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電路保護(hù)

IC集成能讓相控陣技術(shù)發(fā)展到什么地步？

半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步推動了相控陣天線在整個(gè)行業(yè)的普及。早在幾年前，防務(wù)應(yīng)用中已經(jīng)開始出現(xiàn)從機(jī)械轉(zhuǎn)向天線到有源電子掃描天線 (AESA) 的轉(zhuǎn)變，但直到最近，才在衛(wèi)星通信和5G通信中取得快速發(fā)展。小型AESA具有多項(xiàng)優(yōu)勢，包括能夠快速轉(zhuǎn)向、生成多種輻射模式、具備更高的可靠性；但是，在IC技術(shù)取得重...

2020-12-08

IC集成相控陣技術(shù)

圣邦微電子同步降壓轉(zhuǎn)換器SGM61230，為抗擊極限過載而生

SGM61230是圣邦微電子推出的一顆輸入電壓4.5V至28V、連續(xù)輸出電流3A的同步降壓轉(zhuǎn)換器，包括兩個(gè)集成開關(guān)場效應(yīng)管、內(nèi)部回路補(bǔ)償和內(nèi)部5ms軟啟動，有效減少元件使用數(shù)量。跳頻模式用來實(shí)現(xiàn)最大化輕載效率和降低功率損耗；66mΩ高側(cè)N溝道MOSFET的逐周期電流限制功能可以保護(hù)過載條件下的轉(zhuǎn)換器，并通過...

2020-12-04

圣邦微同步降壓轉(zhuǎn)換器 SGM61230 極限過載

隔離式柵極驅(qū)動器的峰值電流

當(dāng)考慮使用何種柵極驅(qū)動器時(shí)，一個(gè)常見問題是：驅(qū)動器可以提供的峰值電流是多少？峰值電流是柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊中最重要的參數(shù)之一。此指標(biāo)一般被視為決定柵極驅(qū)動器驅(qū)動強(qiáng)度的終極因素。MOSFET/IGBT的導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)間與柵極驅(qū)動器可以提供的電流有關(guān)，但并不能說明全部問題。峰值電流一詞在業(yè)界使用...

2020-12-02

隔離式柵極驅(qū)動器峰值電流

用碳化硅MOSFET如何設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器？

電池供電的便攜設(shè)備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個(gè)趨勢還取決于高能量儲存技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。

2020-12-01

碳化硅MOSFET 雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IGBT模塊適用于整流電路嗎？

不用兩個(gè)整流橋。用一個(gè)即可，把2個(gè)18伏交流接到整流橋的交流輸入端，把變壓器抽頭0伏接地線（線路板的地線），整流橋直流輸出+ -端接電容器濾波，電容器2個(gè)串聯(lián)之后正極接整流橋正極+，電容器負(fù)極接整流橋負(fù)極-，2個(gè)串聯(lián)的電容器中間引出一根線接地線，也就是雙18伏交流的抽頭，這樣就可以在直流輸...

2020-11-26

雙電壓整流電路 IGBT模塊整流電路

在5G世界中將高精度時(shí)間分配給光網(wǎng)絡(luò)

移動運(yùn)營商正在LTE-Advanced網(wǎng)絡(luò)和5G網(wǎng)絡(luò)的部署領(lǐng)域大力投資，這將為蜂窩通信和連接帶來重大變革。不過，他們面臨著巨大的風(fēng)險(xiǎn)：通過這些網(wǎng)絡(luò)提供的高性能移動服務(wù)非常依賴于GPS和其他被稱為全球?qū)Ш叫l(wèi)星系統(tǒng)（GNSS）的其他類似區(qū)域性星座提供的精確時(shí)間，以便同步無線電、支持新應(yīng)用并最大程度地減...

2020-11-26

光網(wǎng)絡(luò) 5G

智能汽車對組件的設(shè)計(jì)都有哪些要求？

隨著汽車工業(yè)的不斷演變，車輛的智能化全球道路上不斷發(fā)展。從內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動到混合動力和全電動驅(qū)動的轉(zhuǎn)變需要越來越新、越來越復(fù)雜的組件，比如先進(jìn)駕駛員輔助系統(tǒng)中（如自動泊車，或在行駛中跟隨其他車輛的能力）的一系列應(yīng)用。如何靈活地為新興汽車系統(tǒng)開發(fā)解決方案是一個(gè)關(guān)鍵問題，因此，汽車制造...

2020-11-25

智能汽車組件設(shè)計(jì)

碳化硅功率模塊及電控的設(shè)計(jì)、測試與系統(tǒng)評估

碳化硅功率半導(dǎo)體近年來在能源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中正在成為一個(gè)熱門的話題：由于材料屬性，使得它具有比硅基半導(dǎo)體器件更高的最大結(jié)溫、更小的損耗，以及更小的材料熱阻系數(shù)等。

2020-11-25

碳化硅功率模塊電控設(shè)計(jì)

如何降低電路“熱回路”影響，實(shí)現(xiàn)低 EMI 高效電源器件設(shè)計(jì)

隨著電子元器件向小型化、輕量化、數(shù)字化和高密度集成化方向發(fā)展，靈敏度越來越高，為此國際組織提出了一系列技術(shù)規(guī)章，要求電子產(chǎn)品符合嚴(yán)格的磁化系數(shù)和發(fā)射準(zhǔn)則，即具有電磁兼容性EMC。本文以ADI器件為例，介紹如何通過控制電路熱回路以降低器件EMI并符合EMC標(biāo)準(zhǔn)的電路設(shè)計(jì)參考思路。

2020-11-24

熱回路 EMI 電源器件

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