- 東大宣布大幅提高太陽能電池開放電壓及I-V特性形狀因子數(shù)值
東京工業(yè)大學教授小長井誠研究小組,大幅提高了利用硅量子點的太陽能電池的開放電壓(Voc)及I-V特性形狀因子(FF)數(shù)值。2010年3月10日,該消息是在應(yīng)用物理學會舉行的2010年春季應(yīng)用物理學會學術(shù)演講會的會前新聞發(fā)布會上宣布的。
量子點的概要及目標太陽能電池
單元構(gòu)造
此次,小長井研究小組的產(chǎn)官學合作研究員黑川康良宣布,通過向位于硅量子點周圍的非晶SiC層添加氧,以防止SiC的結(jié)晶化等,元件的Voc和FF值分別達到了518mV和0.51。據(jù)稱,此前的硅量子點太陽能電池,澳大利亞新南威爾士大學(New South Wales University)教授M. Green小組發(fā)布的Voc=492mV為最高值。“我們的目標是達到700~1000mV”(黑川)。
I-V曲線的改進
詳細內(nèi)容將在第57屆應(yīng)用物理學相關(guān)聯(lián)合演講會(東海大學湘南校區(qū),2010年3月17~20日)上介紹(演講序號:18a-B-11)。