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帶有空片檢測(cè)功能的STM32需注意的GPIO設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2022-02-09 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】從STM32F0部分型號(hào)開(kāi)始,比如STM32F04x和STM32F09x,STM32越來(lái)越多的型號(hào)具有了空片檢測(cè)(Empty Check)功能。以前,STM32的啟動(dòng)由BOOT0和BOOT1來(lái)決定,在引入了空片檢測(cè)功能之后,則在BOOT0=0的情況下,還需要分兩種情況:


一是內(nèi)部已經(jīng)存在代碼,則從用戶(hù)存儲(chǔ)區(qū)啟動(dòng);

二是如果是空片,則從系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū)啟動(dòng),執(zhí)行內(nèi)部Bootloader。


它帶來(lái)什么好處呢?客戶(hù)如果是空片上板,無(wú)需對(duì)BOOT0引腳進(jìn)行跳線(xiàn),就可以直接使用內(nèi)部Bootloader進(jìn)行串口或其他通訊口進(jìn)行代碼燒錄了,可以說(shuō)非常地方便。但是,這同時(shí)為GPIO的設(shè)計(jì)帶來(lái)一個(gè)非常大的風(fēng)險(xiǎn),在電路設(shè)計(jì)時(shí)需要引起注意,做好相應(yīng)的措施。


問(wèn)題起源


某客戶(hù)在其產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中,使用STM32G0B1RET6。有一天,客戶(hù)工程師在測(cè)試電流的時(shí)候,無(wú)意間發(fā)現(xiàn)一個(gè)情況,說(shuō)“有個(gè)比較奇怪的情況,STM32G0B1沒(méi)有燒錄代碼的情況下,會(huì)比有燒錄代碼的情況下電流多了幾十毫安?!卑次覀円酝恼J(rèn)知,在沒(méi)有燒錄代碼的情況下,沒(méi)有任何操作,不該會(huì)出現(xiàn)這種情況啊。那么這是什么情況呢?


問(wèn)題分析


測(cè)量STM32G0B1在沒(méi)有燒錄代碼下的GPIO在懸空下的電平,可以發(fā)現(xiàn)有部分GPIO呈現(xiàn)為高電平,比如PA2/PA3和PA9/PA10。而客戶(hù)在PA9上接了一個(gè)外部驅(qū)動(dòng)電路,由高電平驅(qū)動(dòng),所以PA9的高電平,帶動(dòng)了該部分電路的工作,導(dǎo)致了電流的增加。


從參考手冊(cè)RM0444的GPIO一章,我們知道STM32G0的GPIO在上電后應(yīng)該為模擬狀態(tài),所以這些呈現(xiàn)高電平的GPIO顯得有點(diǎn)奇怪。


突然想起STM32F091等型號(hào)早就已經(jīng)有的空片檢測(cè)功能,就繼續(xù)查看STM32G0的參考手冊(cè)RM0444的 “Memory and bus architecture”一章,果然,發(fā)現(xiàn)STM32G0系列同樣擁有空片檢測(cè)功能。也就是說(shuō),STM32G0B1在沒(méi)有燒錄代碼的情況下,它是要到系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū)去執(zhí)行內(nèi)部Bootloader的。


此時(shí),需要打開(kāi)應(yīng)用筆記AN2606《STM32微控制器系統(tǒng)存儲(chǔ)器自舉模式》了解一下STM32G0B1在系統(tǒng)Bootloader下GPIO的狀態(tài)。


由于之前已經(jīng)檢測(cè)到PA2/PA3和PA9/PA10為高電平,而這兩個(gè)引腳對(duì)剛好是Bootloader中所用到USART1和USART2對(duì)應(yīng)的GPIO引腳。于是,檢查其在Bootloader中的配置狀態(tài),請(qǐng)參考圖1。


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Figure 1 系統(tǒng)Bootloader下USART1/2的端口狀態(tài)


從圖1中可以了解到PA2/PA3/PA9/PA10均配置為復(fù)用推挽結(jié)構(gòu),帶上拉電阻。其中PA10/PA3為輸入口,PA2/PA9為輸出口。

使用一個(gè)1k?的電阻來(lái)測(cè)量PA9/PA10的端口狀態(tài),來(lái)確定其高電平的來(lái)源。系統(tǒng)VDD的電壓為3.22V。


測(cè)量之前,需要了解一下GPIO的結(jié)構(gòu),如圖2。


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Figure 2 復(fù)用功能配置下的I/O的結(jié)構(gòu)


從圖2中可以得知,當(dāng)作為輸出時(shí),端口上呈現(xiàn)的高電平來(lái)自P-MOS上的VDDIOX;當(dāng)作為輸入時(shí),端口上呈現(xiàn)的高電平來(lái)自上拉電阻上的VDDIOX。下面來(lái)驗(yàn)證測(cè)試一下。


