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TDK最新EMC對(duì)策元件: 高截止頻率薄膜共模濾波器
TDK株式會(huì)社為滿(mǎn)足電子設(shè)備傳輸信號(hào)高速化的發(fā)展，通過(guò)產(chǎn)品的高頻率設(shè)計(jì)及TDK獨(dú)有的薄膜圖案化技術(shù)制成小型、高精度的線圈圖案，從而開(kāi)發(fā)出了截止頻率10GHz的薄膜共模濾波器。并從2012年8月起開(kāi)始量產(chǎn)。
2012-09-27
TDK EMC 濾波器
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村田應(yīng)對(duì)“嘯叫”的小型獨(dú)石陶瓷電容器
隨著電子產(chǎn)品的寂靜化，筆記本電腦、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、超薄電視機(jī)等等，在各種各樣的應(yīng)用電源電路中，原先并未引人注目的由電容器振動(dòng)引起的“嘯叫”現(xiàn)已成為重要的設(shè)計(jì)課題之一。村田制作針對(duì)解決這一嘯叫問(wèn)題，向大家介紹面向移動(dòng)設(shè)備和聲像機(jī)器的，帶金屬端子、并已商品化的小型電容器。
2012-09-27
村田 陶瓷電容 嘯叫
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Bourns小型化快速反應(yīng)整流二極管
由于行動(dòng)通訊運(yùn)算與視聽(tīng)設(shè)備市場(chǎng)之小型化需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研發(fā)出更小型的電子組件，目前在設(shè)計(jì)小型電子系統(tǒng)時(shí)面臨到主機(jī)板空間不足的問(wèn)題，因此加速電子組件替代封裝的需求。功能整合與小型化為成功關(guān)鍵！
2012-09-26
Bourns 二極管 小型
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適用于面板空間有限的ESD保護(hù)TVS二極管
Littelfuse SP1008系列瞬態(tài)抑制二極管陣列采用0201微型封裝，可安全吸收±15kV反復(fù)性ESD震擊，確保為空間有限的應(yīng)用提供更佳的ESD保護(hù)，非常適用于面板空間有限的設(shè)備。
2012-09-26
Littelfuse ESD TVS二極管
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運(yùn)用功率FET提升汽車(chē)電子系統(tǒng)可靠性設(shè)計(jì)
在嚴(yán)苛的汽車(chē)環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（power FET，功率FET），被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開(kāi)路、短路或阻性模式。
2012-09-26
RTP器件 可靠性 電路保護(hù)
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世界首創(chuàng)! 適用于SATA GenII?GenIII 超小型共模扼流線圈
村田制作所實(shí)現(xiàn)了適用于高速差分接口SATA GenII和SATA GenIII的薄膜片狀共模扼流線圈0806尺寸 (0.85 x 0.65 x 0.45mm) 和0605尺寸 (0.65 x 0.50 x 0.30mm) 的商品化，并且已開(kāi)始量產(chǎn)。此共模扼流線圈是世界首創(chuàng)，同時(shí)對(duì)應(yīng)SATA GenII和SATA GenIII的產(chǎn)品。
2012-09-25
超小型 村田制作 SATA
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KEMET ArcShield技術(shù)提供優(yōu)于涂層技術(shù)永久的保護(hù)
KEMET公司宣布其正在申請(qǐng)專(zhuān)利的ArcShield多層陶瓷電容器（MLCC）技術(shù)X7R介質(zhì)用于在高電壓應(yīng)用表面電弧放電（電弧放電）。 ArcShield器件可以抑制表面電弧過(guò)放電，從而防止在一個(gè)印刷電路板的電容器和周邊部件的損壞。
2012-09-25
KEMET 涂層 電容
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世界最高電感值，用于智能手機(jī)的超小片狀電感
村田制作所實(shí)現(xiàn)了0603尺寸世界最高電感值270nH的片狀電感器的商品化。最適用于智能手機(jī)和手機(jī)等小型便攜式設(shè)備中的高頻電路。在超小型0603尺寸 (0.6×0.3×0.3mm) 的薄膜型高頻片狀電感器中，在原來(lái)對(duì)應(yīng)0.6nH～120nH的產(chǎn)品以外加上了擴(kuò)大電感值對(duì)應(yīng)150nH～270nH的產(chǎn)品陣容。并且自8月起開(kāi)始量產(chǎn)。
2012-09-25
電感 智能手機(jī) 高頻
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軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器必須考慮的輸出電容事項(xiàng)
功率轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)頻率一直在不斷提高，以便最大限度地提升功率密度，軟開(kāi)關(guān)技術(shù)如零電壓開(kāi)關(guān)成為通用的技術(shù)以進(jìn)一步提高開(kāi)關(guān)頻率。隨著開(kāi)關(guān)頻率的增大，功率MOSFET的寄生特性不再可忽略不計(jì)，輸出電容是所有寄生成分中至關(guān)重要的寄生參數(shù)。
2012-09-24
開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器 電容 飛兆
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