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安防監(jiān)控

Power Integrations新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

由于采用全新的多周期調(diào)制模式，使得電源在空載條件下具有出色的輕載效率和低功耗，既可降低平均開關(guān)頻率，又可減小輸出紋波和音頻噪聲。因此，設(shè)計出的電源不僅可以輕松滿足包括ENERGY STAR?和歐盟委員會用能產(chǎn)品生態(tài)設(shè)計指令在內(nèi)的要求嚴(yán)格的最新能效規(guī)范，同時還可維持穩(wěn)定的輸出電壓。使用TOPSw...

2010-03-11

Power Integrations TOPSwitch-JX 電源轉(zhuǎn)換 IC

飛兆半導(dǎo)體推出帶USB/充電器檢測功能的便攜應(yīng)用過電壓保護器件

FAN3988具備內(nèi)置自動檢測功能，器件通過連續(xù)監(jiān)控短路條件下的D+ / D-線，能夠感測是否連接USB充電器。此外，器件還通過監(jiān)控VBUS來感測過壓或者欠壓狀況。當(dāng)達(dá)到過壓閾值時，F(xiàn)AN3988立即禁用外部P溝道MOSFET。這些功能減小了設(shè)計的復(fù)雜性，并省去外部電路，節(jié)省了線路板空間。這款新型OVP器件是滿足...

2010-03-11

飛兆 USB/充電器便攜過電壓保護器件

從基礎(chǔ)到應(yīng)用全面解析無鉛焊接工藝技術(shù)

在電子制作過程中，焊接工作是必不可少的。它不但要求將元件固定在電路板上，而且要求焊點必須牢固、圓滑，所以焊接技術(shù)的好壞直接影響到電子制作的成功與否。而鉛（Pb），是一種有毒的金屬，對人體有害。本次半月談我們將關(guān)注無鉛焊接工藝技術(shù)的行業(yè)現(xiàn)狀，無鉛焊接工具產(chǎn)品的創(chuàng)新，無鉛焊接工藝的...

2010-03-11

基礎(chǔ) 無鉛焊接焊接工藝技術(shù) 測試工作坊

ARM Cortex-M3內(nèi)核MCU又添新兵，初創(chuàng)公司主打超低功耗應(yīng)用

采用Cortex-M3內(nèi)核的MCU廠商通常關(guān)注以下幾點特性：更低的功耗，更高的運算能力，更低的價格，更多的外設(shè)。日前，一家來自挪威的初創(chuàng)公司Energy Micro就主打低功耗特性，發(fā)布了新的Cortex-M3內(nèi)核MCU產(chǎn)品系列。

2010-03-11

Cortex-M3 Energy Micro MCU

中電器材LED照明解決方案研討會成功召開

3月5日下午，中國電子器材深圳有限公司攜手美國國家半導(dǎo)體公司（NSC）與臺灣興華電子（CSC）在深圳市華強北電子科技大廈成功舉辦LED照明解決方案研討會

2010-03-11

中電器材 LED照明 LED路燈研討會

FSEZ1307/FSEZ1317/FAN103：飛兆半導(dǎo)體提供種類最豐富的初級端調(diào)節(jié)PWM控制器系列

飛兆半導(dǎo)體公司業(yè)界領(lǐng)先的初級端調(diào)節(jié)(PSR)脈寬調(diào)制(PWM)控制器系列為移動充電器、適配器及LED照明應(yīng)用的設(shè)計人員提供了多種解決方案，以滿足能源之星(ENERGY STAR?) Level V等標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)格的功率和穩(wěn)壓規(guī)范要求。

2010-03-11

FSEZ1307 FSEZ1317 FAN103 飛兆半導(dǎo)體 PWM控制器

分析師紛紛提高2010年半導(dǎo)體市場預(yù)測

Semiconductor International 全球1月半導(dǎo)體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預(yù)測。為什么如此迫不及待，值得思考。

2010-03-10

半導(dǎo)體 iSuppli Gartner 電子產(chǎn)業(yè)

恩智浦華麗轉(zhuǎn)型，搶占高性能混合信號芯片市場

隨著臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體廠商在低成本手機、數(shù)字電視等領(lǐng)域的SoC方案不斷占領(lǐng)市場份額，SoC在這些領(lǐng)域的利潤也在不斷被拉低，不少歐美大廠逐漸放棄了這些領(lǐng)域的數(shù)字芯片業(yè)務(wù)，而轉(zhuǎn)而強調(diào)對設(shè)計和工藝要求更高、利潤也更高的模擬和混合信號半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。

2010-03-10

混合信號恩智浦模擬

恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管

這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管，正如其名，它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn)，使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明，雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...

2010-03-10

恩智浦新一代高效率低VCEsat 晶體管

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