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單相降壓控制器很有效,為什么還要使用多相呢?

發(fā)布時間:2012-07-31

導言:對于電流在25 A左右的低壓轉(zhuǎn)換器應用而言,單相降壓控制器非常有效。若電流再大的話,功耗和效率就開始出現(xiàn)問題。一種較好的方法是使用多相降壓控制器。本文將簡單比較,使用多相降壓轉(zhuǎn)換器和單相轉(zhuǎn)換器的好處,并說明電路實現(xiàn)時一個多相降壓轉(zhuǎn)換器能夠提供什么樣的值。
   
圖1 顯示了一款二相電路。由該電路的波形(圖2 所示)可以清楚地看到各相互相交錯。這種交錯可減少輸入和輸出紋波電流。另外,它還減少了印刷電路板或者某個特定組件上的熱點。實際上,二相降壓轉(zhuǎn)換器讓FET 和電感的RMS-電流功耗降低了一半。相交錯還可以降低傳導損耗。

圖1 二相降壓轉(zhuǎn)換器

圖2 相1 和2 的節(jié)點波形

輸出濾波器考慮
   
由于每個相位的功率級電流更低,多相實現(xiàn)的輸出濾波器要求也隨之降低。對于一款40-A 二相解決方案來說,向每個電感提供的平均電流僅為20A。相比40-A 單相方法,由于平均電流和飽和電流更低,電感和電感器體積都大大減小。

輸出紋波電壓

輸出濾波器級中的紋波電流抵消可帶來比單相轉(zhuǎn)換器更低的輸出電容器紋波電壓。這就是多相轉(zhuǎn)換器為什么是首選的原因。方程式1 和方程式2 計算出了每個電感中所抵消的紋波電流百分比。

m = D x Phases (1)

和   

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其中,D 為占空比,IRip_norm 為標準化的紋波電流,其為D 的函數(shù),而mp 為m 的整數(shù)。圖3 為這些方程式的曲線圖。例如,20% 占空比(D) 時使用2 個相,可降低25% 紋波電流。電容器必須承受的紋波電壓大小,可通過紋波電流乘以電容器的等效串聯(lián)電阻計算得到。很明顯,最大電流和電壓要求都降低了。

圖3 標準化電容器紋波電流為占空比的函數(shù)

圖4 顯示了25% 占空比下一個二相降壓轉(zhuǎn)換器的仿真結(jié)果。電感紋波電流為2.2A,但是輸出電容器電流僅為1.5A,原因是紋波電流抵消。50% 占空比下使用二相時,電容器完全沒有紋波電流。

圖4 D=25% 時電感紋波電流抵消

負載瞬態(tài)性能
   
由于每個輸出電感中存儲的能量降低,負載瞬態(tài)性能隨之提高。電流抵消帶來的紋波電壓降低,幫助實現(xiàn)了最小輸出電壓過沖和下沖,因為在環(huán)路響應以前許多周期都已結(jié)束。紋波電流越低,干擾越小。

輸入RMS 紋波電流抵消
   
如果連接轉(zhuǎn)換器的輸入線存在電感效應,則輸入電容器將所有輸入電流供給降壓轉(zhuǎn)換器。要仔細選擇這些電容器,以滿足RMS紋波電流要求,確保它們不會出現(xiàn)過熱狀態(tài)。很明顯,對于一個50% 占空比的單相轉(zhuǎn)換器來說,極限輸入RMS 紋波電流一般固定為50% 輸出電流。圖5 和方程式3 表明,使用二相解決方案時,25% 和75% 占空比時出現(xiàn)極限RMS 紋波電流,其僅為25% 輸出電流。
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相比單相解決方案,多相解決方案的值更明確。只需使用更小的電容,便可滿足降壓級的RMS 紋波電流需求。

圖5 標準化輸入RMS紋波電流為占空比的函數(shù)

應用實例

LM3754 高功率密度評估板通過一個12-V 輸入電源供電,提供電壓為12V,電流為40A。該評估板體積大小為2 × 2 英寸,組件占用面積為1.4 × 1.3 英寸。每個相的開關(guān)頻率設定為300kHz。表1 對上述及其他工作條件進行了概括。組件放置在一個4 層板上,層上銅為1 盎司。板上還有一些引腳,用于遠程檢測,另有一個引腳用于獲得輸出電壓余量。
表1 LM3754 評估板工作條件

