【導(dǎo)讀】隨著科學(xué)技的發(fā)展,電子技術(shù)的應(yīng)用幾乎滲透到了人們生產(chǎn)生活的方方面面。晶體三極管作為電子技術(shù)中一個最為基本的常用器件,其原理對于學(xué)習(xí)電子技術(shù)的人自然應(yīng)該是一個重點。三極管原理的關(guān)鍵是要說明以下三點。
1、集電結(jié)為何會發(fā)生反偏導(dǎo)通并產(chǎn)生Ic,這看起來與二極管原理強調(diào)的PN結(jié)單向?qū)щ娦韵嗝堋?/div>
2、放大狀態(tài)下集電極電流Ic,為什么會只受控于電流Ib而與電壓無關(guān);即:Ic與Ib之間為什么存在著一個固定的放大倍數(shù)關(guān)系。雖然基區(qū)較薄,但只要Ib為零,則Ic即為零。
3、飽和狀態(tài)下,Vc電位很弱的情況下,仍然會有反向大電流Ic的產(chǎn)生。
很多教科書對于這部分內(nèi)容,在講解方法上處理得并不適當(dāng)。特別是針對初、中級學(xué)者的普及性教科書,大多采用了回避的方法,只給出結(jié)論卻不講原因。即使專業(yè)性 很強的教科書,采用的講解方法大多也存在有很值得商榷的問題。這些問題集中表現(xiàn)在講解方法的切入角度不恰當(dāng),使講解內(nèi)容前后矛盾,甚至造成講還不如不講的 效果,使初學(xué)者看后容易產(chǎn)生一頭霧水的感覺。
一、 傳統(tǒng)講法及問題:
傳統(tǒng)講法一般分三步,以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例),如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子;2.電子在基區(qū)的擴散與復(fù)合;3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴散過來的電子。”(注1)
問題1:這種講解方法在第3步中,講解集電極電流Ic的形成原因時,不是著重地從載流子的性質(zhì)方面說明集電結(jié)的反偏導(dǎo)通,從而產(chǎn)生了Ic,而是不恰當(dāng)?shù)貍?cè)重 強調(diào)了Vc的高電位作用,同時又強調(diào)基區(qū)的薄。這種強調(diào)很容易使人產(chǎn)生誤解。以為只要Vc足夠大基區(qū)足夠薄,集電結(jié)就可以反向?qū)?,PN結(jié)的單向?qū)щ娦跃?會失效。其實這正好與三極管的電流放大原理相矛盾。三極管的電流放大原理恰恰要求在放大狀態(tài)下Ic與Vc在數(shù)量上必須無關(guān),Ic只能受控于Ib。
問題2:不能很好地說明三極管的飽和狀態(tài)。當(dāng)三極管工作在飽和區(qū)時,Vc的值很小甚至還會低于Vb,此時仍然出現(xiàn)了很大的反向飽和電流Ic,也就是說在Vc很小時,集電結(jié)仍然會出現(xiàn)反向?qū)ǖ默F(xiàn)象。這很明顯地與強調(diào)Vc的高電位作用相矛盾。
問題3:傳統(tǒng)講法第2步過于強調(diào)基區(qū)的薄,還容易給人造成這樣的誤解,以為是基區(qū)的足夠薄在支承三極管集電結(jié)的反向?qū)ǎ灰鶇^(qū)足夠薄,集電結(jié)就可能會失去PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦浴_@顯然與人們利用三極管內(nèi)部兩個PN結(jié)的單向?qū)щ娦?,來判斷管腳名稱的經(jīng)驗相矛盾。既使基區(qū)很薄,人們判斷管腳名稱時,也并沒有 發(fā)現(xiàn)因為基區(qū)的薄而導(dǎo)致PN結(jié)單向?qū)щ娦允У那闆r?;鶇^(qū)很薄,但兩個PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦匀匀煌旰脽o損,這才使得人們有了判斷三極管管腳名稱的辦法和根 據(jù)。
