反激式電源的開關(guān)過(guò)程分析

圖1：反激式電源的開關(guān)過(guò)程分析

我們分析的主要問(wèn)題還是在Q1管子在關(guān)斷過(guò)程中的響應(yīng)。

在關(guān)斷過(guò)程中，如果不考慮加入抑制暫態(tài)過(guò)程的電路，我們看到的波形將不會(huì)是理想的，如下圖所示：

圖2：如果不考慮加入抑制暫態(tài)過(guò)程的電路，我們看到的波形將不會(huì)是理想的

把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析：

圖3：把功率變壓器模型改進(jìn)模型2帶入其中分析

Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析：

勵(lì)磁電感和漏電感中均儲(chǔ)存能量，同時(shí)由于二極管的結(jié)電容存在，次級(jí)電容上都存在一定的電壓，次級(jí)漏感中無(wú)電流。

圖4：Mos管關(guān)斷前的穩(wěn)態(tài)分析

然后我們把Mos管關(guān)掉，看下圖：

圖5：Mos管關(guān)斷后的穩(wěn)態(tài)分析

上面的過(guò)程整理一下：

1.MOS管關(guān)斷后,初級(jí)電流（勵(lì)磁電感和初級(jí)漏電感和電源的綜合作用）給MOS輸出電容充電，初級(jí)電容，初次級(jí)之間電容，次級(jí)電容，次級(jí)二極管電容，負(fù)載電容則開始放電（你可以這樣理解，因?yàn)閴翰钚×耍娙莘烹?，也可以理解為反向充電），Mos管DS端電壓是上升的（這里可以認(rèn)為是上面所涉及的分布參數(shù)之間的諧振，這個(gè)電路的Q之很小的），此時(shí)的電壓可以認(rèn)為是線性上升的。

注意此時(shí)的次級(jí)的二極管是沒(méi)有導(dǎo)通的，因?yàn)镈S端電壓比較小。

2.當(dāng)DS端電壓上升，次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓（這是客觀存在的，因?yàn)槲覀円ＷC輸出電壓的穩(wěn)定）+整流管的電壓后,如果沒(méi)有次級(jí)漏感，次級(jí)回路就導(dǎo)通了，因此DS端電壓會(huì)繼續(xù)上升，當(dāng)克服了次級(jí)漏感的影響后，次級(jí)電流開始上升，在這個(gè)時(shí)候勵(lì)磁電感的能量由于有更小的阻抗通路，從初級(jí)來(lái)看，初級(jí)電流會(huì)減小。

圖6：當(dāng)DS端電壓上升，次級(jí)的電壓達(dá)到輸出電壓

3.這個(gè)時(shí)候起決定性作用的就變成了初級(jí)漏感，它不能耦合到次級(jí)上沒(méi)有小的阻抗通路，因此初級(jí)漏電感就和Mos管輸出電容之間和初級(jí)電容之間諧振，電壓形成幾個(gè)震蕩（如果沒(méi)有吸收和clamped電路這個(gè)過(guò)程會(huì)持續(xù)很久）。

初級(jí)漏感電流是初級(jí)電流的一部分，因此伴隨著初級(jí)漏感電流的下降的是次級(jí)電流的上升，如果沒(méi)有clamped電路，電流的下降會(huì)非?？欤绻尤隿lamped電路等于把這個(gè)過(guò)程拉長(zhǎng)，電壓應(yīng)力也就減小了。

圖7：加入clamped電路等于把這個(gè)過(guò)程拉長(zhǎng)，電壓應(yīng)力也就減小了