先對(duì)輸出口PA9進(jìn)行測(cè)量,使用1k?電阻串入PA9與VSS之間,并串上電流表,測(cè)得電流為3.22mA。由U=I·R公式,剛剛好,總電阻R = U / I = 3.22V ÷ 3.22mA = 1k?。也就是說(shuō),PA9的高電平由推挽結(jié)構(gòu)中的P-MOS連接的VDDIOX提供,內(nèi)部沒(méi)有電阻。


再來(lái)對(duì)輸入口PA10進(jìn)行測(cè)量,使用1k?電阻串入PA10與VSS之間,并串上電流表,測(cè)得電流為85.4uA??傠娮鑂 = U / I = 3.22V ÷ 85.4uA = 37.7k?,大于在外部串接的1k?電阻。也就是說(shuō),PA10的高電平來(lái)自上拉電阻所連接的VDDIOX,而且內(nèi)部上拉電阻RPU = 37.7k? - 1k? = 36.7k?。


多加一步再次確認(rèn)輸入口PA10的情況,這次不使用1k?電阻,而是直接將PA10串上電流表連接到VSS,得到電流值為87.7uA。內(nèi)部上拉電阻RPU = U / I = 3.22V ÷ 87.7uA = 36.7k?,與上面的測(cè)試是相同的。也符合STM32G0B1數(shù)據(jù)手冊(cè)中內(nèi)部上拉電阻的范圍,如圖3。


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Figure 3 I/O的上下拉電阻參數(shù)


存在的風(fēng)險(xiǎn)


到此,已經(jīng)清楚用戶(hù)存儲(chǔ)區(qū)沒(méi)有燒錄代碼的時(shí)候,STM32啟動(dòng)將進(jìn)入系統(tǒng) Bootloader,PA9被設(shè)置為復(fù)用輸出并輸出高電平,從而推動(dòng)外部電路產(chǎn)生的電流增加。但是我們應(yīng)該更加深入地研究這個(gè)問(wèn)題??蛻?hù)的情況還算是比較好的,接的是一個(gè)驅(qū)動(dòng)電路,并不會(huì)帶來(lái)?yè)p壞。


想象一下,如果在客戶(hù)的應(yīng)用中,PA9是用作輸入口,用來(lái)連接一個(gè)傳感器的中斷輸出,比如連接3軸MEMS加速度計(jì)LIS2DH12的INT1/2引腳。查看LIS2DH12的數(shù)據(jù)手冊(cè),可以得知INT1和IN2引腳的初始狀態(tài)是輸出低電平的,如圖4。


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Figure 4   LIS2DH的INT1/INT2引腳初始狀態(tài)


由于LIS2DH12的INT引腳初始狀態(tài)是推挽輸出且輸出低電平,如果直接連接到PA9,而用戶(hù)打算將空片先焊接于用戶(hù)板,再進(jìn)行代碼燒錄的話(huà),那么,當(dāng)上電的時(shí)候,LIS2DH12的INT引腳輸出低電平,而STM32G0B1進(jìn)入內(nèi)部Bootloader后PA9輸出高電平,直連將導(dǎo)致短路,電流從STM32G0B1的PA9內(nèi)部的VDDIOX經(jīng)過(guò)P-MOS,從PA9引腳出來(lái),經(jīng)過(guò)連接線(xiàn),到達(dá)LIS2DH12的INT引腳,從內(nèi)部的M-MOS流到VSS,中間因?yàn)闆](méi)有電阻而造成短路,很可能會(huì)對(duì)芯片產(chǎn)生損壞。所以必須加以注意!


PA10作為復(fù)用輸入功能,倒是沒(méi)有這個(gè)風(fēng)險(xiǎn)。


結(jié)論


由于空片檢測(cè)功能的存在,帶有此功能的STM32型號(hào)在空片的情況下啟動(dòng),將會(huì)進(jìn)入系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū),執(zhí)行內(nèi)部Bootloader。內(nèi)部Bootloader會(huì)將部分GPIO設(shè)置為復(fù)用功能輸出引腳并輸出高電平或低電平,如果此引腳在用戶(hù)應(yīng)用中作為輸入引腳連接到外部芯片的輸出引腳,那么STM32空片事先焊接于用戶(hù)板時(shí),上電將可能帶來(lái)極大的風(fēng)險(xiǎn)。在GPIO設(shè)計(jì)中如遇到有空片檢測(cè)功能的STM32必須對(duì)此加以注意。


解決辦法


兩種解決辦法供用戶(hù)選擇。


1)    在兩個(gè)芯片的連接中串入電阻進(jìn)行保護(hù),流經(jīng)此電阻的電流必須要低于GPIO的注入電流,而且還必須保證不影響雙邊的高低電平識(shí)別。

2)    在使用帶有空片檢測(cè)功能的STM32型號(hào)中,在硬件設(shè)計(jì)上要預(yù)先檢查AN2606中所描述的Bootloader使用并配置的復(fù)用功能輸出引腳,在GPIO設(shè)計(jì)時(shí)避免在用戶(hù)應(yīng)用中將其作為輸入引腳。


以上兩種方法,推薦使用第二種方法,更簡(jiǎn)單、更穩(wěn)妥。


來(lái)源:STM32單片機(jī)



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