問題4:在第2步講解為什么Ic會受Ib控制,并且Ic與Ib之間為什么會存在著一個固定的比例關(guān)系時,不能形象加以說明。只是從工藝上強調(diào)基區(qū)的薄與摻雜度低,不能從根本上說明電流放大倍數(shù)為什么會保持不變。
問題5:割裂二極管與三極管在原理上的自然聯(lián)系,不能實現(xiàn)內(nèi)容上的自然過渡。甚至使人產(chǎn)生矛盾觀念,二極管原理強調(diào)PN結(jié)單向?qū)щ姺聪蚪刂?,而三極管原理則又要求PN結(jié)能夠反向?qū)āM瑫r,也不能體現(xiàn)晶體三極管與電子三極管之間在電流放大原理上的歷史聯(lián)系。
二、新講解方法:
1、切入點:
要想很自然地說明問題,就要選擇恰當(dāng)?shù)厍腥朦c。講三極管的原理我們從二極管的原理入手講起。二極管的結(jié)構(gòu)與原理都很簡單,內(nèi)部一個PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,如示意圖B。很明顯圖示二極管處于反偏狀態(tài),PN結(jié)截止。我們要特別注意這里的截止?fàn)顟B(tài),實際上PN結(jié)截止時,總是會有很小的漏電流存在,也就是說PN結(jié)總 是存在著反向關(guān)不斷的現(xiàn)象,PN結(jié)的單向?qū)щ娦圆⒉皇前俜种佟?/div>
為什么會出現(xiàn)這種現(xiàn)象呢?這主要是因為P區(qū)除了因“摻雜”而產(chǎn)生的多數(shù)載流子“空穴”之外,還總是會有極少數(shù)的本征載流子“電子”出現(xiàn)。N區(qū)也是一樣,除了 多數(shù)載流子電子之外,也會有極少數(shù)的載流子空穴存在。PN結(jié)反偏時,能夠正向?qū)щ姷亩鄶?shù)載流子被拉向電源,使PN結(jié)變厚,多數(shù)載流子不能再通過PN結(jié)承擔(dān) 起載流導(dǎo)電的功能。所以,此時漏電流的形成主要靠的是少數(shù)載流子,是少數(shù)載流子在起導(dǎo)電作用。
所以,如圖B,如果能夠在P區(qū)或N區(qū)人為地增加少數(shù)載流子的數(shù)量,很自然的漏電流就會人為地增加。其實,光敏二極管的原理就是如此。光敏二極管與普通光敏二極管一樣,它的PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。因此,光敏二極管工作時應(yīng)加上反向電壓,如圖所示。當(dāng)無光照時,電路中也有很小的反向飽和漏電流,一般為1×10-8 —1×10 -9A(稱為暗電流),此時相當(dāng)于光敏二極管截止;當(dāng)有光照射時,PN結(jié)附近受光子的轟擊,半導(dǎo)體內(nèi)被束縛的價電子吸收光子能量而被擊發(fā)產(chǎn)生電子—空穴對,這些載流子的數(shù)目,對于多數(shù)載流子影響不大,但對P區(qū)和N區(qū)的少數(shù)載流子來說,則會使少數(shù)載流子的濃度大大提高,在反向電壓作用下,反向飽和漏電流大大增加,形成光電流,該光電流隨入射光強度的變化而相應(yīng)變化。光電流通過負載RL時,在電阻兩端將得到隨人射光變化的電壓信號。光敏二極管就是這樣完成電功能轉(zhuǎn)換的。
光敏二極管工作在反偏狀態(tài),因為光照可以增加少數(shù)載流子的數(shù)量,因而光照就會導(dǎo)致反向漏電流的改變,人們就是利用這樣的道理制作出了光敏二極管。既然此時漏電流的增加是人為的,那么漏電流的增加部分也就很容易能夠?qū)崿F(xiàn)人為地控制。
2、強調(diào)一個結(jié)論:
