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“自家中毒”如何解？村田帶來(lái)PMIC的雜波對(duì)策技術(shù)
擁有無(wú)線通信設(shè)備的便攜式終端上，出現(xiàn)因PMIC的雜波引起的系統(tǒng)內(nèi)EMC的問(wèn)題，因此雜波對(duì)策必不可少。本文中介紹了有關(guān)系統(tǒng)內(nèi)EMC的PMIC的雜波對(duì)策，以及使用雜波對(duì)策元器件時(shí)的注意事項(xiàng)及對(duì)策事例。
2013-07-20
EMC PMIC 雜波對(duì)策 雜波
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占板面積小巧的電路保護(hù)高性能替代方案
汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用中的電源系統(tǒng)常用的保護(hù)方案是使用一個(gè)串聯(lián)的鐵芯電感器和高值電解旁路電容器，并輔之以一個(gè)高功率瞬態(tài)電壓抑制器和熔絲。這種笨拙的方法占用了大量的電路板面積，本文介紹的用于負(fù)載保護(hù)和輸出保持的完整控制解決方案，其占板面積小巧，并免除了龐大笨重的組件和不希望有的電壓降。
2013-07-19
電路保護(hù) 保護(hù) LTC4364 二極管
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機(jī)頂盒常見(jiàn)接口的ESD保護(hù)設(shè)計(jì)
隨著機(jī)頂盒技術(shù)的發(fā)展，如今的機(jī)頂盒在數(shù)據(jù)支持上能完成諸多高清，交互，多模，多格式的解碼。而在接口方面，一般都能夠支持 USB、HDMI、以太網(wǎng)接口、硬盤(pán)接口等，但是也帶來(lái)了諸多對(duì)不同接口保護(hù)的要求。本文將針對(duì)機(jī)頂盒上常見(jiàn)的接口進(jìn)行相應(yīng)的電路保護(hù)設(shè)計(jì)。
2013-07-18
機(jī)頂盒 ESD 接口 保護(hù)器件 電路保護(hù)
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設(shè)計(jì)新思路：電子通訊產(chǎn)品ESD防護(hù)設(shè)計(jì)
對(duì)于電子通訊產(chǎn)品而言，靜電有著極大的危害，因此，做好電子通訊產(chǎn)品ESD防護(hù)設(shè)計(jì)十分重要并且必不可少。本文分析了 ESD的危害以及一些ESD防護(hù)方案的缺陷并提出了新的ESD防護(hù)設(shè)計(jì)策略。
2013-07-17
ESD 靜電防護(hù) ESD防護(hù) 電子通訊
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設(shè)計(jì)技巧：RF電路與天線的EMC設(shè)計(jì)
電磁干擾在電子系統(tǒng)與設(shè)備中無(wú)處不在，因此如何使電子系統(tǒng)與設(shè)備滿足電磁兼容（EMC）的要求是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。隨著射頻和微波領(lǐng)域的高速發(fā)展，工程師們也越來(lái)越關(guān)注RF電路設(shè)計(jì)技巧…
2013-07-10
RF 電磁干擾 EMC 干擾 射頻
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很貴很脆弱？數(shù)字邏輯器件的保護(hù)該這樣做！
中間電源總線上輸入浪涌、在制造過(guò)程中混入水貨或假冒電容器……總是很容易使昂貴的新型數(shù)字處理器面臨過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)，甚至使 FPGA、ASIC 或微處理器遭受永久性損壞或起火。不想遭遇這些損失？本文教你一個(gè)簡(jiǎn)單的方法。
2013-07-05
數(shù)字邏輯器件保護(hù) 器件保護(hù) 電路保護(hù)
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如何使用數(shù)字隔離器簡(jiǎn)化隔離系統(tǒng)設(shè)計(jì)
工業(yè)環(huán)境中的測(cè)量器件往往需要進(jìn)行隔離以確保安全。利用數(shù)字隔離器，可以優(yōu)化隔離系統(tǒng)設(shè)計(jì)、降低功耗、保證系統(tǒng)性能，同時(shí)無(wú)需借助額外的設(shè)計(jì)裕量來(lái)補(bǔ)償缺失或不完整的器件規(guī)格。本文將介紹使用數(shù)字隔離器進(jìn)行隔離測(cè)量?jī)x器的設(shè)計(jì)。
2013-07-03
隔離 隔離器 隔離系統(tǒng) 數(shù)字隔離器
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SiC和GaN，新興功率器件如何選？
新興的SiC和GaN功率器件市場(chǎng)未來(lái)10年預(yù)計(jì)增長(zhǎng)18倍，主要需求市場(chǎng)是電源、光伏逆變器和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)。SiC肖特基二極管已經(jīng)有10年以上歷史，但SiC MOSFET、SiC JFET和SiC BJT近年才出現(xiàn)，GaN功率器件更是剛剛才在市場(chǎng)上出現(xiàn)。他們誰(shuí)會(huì)成為未來(lái)新興功率器件市場(chǎng)的主角？我們現(xiàn)在應(yīng)該選用他們嗎？
2013-06-19
功率器件 SiC BJT SiC
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巧避兩大因素，延長(zhǎng)CMOS使用壽命
對(duì)于模擬CMOS而言，有兩大主要危害，其一是靜電，其二是過(guò)壓。因此，要做好CMOS的保護(hù)，就需從這兩大主要因素入手，避免錯(cuò)誤地使用CMOS，從而延長(zhǎng)CMOS的使用壽命。本文將介紹該如何有效應(yīng)對(duì)這兩大危害。
2013-06-19
CMOS 電路 CMOS器件 靜電 過(guò)壓
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