你的位置:首頁 > 測試測量 > 正文

Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間:2010-04-08 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 開關(guān)速度和損耗均得到改善
  • 具有500V電壓等級
  • 具有低至63ns的trr和114nC的Qrr
  • 柵極電荷為34nC
應(yīng)用范圍:
  • 電子設(shè)計

日前,Vishay Intertechnology宣布,推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比,該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?,具有低?3ns的trr和114nC的Qrr,柵極電荷為34nC。

SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性,從而能夠更好地抵御EMI,實現(xiàn)更高的效率,同時避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。

Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級,在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻低至1.0Ω。低RDS(on)意味著低傳導(dǎo)損耗,可以在用于LIPS逆變器、HID、PC電源和鎮(zhèn)流器的LLC、全橋、半橋和雙管正激拓?fù)渲泄?jié)省能源。

為了能可靠地工作,該器件進(jìn)行了完備的雪崩測試,可處理22A的脈沖峰值電流和8A的連續(xù)電流(由最高結(jié)溫限定)。
SiHF8N50L-E3采用TO-220 FULLPAK封裝,符合RoHS指令2002/95/EC。

新款功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為八周至十周。
要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