- 100ppm 的總頻率誤差
- 支持標(biāo)準(zhǔn)CMOS 工藝
- 獨特的模擬核設(shè)計
- 具有 200nA的低功耗待機模式
- 100μs的快速啟動時間
- 適合服務(wù)器和企業(yè)設(shè)計
- 適合采用以太網(wǎng)端口的數(shù)據(jù)通信設(shè)備
致力于豐富數(shù)字媒體體驗、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)宣布,推出業(yè)界精度最高的全硅 CMOS 振蕩器,在整個溫度、電壓和其他因數(shù)方面實現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的 100ppm 總頻率誤差。
IDT3C02 振蕩器采用 IDT 專利的 CMOS 振蕩器技術(shù),可以用一個 100ppm 及以下頻率精度的單片 CMOS IC 取代基于石英晶體的振蕩器,并采用非常薄的外形,而無需使用任何機械頻率源或鎖相環(huán)(PLL)。該產(chǎn)品專門用于下一代存儲、數(shù)據(jù)通信和連接接口,如千兆以太網(wǎng)、SAS、超高速 USB(USB 3.0)和 PCI Express。該產(chǎn)品是通用石英晶體振蕩器的一種低功耗、低抖動替代方案,因此非常適合服務(wù)器和企業(yè)設(shè)計,以及采用以太網(wǎng)端口的數(shù)據(jù)通信設(shè)備。
IDT 通信事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理 Fred Zust 表示:“憑借其 100ppm 的總頻率誤差,IDT3C02不愧為計時行業(yè)的一個重大突破。作為一個晶振替代品的理想選擇,它擴展了今年早些時候發(fā)布的晶圓形式全硅 CMOS 振蕩器,擴展了 IDT 在計時領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。”
IDT3C02 振蕩器可產(chǎn)生高精度的片上頻率,而無需依賴壓電或機械諧振器。該器件支持標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)成可用的 CMOS 工藝,采用了可編程架構(gòu),支持各種配置選項,以適應(yīng)廣泛的應(yīng)用范圍。也許這些選項中最為關(guān)鍵的是工廠可編程的工作頻率,與傳統(tǒng)的石英解決方案相比,有助于縮短交貨時間,包括特殊或罕見的頻率。
此外,IDT3C02 振蕩器采用一個獨特的模擬核設(shè)計,其功耗低于 2.5mA(空載典型值),從而為基于石英和 PLL 的高頻率振蕩器提供了一種低功耗替代方案,同時在 1MHz 載波偏移條件下實現(xiàn)了一流的 -140dBc/Hz 的相位噪聲。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的 5×3.2mm 石英晶體兼容封裝,即低成本、低高度的 MSL1 塑料 IC 封裝,無需陶瓷密封的封裝。
IDT3C02 還具有 200nA(典型值)的低功耗待機模式,以及 100μs(典型值)的快速啟動時間。這些功能組合使該器件非常適合功率敏感的設(shè)計,允許頻繁的開關(guān)電源以進一步節(jié)省功耗。由于該器件不包含任何運動元件,且不使用機械或壓電電子諧振來產(chǎn)生電子頻率,全硅的單片方案實現(xiàn)了優(yōu)良的耐沖擊和振動能力。
供貨情況
IDT3C02 目前已向合格客戶提供樣品,采用的是 5×3.2mm 封裝。