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設計基于 GaN 的電源系統(tǒng)的更簡單方法：比較市場上的集成驅動器產(chǎn)品
氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源系統(tǒng)設計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關損耗并提高電源效率，并支持更高的開關頻率，從而減小系統(tǒng)尺寸和重量。
2023-03-29
電源系統(tǒng) GaN
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使用光學相位詢問技術和聚合物光纖進行應變感測
本技術說明旨在向集成商介紹光相位詢問 (OPI) 技術，并基本了解傳感解決方案如何與聚合物光纖 (POF) 一起使用。
2023-03-29
光學相位 聚合物光纖
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微型微控制器托管雙直流/直流升壓轉換器
電池是便攜式系統(tǒng)應用的典型電源，如今基于微控制器的便攜式系統(tǒng)并不罕見。各種微控制器在低電源電壓下運行，例如 1.8V。因此，您可以使用兩節(jié) AA 或 AAA 電池為電路供電。然而，如果電路需要更高的電壓——例如，LCD 的 LED 背光需要大約 7.5V 的直流電壓——你必須使用合適的 dc/dc 轉換器將電源電壓...
2023-03-29
微型微控制器 直流升壓轉換器
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Bang－bang 光伏穩(wěn)壓器無需磁性元件
光伏系統(tǒng)通常包括一種儲能方式——電池或超級電容器——在沒有陽光或電源瞬變期間為負載提供電力。但是，在可行的情況下，無存儲系統(tǒng)是具有更高 MTBF 的更環(huán)保的替代方案。
2023-03-29
Bang－bang 光伏穩(wěn)壓器 磁性元件
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LDO參數(shù)指標淺談
在整個電子產(chǎn)品設計中，電源部分是整個產(chǎn)品正常運行發(fā)揮最佳性能的基礎。一個復雜的電源系統(tǒng)，會經(jīng)過多種電壓之間的轉換，在我們初始設計時會比較關心輸入電壓范圍，輸出電壓值和輸出電流最大是多少，但是否只需要了解這些參數(shù)就夠了呢，顯然不是。
2023-03-29
LDO 參數(shù)指標
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哪些原因會導致 BGA 串擾？
在多門和引腳數(shù)量眾多的集成電路中，集成度呈指數(shù)級增長。得益于球柵陣列 (ball grid array ，即BGA) 封裝的發(fā)展，這些芯片變得更加可靠、穩(wěn)健，使用起來也更加方便。BGA 封裝的尺寸和厚度都很小，引腳數(shù)則更多。然而，BGA 串擾嚴重影響了信號完整性，從而限制了 BGA 封裝的應用。下面我們來探討一...
2023-03-29
BGA 串擾
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SiC器件如何推動EV市場發(fā)展
汽車子系統(tǒng)的設計師不斷努力尋找創(chuàng)新的方法來延長 EV 的續(xù)航里程并縮短充電時間。在實現(xiàn)這些目標的過程中，他們將基于硅的技術在尺寸、重量和電源效率方面推向物理極限，因而需要轉向碳化硅（SiC）來幫助其應對這些挑戰(zhàn)。
2023-03-27
SiC器件 EV
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為什么測量精度對 EV 性能至關重要
使用傳感器測量電路中不同的功率相關參數(shù)時，會遇到不同的挑戰(zhàn)。主要挑戰(zhàn)是保持傳感器和電源電路之間的電氣隔離，以防止電源電路波動對測量的影響。高效隔離還有助于保持高頻開關電路中的測量精度，該電路極易受到這些高頻開關通過接地環(huán)路產(chǎn)生的噪聲的影響。
2023-03-25
測量精度 EV 性能
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拆分和仲裁雙向串行總線
雙向總線（例如，I 2 C、SMBus 和 LIN）在當今的電子產(chǎn)品中已變得無處不在，部分原因在于它們的簡單性。僅使用兩條線——數(shù)據(jù)線和時鐘線——多個設備就可以相互通信。根據(jù)I 2 C總線規(guī)范，多128個設備可以共享相同的數(shù)據(jù)和時鐘線；這是通過在每個設備上使用外部上拉電阻和開漏驅動器來實現(xiàn)的。如果沒有設...
2023-03-25
拆分 仲裁 雙向串行總線
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