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響應(yīng)時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項(xiàng)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，并提供豐富的產(chǎn)品系列以供選型。該系列產(chǎn)品具有快速的響應(yīng)速度，響應(yīng)時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達(dá) 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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響應(yīng)時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項(xiàng)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，并提供豐富的產(chǎn)品系列以供選型。該系列產(chǎn)品具有快速的響應(yīng)速度，響應(yīng)時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達(dá) 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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響應(yīng)時間不大于25nS，單體突波耐電流能力達(dá)70KA的MOV
君耀壓敏電阻符合多項(xiàng)檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)，并提供豐富的產(chǎn)品系列以供選型。該系列產(chǎn)品具有快速的響應(yīng)速度，響應(yīng)時間≤25nS，突波耐電流能力從幾百安培到幾十千安培不等，單體最大可達(dá) 70KA。
2013-01-24
君耀 MOV 壓敏電阻
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超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米
TE近日發(fā)布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進(jìn)的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產(chǎn)品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產(chǎn)品可額外節(jié)省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設(shè)備的尺寸設(shè)計(jì)和應(yīng)用帶來了更大的靈活性。
2013-01-24
連接器 插拔式 TE
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超薄插拔式Micro SIM卡連接器，高度僅為1.24毫米
TE近日發(fā)布了一款超薄插拔式Micro SIM卡連接器。這款先進(jìn)的硬件解決方案可以在提高效率的同時降低終端產(chǎn)品的成本和尺寸。較上一代插拔式Mini SIM卡連接器，TE這款新產(chǎn)品可額外節(jié)省35%的PCB（印刷電路板）空間，并具有更小的外形尺寸，從而為終端設(shè)備的尺寸設(shè)計(jì)和應(yīng)用帶來了更大的靈活性。
2013-01-24
連接器 插拔式 TE
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可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機(jī) MOSFET 平板電腦
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可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機(jī) MOSFET 平板電腦
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可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱 IR) 擴(kuò)展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
2013-01-24
智能手機(jī) MOSFET 平板電腦
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新型功率MOSFET系列，將DC-DC 開關(guān)應(yīng)用效率提升2%
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出DirectFETplus 功率MOSFET 系列，采用了IR 的新一代硅技術(shù)，可為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用提供最佳效率，這些應(yīng)用包括新一代服務(wù)器、臺式電腦和筆記本電腦。
2013-01-24
MOSFET 硅技術(shù) 最佳效率
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