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電路保護(hù)

由運(yùn)放和電壓調(diào)節(jié)器構(gòu)成的恒流源電路

傳感器及發(fā)光器件常需恒流源供電，精確測量微小電阻一般也要用到恒流源。恒流源的本質(zhì)是其具有調(diào)節(jié)負(fù)載兩端電壓的能力，凡具有電壓調(diào)整能力的器件均可構(gòu)成恒流源，包括運(yùn)放、穩(wěn)壓芯片、三極管、MOS管等。下面以運(yùn)放和電壓調(diào)節(jié)器為例來構(gòu)成恒流源。

2022-10-10

運(yùn)放電壓調(diào)節(jié)器恒流源電路

運(yùn)放的信號(hào)疊加電路與求差電路

實(shí)際應(yīng)用中,常要獲取兩個(gè)信號(hào)的差值或?qū)Χ鄠€(gè)模擬信號(hào)進(jìn)行疊加混合，這時(shí)就要使用信號(hào)疊加電路和求差電路。圖一所示的反相比例和同相比例電路是比例運(yùn)算電路的基本拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，以此為基礎(chǔ)，利用疊加原理和戴維南定理就可以構(gòu)造出信號(hào)疊加電路和求差電路。

2022-10-09

運(yùn)放信號(hào)疊加電路求差電路

為何在開關(guān)穩(wěn)壓器中，電流模式控制非常重要？

市場上有數(shù)千款不同的開關(guān)穩(wěn)壓器。用戶基于不同的參數(shù)選擇所需的類型，例如輸入電壓范圍、輸出電壓范圍、最大輸出電流，以及許多其他參數(shù)。本文介紹電流模式，這是數(shù)據(jù)手冊(cè)中常見的一項(xiàng)重要特性，并介紹該模式的優(yōu)缺點(diǎn)。

2022-09-30

開關(guān)穩(wěn)壓器電流模式控制

有關(guān)eFuse電子保險(xiǎn)絲，你應(yīng)該了解的技術(shù)干貨，都在這里！

熱保險(xiǎn)絲作為一種基本的電路保護(hù)器件，已經(jīng)成功使用了150多年。熱保險(xiǎn)絲有效、可靠、易用，具有各種不同的數(shù)值和版本，能夠滿足不同的設(shè)計(jì)目標(biāo)。然而，對(duì)于尋求以極快的速度切斷電流的設(shè)計(jì)人員來說，熱保險(xiǎn)絲不可避免的缺點(diǎn)就是其自復(fù)位能力，以及在相對(duì)較低的電流下的工作能力。對(duì)于這些設(shè)計(jì)人員來...

2022-09-29

電子保險(xiǎn)絲工作原理

運(yùn)放使用時(shí)高頻增益的制約因素

結(jié)電容的存在使得基極電流ib被旁路。從而使得真正流過發(fā)射結(jié)的基極電流ib′減小。而只有真正流過發(fā)射結(jié)的基極電流才會(huì)被放大。頻率越高，結(jié)電容的容抗就越小，則結(jié)電容的旁路作用就越顯著，晶體管的電流放大倍數(shù)β就越低，放大器的增益就越低。

2022-09-28

運(yùn)放結(jié)電容

運(yùn)放的頻率特性等效電路

由于各級(jí)電路的電路形式以及增益不同，故等效的RC時(shí)間常數(shù)也不同。輸出級(jí)為電壓跟隨器形式。其增益最低，但帶寬最寬(即RC低通截止頻率最高)。即RC時(shí)間常數(shù)最小。

2022-09-28

運(yùn)放等效電路

如何將運(yùn)算放大器用作差分放大器查找電壓值的電壓差

運(yùn)算放大器最初是為模擬數(shù)學(xué)計(jì)算而開發(fā)的，從那時(shí)起，它們已被證明在許多設(shè)計(jì)應(yīng)用中都很有用。正如我的教授所說的那樣，運(yùn)算放大器是算術(shù)電壓計(jì)算器，它們可以使用求和放大器電路執(zhí)行兩個(gè)給定電壓值的加法，并使用差分放大器執(zhí)行兩個(gè)電壓值之間的差。除此之外，運(yùn)算放大器還通常用作反相放大器和同...

2022-09-27

運(yùn)算放大器電壓差

運(yùn)算放大器的偏置電流及消除偏置電流影響

偏置電流在運(yùn)放輸入端外部電阻后產(chǎn)生電壓會(huì)對(duì)使用者造成麻煩，產(chǎn)生系統(tǒng)誤差。比如對(duì)于一個(gè)同相單位增益緩沖電流，如果信號(hào)源電阻為 1MΩ，那么當(dāng) 時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生 10mV 的誤差，對(duì)于任何系統(tǒng)這個(gè)誤差都不能被忽略。

2022-09-27

運(yùn)算放大器偏置電流

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時(shí)流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導(dǎo)致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導(dǎo)通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導(dǎo)通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

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