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安森美半導體新增九種高性能溝槽型場截止IGBT
安森美半導體擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
2012-10-25
安森美半導體 溝槽型場截止IGBT 電機控制 太陽能
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德州儀器首推支持10Gbps以太網(wǎng)標準的收發(fā)器
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持多種 10G/40G 以太網(wǎng)標準以及 1 Gbps 至 10 Gbps 多種專有速率的 4 通道 XAUI/10GBASE-KR 收發(fā)器TLK10034 ，能靈活應用于物理層 (PHY) 串行器／解串器 (SerDes) ，幫助工程師采用單個串行器／解串器滿足其所有協(xié)議需求，無需準備多種器件。
2012-10-25
德州儀器 10Gbps 以太網(wǎng)標準 收發(fā)器
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愛特梅爾推出獲Windows 8認證的mXT3432S
特梅爾公司(Atmel)宣布設計用于快速增長的超級本和筆記本電腦市場的maXTouch S系列器件現(xiàn)已供貨。新推出的Windows 8認證Atmel mXT3432S以maXTouch S系列的成功為基礎，是優(yōu)化用于最大17.3英寸觸摸屏的小占位面積觸摸屏控制器。
2012-10-25
愛特梅爾 Windows 8 mXT3432S 超級本 筆記本
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SiTime DCXO九大全新突破，將取代石英VCXO
SiTime Corporation宣布推出SiT3907基于MEMS的數(shù)字控制振蕩器（DCXO），提供了一個在系統(tǒng)（In-System）數(shù)字控制接口用來調(diào)整輸出頻率，有優(yōu)于石英VCXO 100倍的線性度和8倍的拉動范圍，實現(xiàn)更簡單、更可靠的系統(tǒng)。
2012-10-25
SiTime DCXO VCXO
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第二講：瞬態(tài)抑制二極管（TVS）如何進行電路保護
元件的小型化使得產(chǎn)品對電氣應力日益敏感，而由雷擊和靜電放電引起的瞬變現(xiàn)象越來越多的受到關注，尤其是高清監(jiān)控多裝于室外，遭受雷擊及干擾的現(xiàn)象在所難免，因此必須對電壓干擾及雷電進行防護，以防止監(jiān)控設備運作中斷而丟失一些重要的視頻，造成一些不必要的麻煩或損失。本文主要講述TVS器件的主...
2012-10-25
TVS 電路保護 高清監(jiān)控
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3G手機銷量大增 高端連接器受益
汽車產(chǎn)業(yè)、電腦通訊產(chǎn)業(yè)等應用領域的不斷發(fā)展，讓連接器的市場容量逐步擴大，年均增長率在兩位數(shù)以上，市場發(fā)展?jié)摿^大。我國已經(jīng)成為全球連接器增長最快和容量最大的市場。
2012-10-24
3G手機 高端連接器 連接器
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HiFi功率放大器設計BOM
這個簡單的低成功率放大器?？梢?種方法完成，就像圖表中所指示的（從20W到80W RMS ）。首先要作的是測試末極功率管的放大系數(shù)hfe or β.如果差異大于30％，放大器將不會提供一個清晰的聲音，使用MJ3001和 MJ2501晶體管，他們的差異在5％。
2012-10-24
HiFi 功率放大器 BOM
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封裝面積減小4成，支持LTE的RF模塊
村田制作所開發(fā)出用于LTE智能手機的小型RF收發(fā)模塊，封裝面積減小4成，其采用該公司的元件內(nèi)置技術，使用樹脂基板而非陶瓷基板實現(xiàn)了模塊，該模塊集成了LTE收發(fā)信息所需要的RF收發(fā)器IC、功率放大器及前端模塊等，RF電路部分的定位是“全模塊”。
2012-10-24
LTE RF模塊 村田
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第一講：解析雷電和浪涌的產(chǎn)生、危害及防護措施
眾所周知，雷電具有極大地破壞性，其電壓高達數(shù)百萬伏，瞬間電流可高達數(shù)十萬安培。現(xiàn)代電子設備功能越來越強，電路越來越復雜，元器件密度也越來越高，但承受電磁干擾或感應電壓的能力越來越低。尤其是監(jiān)控系統(tǒng)，多數(shù)都裝在室外，更易受到雷擊及浪涌的破壞，如不對這些電子設備進行雷電感應保護，...
2012-10-24
雷電 浪涌 保護
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