核束縛，自由的穿過(guò)耗盡區(qū)，形成電流。顧名思義：叫做隧穿效應(yīng)，該過(guò)程微觀過(guò)程如圖[10]所示。當(dāng)PN結(jié)兩端反向電壓進(jìn)一步增加時(shí)，流過(guò)PN結(jié)電流增加，電壓基本保持不變。齊納二極管（穩(wěn)壓二極管）即是利用該效應(yīng)制作的一種穩(wěn)壓元器件。

圖[10] 隧穿效應(yīng)示意圖

由于隧穿效應(yīng)的導(dǎo)電離子是來(lái)自于掙脫原子核束縛的電子（或者空穴），因此，隨著溫度的升高，PN結(jié)內(nèi)部產(chǎn)生熱電子濃度增加，進(jìn)而導(dǎo)致?lián)舸╇妷篤_B降低，使得宏觀上擊穿電壓V_B呈現(xiàn)負(fù)溫度特性。該過(guò)程微觀示意如圖[11]。

圖[11] 隧穿效應(yīng)VS溫度示意圖

在這里簡(jiǎn)單的對(duì)兩種電壓擊穿做對(duì)比總結(jié)以方便讀者記憶：

2）熱擊穿（二次擊穿）

熱擊穿（二次擊穿）指器件由于過(guò)電壓、過(guò)電流導(dǎo)致的損壞，結(jié)果不可逆。通常情況下是先發(fā)生了電擊穿，產(chǎn)生的高壓大電流沒(méi)有得到及時(shí)控制，進(jìn)一步導(dǎo)致過(guò)熱使得器件發(fā)生燒毀。

二、設(shè)計(jì)應(yīng)用注意事項(xiàng)

通過(guò)以上分析，我們可以得出結(jié)論：對(duì)于硅材料的半導(dǎo)體功率器件（碳化硅材料器件由于其原理、結(jié)構(gòu)與硅材料相似，因此有著相似的物理規(guī)律，這里不再做分析，氮化鎵器件由于其器件結(jié)構(gòu)與傳統(tǒng)硅差別較大，因此不具備類似的規(guī)律，后續(xù)文章可以涉及，敬請(qǐng)關(guān)注），在驅(qū)動(dòng)電壓V_gs可控的情況下，主要失效模式兩種：

一種是：過(guò)電壓應(yīng)力導(dǎo)致器件發(fā)生雪崩，雪崩過(guò)程本身是可逆的，但如果由于雪崩行為沒(méi)有被及時(shí)控制，導(dǎo)致器件出現(xiàn)過(guò)熱，進(jìn)一步導(dǎo)致器件封裝燒毀、bonding材料或者結(jié)構(gòu)毀壞、甚至芯片半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)損壞，該過(guò)程不可逆。

第二種是：過(guò)電流應(yīng)力導(dǎo)致器件溫升超過(guò)其極限值，進(jìn)一步導(dǎo)致器件封裝燒毀、bonding材料或者結(jié)構(gòu)損壞、甚至芯片半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)破壞，該過(guò)程亦不可逆。

因此，我們?cè)谠O(shè)計(jì)使用半導(dǎo)體功率器件電路時(shí)，必須嚴(yán)格的遵照相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)（例如IPC9592B-2012），規(guī)范化降額設(shè)計(jì)，以保證產(chǎn)品在整個(gè)生命周期內(nèi)，半導(dǎo)體器件可以運(yùn)行在規(guī)格書(shū)的范圍內(nèi)，以顯著降低產(chǎn)品的失效率。更多的關(guān)于半導(dǎo)體器件雪崩設(shè)計(jì)應(yīng)用指南請(qǐng)參考英飛凌應(yīng)用筆記：AN_201611_PL11_002，本文不再贅述。

后記

隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)趨于白熱化，在半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)中，一個(gè)不爭(zhēng)的事實(shí)：對(duì)于相同的技術(shù)下，R_ds(on)越小，芯片尺寸越大，器件熱阻越小，抗雪崩能力越強(qiáng)。但是對(duì)于半導(dǎo)體器件來(lái)講，并不是芯片尺寸越大越好，更大的尺寸意味著更大的寄生參數(shù)，更大的開(kāi)關(guān)損耗，因此限制了電源朝著高頻高密的方向發(fā)展以進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本。因此，在設(shè)計(jì)器件過(guò)程中，需要綜合性的權(quán)衡各項(xiàng)參數(shù)，以設(shè)計(jì)出綜合能力更全面的產(chǎn)品。英飛凌公司作為全球功率器件的領(lǐng)頭羊，一直致力于設(shè)計(jì)更全面的產(chǎn)品以完成其“低碳化”的使命！

參考文獻(xiàn)：

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[2]. Avalanche Breakdown and Zener Breakdown Effect Explained – allaboutelectronics, YouTube

[3]. AN-1005 - 功率MOSFET 雪崩設(shè)計(jì)指南–Tim McDonald、Marco Soldano、Anthony Murray、Teodor Avram，國(guó)際整流器

[4]. AN_201611_PL11_002 – 雪崩相關(guān)重要事實(shí)，Infineon AG Technologies

[5]. 微納電子與智能制造– 張波，章文通，蒲松，喬明，李肇基

[6]. 微電子器件– 陳星弼，陳勇，劉繼芝，任敏， 北京：電子工業(yè)出版社

[7]. https://zhuanlan.zhihu.com/p/401288463

作者：熊康明，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部 主任工程師

          柯春山，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部 高級(jí)主任工程師

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