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高速PCB設(shè)計(jì)中的串?dāng)_分析與控制研究
本文主要討論分析信號完整性問題中的信號串?dāng)_及其控制方法。首先分析了串?dāng)_信號產(chǎn)生的機(jī)理，然后對串?dāng)_的幾個重要特性進(jìn)行詳細(xì)分析，最后說明了在PCB設(shè)計(jì)時如何控制串?dāng)_。
2008-10-06
串?dāng)_ 高速PCB設(shè)計(jì) EMC 控制 信號完整性
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在諧振轉(zhuǎn)換器和同步整流中使用快速恢復(fù)MOSFET
本文通過兩種受益于快速恢復(fù)MOSFET使用的應(yīng)用來描述帶有快速恢復(fù)體二極管的MOSFET并總結(jié)為什么快速恢復(fù)MOSFET有非常適合于同步整流應(yīng)用的優(yōu)勢，有時甚至在這類應(yīng)用中必不可少。
2008-10-06
快速恢復(fù)MOSFET 諧振轉(zhuǎn)換器 二極管
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太陽能電池及材料研究
大陽能光電利用近些年來發(fā)展最快，最具活力。本文簡要地綜述了太陽能電池的種類及其研究現(xiàn)狀，并討論了太陽能電池的發(fā)展及趨勢。
2008-10-06
太陽能電池 材料 單晶硅
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開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展的十個關(guān)注點(diǎn)
本文描述了開關(guān)電源技術(shù)發(fā)展和變化的三個階段以及其發(fā)展的關(guān)于功率半導(dǎo)體器件性能、開關(guān)電源功率密度、高頻磁與同步整流技術(shù)等十個關(guān)注點(diǎn)。
2008-10-06
開關(guān)電源 發(fā)展階段 關(guān)注點(diǎn)
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集成短路保護(hù)的非穩(wěn)壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
本文針對個別非穩(wěn)壓DC/DC轉(zhuǎn)換器由于缺陷而遭退貨的情況而引發(fā)的DC/DC轉(zhuǎn)換器是否導(dǎo)致問題的不可靠產(chǎn)品問題，從一個不同角度探討了絕緣問題并介紹了RECOM公司的P選項(xiàng)解決方案。
2008-10-06
非穩(wěn)壓DC/DC轉(zhuǎn)換器 RECOM P選項(xiàng) 絕緣
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淺談電源電子設(shè)備的電磁兼容
本文全面地論述電子設(shè)備的EMC問題，比較詳細(xì)地分析了干擾源的分類，指出電磁干擾是主要因素；分析了干擾的傳遞途徑，指出干擾信號以平面電磁波、漏電和耦合或者直接傳導(dǎo)的形式進(jìn)入被干擾系統(tǒng)，最后介紹了有效抑制和防止干擾的基本原理及各種措施。
2008-10-05
電子設(shè)備 EMC設(shè)計(jì)基本原理 干擾源 有效抑制
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二次直流電源的可靠性設(shè)計(jì)
航空和軍用電子設(shè)備一般是28V母線供電，需要設(shè)計(jì)二次電源為不同電路提供各種精細(xì)的直流穩(wěn)壓電源。由于電源對提高產(chǎn)品的可靠性至關(guān)重要，在設(shè)計(jì)二次直流電源時從DC/DC轉(zhuǎn)換模塊型號的選取和外圍電路元器件參數(shù)的選擇均應(yīng)從可靠性設(shè)計(jì)的角度考慮。詳細(xì)討論提高二次電源可靠性設(shè)計(jì)方面需考慮的問題。
2008-10-05
電源模塊 二次直流電源 可靠性 DC/DC
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電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展
電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。本文描述了電源技術(shù)的創(chuàng)新以及發(fā)展。
2008-10-05
電源 技術(shù) 創(chuàng)新
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降低開關(guān)電源電磁干擾水平的研究
本文以一個能產(chǎn)生混沌、超混沌、亞超混沌與超混沌信號的電路為信號源,以Boost型DC/DC變換器為對象,研究混沌的性質(zhì)對降低開關(guān)電源電磁干擾水平效果的影響。仿真結(jié)果表明:不同性質(zhì)的混沌序列,有不同的降低Boost型變換器的電磁干擾水平的效果。
2008-10-05
混沌 亞超混沌 超混沌 電磁干擾
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