講到這里,一定要重點地說明PN結(jié)正、反偏時,多數(shù)載流子和少數(shù)載流子所充當(dāng)?shù)慕巧捌湫再|(zhì)。正偏時是多數(shù)載流子載流導(dǎo)電,反偏時是少數(shù)載流子載流導(dǎo)電。所以,正偏電流大,反偏電流小,PN結(jié)顯示出單向電性。特別是要重點說明,反偏時少數(shù)載流子反向通過PN結(jié)是很容易的,甚至比正偏時多數(shù)載流子正向通過PN結(jié)還要容易。
為什么呢?大家知道PN結(jié)內(nèi)部存在有一個因多數(shù)載流子相互擴散而產(chǎn)生的內(nèi)電場,而內(nèi)電場的作用方向總是阻礙多數(shù)載流子的正向通過,所以,多數(shù)載流子正向通過PN結(jié)時就需要克服內(nèi)電場的作用,需要約0.7伏的外加電壓,這是PN結(jié)正向?qū)ǖ拈T電壓。而反偏時,內(nèi)電場在電源作用下會被加強也就是PN結(jié)加厚,少數(shù)載流子反向通過PN結(jié)時,內(nèi)電場作用方向和少數(shù)載流子通過PN結(jié)的方向一致,也就是說此時的內(nèi)電場對于少數(shù)載流子的反向通過不僅不會有阻礙作用,甚至還會有幫助作用。
這就導(dǎo)致了以上我們所說的結(jié)論:反偏時少數(shù)載流子反向通過PN結(jié)是很容易的,甚至比正偏時多數(shù)載流子正向通過PN結(jié)還要容易。這個結(jié)論可以很好解釋前面提到的“問題2”,也就是教材后續(xù)內(nèi)容要講到的三極管的飽和狀態(tài)。三極管在飽和狀態(tài)下,集電極電位很低甚至?xí)咏蛏缘陀诨鶚O電位,集電結(jié)處于零偏置,但仍然會有較大的集電結(jié)的反向電流Ic產(chǎn)生。
3、自然過渡:
繼續(xù)討論圖B,PN結(jié)的反偏狀態(tài)。利用光照控制少數(shù)載流子的產(chǎn)生數(shù)量就可以實現(xiàn)人為地控制漏電流的大小。既然如此,人們自然也會想到能否把控制的方法改變一下,不用光照而是用電注入的方法來增加N區(qū)或者是P區(qū)少數(shù)載流子的數(shù)量,從而實現(xiàn)對PN結(jié)的漏電流的控制。也就是不用“光”的方法,而是用“電”的方法來實現(xiàn)對電流的控制(注2)。接下來重點討論P區(qū),P區(qū)的少數(shù)載流子是電子,要想用電注入的方法向P區(qū)注入電子,最好的方法就是如圖C所示,在P區(qū)下面再用特殊工藝加一塊N型半導(dǎo)體(注3)。
圖C所示其實就是NPN型晶體三極管的雛形,其相應(yīng)各部分的名稱以及功能與三極管完全相同。為方便討論,以下我們對圖C中所示的各個部分的名稱直接采用與三極管相應(yīng)的名稱(如“發(fā)射結(jié)”,“集電極”等)。再看示意圖C,圖中最下面的發(fā)射區(qū)N型半導(dǎo)體內(nèi)電子作為多數(shù)載流子大量存在,而且,如圖C中所示,要將發(fā)射區(qū)的電子注入或者說是發(fā)射到P區(qū)(基區(qū))是很容易的,只要使發(fā)射結(jié)正偏即可。具體說就是在基極與發(fā)射極之間加上一個足夠的正向的門電壓(約為0.7伏)就可以了。在外加門電壓作用下,發(fā)射區(qū)的電子就會很容易地被發(fā)射注入到基區(qū),這樣就實現(xiàn)對基區(qū)少數(shù)載流子“電子”在數(shù)量上的改變。
4、集電極電流Ic的形成:
如圖C,發(fā)射結(jié)加上正偏電壓導(dǎo)通后,在外加電壓的作用下,發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子——電子就會很容易地被大量發(fā)射進入基區(qū)。這些載流子一旦進入基區(qū),它們在基區(qū)(P區(qū))的性質(zhì)仍然屬于少數(shù)載流子的性質(zhì)。如前所述,少數(shù)載流子很容易反向穿過處于反偏狀態(tài)的PN結(jié),所以,這些載流子——電子就會很容易向上穿過處于反偏狀態(tài)的集電結(jié)到達集電區(qū)形成集電極電流Ic。
