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MOSFET Qrr—在追求能效時(shí)，忽視這一參數(shù)是危險(xiǎn)的
在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)引起一些重大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師需要仔細(xì)處理。在低功耗充電器和適配器產(chǎn)品應(yīng)用中，其開(kāi)關(guān)頻率高且負(fù)載電流一般小于5A，對(duì)I2R損耗的關(guān)注較少，設(shè)計(jì)工程師應(yīng)密切關(guān)注動(dòng)態(tài)損耗。選擇低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI輻射。
2019-09-09
MOSFET EMI輻射
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干貨：步進(jìn)電機(jī)噪聲、振動(dòng)的抑制
當(dāng)驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)處于靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其內(nèi)部依然發(fā)出很明顯的噪音，有點(diǎn)類(lèi)似線(xiàn)圈快速變化那種，一般是由于線(xiàn)圈電流過(guò)大導(dǎo)致的。
2019-09-06
步進(jìn)電機(jī) 噪聲 振動(dòng)
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【技術(shù)解析】晶振旁邊接的兩個(gè)電容是起什么作用？
關(guān)于晶振旁邊的兩個(gè)電容起到的作用，有人說(shuō)是負(fù)載電容，是用來(lái)糾正晶體的振蕩頻率用的;有人說(shuō)是啟振電容;有人說(shuō)起諧振作用的。
2019-09-06
晶振 電容
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直播邀約：福祿克振動(dòng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)方案及產(chǎn)品線(xiàn)介紹
在這里還有驚喜互動(dòng)禮品等著您：現(xiàn)場(chǎng)申請(qǐng)預(yù)約演示的前10位用戶(hù)可獲得飛利浦多孔魔方插線(xiàn)板。
2019-09-05
福祿克 監(jiān)測(cè)
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無(wú)需光耦合器的反激式轉(zhuǎn)換器：現(xiàn)有選項(xiàng)
反激式轉(zhuǎn)換器通常用于需要對(duì)電源電壓進(jìn)行電氣隔離并且傳輸功率相對(duì)較低的應(yīng)用中。輸出功率低于60 W時(shí)通常采用反激式轉(zhuǎn)換器。
2019-09-04
光耦合器 反激式轉(zhuǎn)換器
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高速通信領(lǐng)域的混頻器和調(diào)制器分析
在高速無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)中，信號(hào)必須進(jìn)行上變頻或下變頻后才能進(jìn)行信號(hào)傳播和處理。這種變頻步驟在傳統(tǒng)上稱(chēng)為混頻，是接收和發(fā)射信號(hào)鏈必不可少的過(guò)程。
2019-09-03
高速通信 混頻器 調(diào)制器
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二極管為何不適合并聯(lián)？串聯(lián)為何還要均壓？
在靜態(tài)時(shí)，由于串聯(lián)各元件的截止漏電流具有不同的制造偏差，導(dǎo)致具有最小漏電流的元件承受了最大的電壓，甚至達(dá)到擎住狀態(tài)。
2019-09-03
二極管 并聯(lián) 串聯(lián)
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【干貨】元器件插裝注意點(diǎn)及基本原則
要根據(jù)產(chǎn)品的特點(diǎn)和企業(yè)的設(shè)備條件安排裝配的順序。如果是手工插裝、焊接，應(yīng)該先安裝那些需要機(jī)械固定的元器件，如功率器件的散熱器、支架、卡子等，然后再安裝靠焊接固定的元器件。
2019-09-02
元器件插裝
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模電工程師的三大法寶：差分信號(hào)、時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù)、信道均衡
差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線(xiàn)一根地線(xiàn)的做法，差分傳輸在這兩根線(xiàn)上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相等，相位相反。在這兩根線(xiàn)上傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。差分信號(hào)又稱(chēng)差模信號(hào)，是相對(duì)共模信號(hào)而言的。
2019-08-30
差分信號(hào) 時(shí)鐘數(shù)據(jù)恢復(fù) 信道均衡
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