根據(jù)設計,LM3754 評估板以高功率密度配置工作,因此它利用經(jīng)過優(yōu)化的輸入電容器,其要求的RMS紋波電流更低。另外,評估板還擁有較低的紋波電壓和較高的瞬態(tài)性能。應盡可能地遵循LM3754 應用說明介紹的板布局。但是,如果不能遵循這種布局,應密切注意上述考慮因素。現(xiàn)在,我們還將為您說明其他一些考慮因素,之后是使用LM3754 的測試板測試結(jié)果。第12-13 頁的圖6-11顯示了這些結(jié)果。在進行必要的修改時,這些結(jié)果便是您需要得到的,或者說需要改進獲得的目標。

圖6 12-V 輸入效率曲線圖
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電路板布局考慮

強電流導線要求有足夠的銅,才能最小化壓降和溫升。一般原則是,2 盎司銅最少每安培7 密耳,內(nèi)部層1 盎司銅最少每安培 14 密耳。每個相的輸入電容器都應盡可能地靠近頂部MOSFET 漏極和底部MOSFET 源極放置,以確保最小接地“跳動”。

連接至IC 的信號組件

所有連接至IC 的小信號組件均盡可能地靠近IC 放置。VREF 和VCC 耦合電容器也要盡可能地靠近IC。對信號接地(SGND) 進行配置,確保信號組件接地到IC接地之間有一條低阻抗通路。

SGND 和PGND 連接

較好的布局方法包括專用接地層;電路板盡可能多地將內(nèi)部層2 專用作接地層。應從宏觀上對通孔和信號線路進行布局,避免出現(xiàn)可能掐掉寬銅區(qū)域的一些高阻抗點。讓電源接地(PGND) 和SGND 分離開,僅在接地層(內(nèi)部層2)相互連接。

柵極驅(qū)動

設計人員應確保高柵極輸出到頂部MOSFET 柵極的來回雙向差動對導線連接,其為開關(guān)節(jié)點??刂婆cMOSFET 之間的距離應盡可能地短。對低側(cè)MOSFET導線進行布局時,LG 和GND 引腳的布局應遵循相同的工作程序。

CSM 和CS2 引腳到穿過輸出電感的RC 網(wǎng)絡之間,也必須進行差動對布線。注意《參考文獻1》中介紹的布局,為了獲得更高的噪聲抑制性能,濾波器電容被分拆成2 個電容器—一個放置于電感旁邊,另一個則靠近IC??拷_關(guān)節(jié)點時,這些檢測線路的有效長度較短。如果可能,應使用一個接地層對它們實施屏蔽。

最小化開關(guān)節(jié)點

一般原則是,讓開關(guān)節(jié)點面積盡可能地小,但要能夠傳輸強電流,因此開關(guān)節(jié)點要位于多個層上。由于這種小型評估板本身可以從輸入到輸出折起來,所以開關(guān)節(jié)點便位于外層上,而IC 直接位于開關(guān)節(jié)點下面。因此,必需讓開關(guān)節(jié)點遠離檢測線路,同時也遠離IC。這樣,開關(guān)節(jié)點便得到合理布局,向外朝向電路板的邊緣。

結(jié)論

使用多相降壓轉(zhuǎn)換器有許多好處,例如:低過渡損耗帶來的高效率、低輸出紋波電壓、高瞬態(tài)性能以及更低的輸入電容器紋波電流額定要求等。能夠為您帶來上述諸多好處的一些多相降壓轉(zhuǎn)換器例子包括LM3754、LM5119 和LM25119 系列產(chǎn)品。

圖7 12-V 輸入功耗

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圖8 開關(guān)節(jié)點電壓

圖9 輸出電壓紋波

圖10 瞬態(tài)響應:10-A負載步長20 µs(過沖/下沖約27 mV)

圖11 40-A 負載1.2-V 輸出Vout 啟動圖
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