由此可見,集電極電流的形成并不是一定要靠集電極的高電位。集電極電流的大小更主要的要取決于發(fā)射區(qū)載流子對基區(qū)的發(fā)射與注入,取決于這種發(fā)射與注入的程度。這種載流子的發(fā)射注入程度及乎與集電極電位的高低沒有什么關(guān)系。這正好能自然地說明,為什么三極管在放大狀態(tài)下,集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關(guān)的原因。放大狀態(tài)下Ic并不受控于Vc,Vc的作用主要是維持集電結(jié)的反偏狀態(tài),以此來滿足三極管放大態(tài)下所需要外部電路條件。
對于Ic還可以做如下結(jié)論:Ic的本質(zhì)是“少子”電流,是通過電子注入而實現(xiàn)的人為可控的集電結(jié)“漏”電流,因此它就可以很容易地反向通過集電結(jié)。
5、Ic與Ib的關(guān)系:
很明顯,對于三極管的內(nèi)部電路來說,圖C與圖D是完全等效的。圖D就是教科書上常用的三極管電流放大原理示意圖。
看圖D,接著上面的討論,集電極電流Ic與集電極電位Vc的大小無關(guān),主要取決于發(fā)射區(qū)載流子對基區(qū)的發(fā)射注入程度。
通過上面的討論,現(xiàn)在已經(jīng)明白,三極管在電流放大狀態(tài)下,內(nèi)部的主要電流就是由載流子電子由發(fā)射區(qū)經(jīng)基區(qū)再到集電區(qū)貫穿三極管所形成。也就是貫穿三極管的電流Ic主要是電子流。這種貫穿的電子流與歷史上的電子三極管非常類似。如圖E,圖E就是電子三極管的原理示意圖。電子三極管的電流放大原理因為其結(jié)構(gòu)的直觀形象,可以很自然得到解釋。
如圖E所示,很容易理解,電子三極管Ib與Ic之間的固定比例關(guān)系,主要取決于電子管柵極(基極)的構(gòu)造。當(dāng)外部電路條件滿足時,電子三極管工作在放大狀態(tài)。在放大狀態(tài)下,穿過管子的電流主要是由發(fā)射極經(jīng)柵極再到集電極的電子流。電子流在穿越柵極時,很顯然柵極會對其進行截流,截流時就存在著一個截流比問題。截流比的大小,則主要與柵極的疏密度有關(guān),如果柵極做的密,它的等效截流面積就大,截流比例自然就大,攔截下來的電子流就多。反之截流比小,攔截下來的電子流就少。柵極攔截下來的電子流其實就是電流Ib,其余的穿過柵極到達集電極的電子流就是Ic。
從圖中可以看出,只要柵極的結(jié)構(gòu)尺寸確定,那么截流比例就確定,也就是Ic與Ib的比值確定。所以,只要管子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)確定,的值就確定,這個比值就固定不變。
由此可知,電流放大倍數(shù)的β值主要與柵極的疏密度有關(guān)。柵極越密則截流比例越大,相應(yīng)的β值越低,柵極越疏則截流比例越小,相應(yīng)的β值越高。
其實晶體三極管的電流放大關(guān)系與電子三極管類似。晶體三極管的基極就相當(dāng)于電子三極管的柵極,基區(qū)就相當(dāng)于柵網(wǎng),只不過晶體管的這個柵網(wǎng)是動態(tài)的是不可見的。放大狀態(tài)下,貫穿整個管子的電子流在通過基區(qū)時,基區(qū)與電子管的柵網(wǎng)作用相類似,會對電子流進行截流。如果基區(qū)做得薄,摻雜度低,基區(qū)的空穴數(shù)就會少,那么空穴對電子的截流量就小,這就相當(dāng)于電子管的柵網(wǎng)比較疏一樣。反之截流量就會大。很明顯只要晶體管三極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)確定,這個截流比也就確定。所以,為了獲大較大的電流放大倍數(shù),使β值足夠高,在制作三極管時往往要把基區(qū)做得很薄,而且其摻雜度也要控制得很低。
