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完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
2012-10-23
射頻 飛思卡爾 晶體管
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完美結(jié)合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管
為了滿足市場(chǎng)對(duì)射頻功率器件增強(qiáng)耐用性和在廣泛的頻率范圍進(jìn)行寬帶運(yùn)行的需求，飛思卡爾半導(dǎo)體公司推出了兩款功能豐富的器件，旨在為采用LDMOS處理技術(shù)制造的射頻功率產(chǎn)品提供新級(jí)別的線性和耐用性。
2012-10-23
射頻 飛思卡爾 晶體管
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2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的MOSFET
恩智浦半導(dǎo)體推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN （分立式扁平無引腳）封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
2012-10-23
NXP MOSFET 智能手機(jī)
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適用于空間緊湊的高速接口ESD保護(hù)產(chǎn)品
恩智浦電路保護(hù)產(chǎn)品組合同時(shí)具備超低電容和超低鉗位電壓特性，是保護(hù)eSATA、Thunderbolt、USB 3.0/2.0和Ethernet等高速信號(hào)線的理想之選，采用這些超緊湊型封裝后，特別適合智能手機(jī)、播放器、平板電腦和電子閱讀器等空間緊湊型應(yīng)用。
2012-10-23
ESD NXP Thunderbolt USB 3.0
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4款領(lǐng)先的電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品
德州儀器推出4款業(yè)界領(lǐng)先器件，進(jìn)一步壯大電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品陣營(yíng)，對(duì)各種終端設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，從智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)與服務(wù)器到電源管理產(chǎn)品、電池充電器乃至工業(yè)、電信以及測(cè)量設(shè)備。
2012-10-23
TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測(cè)器
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4款領(lǐng)先的電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品
德州儀器推出4款業(yè)界領(lǐng)先器件，進(jìn)一步壯大電流并聯(lián)監(jiān)測(cè)器產(chǎn)品陣營(yíng)，對(duì)各種終端設(shè)備進(jìn)行了優(yōu)化，從智能手機(jī)、平板電腦、計(jì)算機(jī)與服務(wù)器到電源管理產(chǎn)品、電池充電器乃至工業(yè)、電信以及測(cè)量設(shè)備。
2012-10-23
TI 電流并聯(lián) 監(jiān)測(cè)器
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TI推出降低散熱達(dá)30℃的新降壓升壓轉(zhuǎn)換器
最新 4G 手機(jī)具有更高的數(shù)據(jù)上載需求，要求對(duì)各種應(yīng)用程序?qū)崿F(xiàn)“實(shí)時(shí)”開啟或關(guān)閉，這需要更高的射頻功率放大器輸出水平，使LTE即便在較低的電池電壓下也能工作。TI推出新降壓升壓轉(zhuǎn)換器，將流耗銳降50%并降低放大器散熱達(dá)30攝氏度。
2012-10-23
TI 降壓升壓轉(zhuǎn)換器 4G手機(jī)
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泰科電子的表面貼裝2410SFV系列保險(xiǎn)絲
泰科電子推出其2410SFV系列20款交流/直流（AC/DC）保險(xiǎn)絲產(chǎn)品，在一系列多樣化的高電壓和高電流的設(shè)計(jì)中，可以提供次級(jí)電路保護(hù)、節(jié)省電路板的空間和減少設(shè)計(jì)成本等優(yōu)點(diǎn)。
2012-10-23
泰科電子 TE 表面貼裝 2410SFV 保險(xiǎn)絲
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TE發(fā)布多種SESD器件
TE發(fā)布一個(gè)系列8款全新的單/多通道硅靜電放電(SESD)保護(hù)器件，可提供市場(chǎng)上最低的電容、最高的ESD保護(hù)和最小尺寸封裝，可幫助免受由靜電放電、浪涌和電纜放電所引起的損壞。
2012-10-23
TE SESD 插入功耗
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