與電子管不同的是,晶體管的截流主要是靠分布在基區(qū)的帶正電的“空穴”對貫穿的電子流中帶負電的“電子”中和來實現(xiàn)。所以,截流的效果主要取決于基區(qū)空穴的數(shù)量。而且,這個過程是個動態(tài)過程,“空穴”不斷地與“電子”中和,同時“空穴”又不斷地會在外部電源作用下得到補充。在這個動態(tài)過程中,空穴的等效總數(shù)量是不變的。基區(qū)空穴的總數(shù)量主要取決于摻“雜”度以及基區(qū)的厚薄,只要晶體管結(jié)構(gòu)確定,基區(qū)空穴的總定額就確定,其相應(yīng)的動態(tài)總量就確定。這樣,截流比就確定,晶體管的電流放大倍數(shù)的值就是定值。這就是為什么放大狀態(tài)下,三極管的電流Ic與Ib之間會有一個固定的比例關(guān)系的原因。
6、對于截止?fàn)顟B(tài)的解釋:
比例關(guān)系說明,放大狀態(tài)下電流Ic按一個固定的比例受控于電流Ib,這個固定的控制比例主要取決于晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
對于Ib等于0的截止?fàn)顟B(tài),問題更為簡單。當(dāng)Ib等于0時,說明外部電壓Ube太小,沒有達到發(fā)射結(jié)的門電壓值,發(fā)射區(qū)沒有載流子“電子”向基區(qū)的發(fā)射注入,所以,此時既不會有電流Ib,也更不可能有電流Ic。另外,從純數(shù)學(xué)的電流放大公式更容易推出結(jié)論,Ic=βIb,Ib為0,很顯然Ic也為0。
三、新講法需要注意的問題:
以上,我們用了一種新的切入角度,對三極管的原理在講解方法上進行了探討。特別是對晶體三極管放大狀態(tài)下,集電結(jié)為什么會反向?qū)щ娦纬杉姌O電流做了重點討論,同時,對三極管的電流放大倍數(shù)為什么是定值也做了深入分析。這種講解方法的關(guān)鍵,在于強調(diào)二極管與三極管在原理上的聯(lián)系。
其實,從二極管PN的反向截止特性曲線上很容易看出,只要將這個特性曲線轉(zhuǎn)過180度,如圖F所示,它的情形與三極管的輸出特性非常相似,三極管輸出特性如圖G所示。這說明了二極管與三極管在原理上存在著很必然的聯(lián)系。所以,在講解方法上選擇這樣的切入點,從PN結(jié)的偏狀態(tài)入手講三極管,就顯得非常合適。而且,這樣的講解會使問題變得淺顯易懂生動形象,前后內(nèi)容之間自然和諧順理成章。
這種講法的不足點在于,從PN結(jié)的漏電流入手講起,容易造成本征漏電流與放大電流在概念上的混肴。所以,在后面講解晶體管輸入輸出特性曲線時,應(yīng)該注意強調(diào)說明本征載流子與摻雜載流子的性質(zhì)區(qū)別。本征載流子對電流放大沒有貢獻,本征載流子的電流對晶體管的特性影響往往是負面的,是需要克服的。晶體管電流放大作用主要靠摻雜載流子來實現(xiàn)。要注意在概念上進行區(qū)別。
另外,還要注意說明,從本質(zhì)上晶體內(nèi)部有關(guān)載流子的問題其實并不簡單,它涉及到晶體的能級分析能帶結(jié)構(gòu),以及載流子移動的勢壘分析等。所以,并不是隨便找一種或兩種具有載流子的導(dǎo)體或半導(dǎo)體就可以制成PN結(jié),就可以制成晶體管,晶體管實際的制造工藝也并不是如此簡單。這樣的講解方法主要是在不違反物理原則的前提下,試圖把問題盡量地簡化,盡量做到淺顯易懂,以便于理解與接受。這才是這種講解方法的主要意義所在。
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