你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

發(fā)布時間:2014-01-24 責任編輯:sherryyu

【導讀】半導體激光管(LD)和普通二極管采用不同工藝,但電壓和電流特性基本相同。在工作點時,小電壓變化會導致激光管電流變化較大。此外電流紋波過大也會使得激光器輸出不穩(wěn)定。具體情況如何,請看本文分析。

二極管激光器對它的驅(qū)動電源有十分嚴格的要求;輸出的直流電流要高、電流穩(wěn)定及低紋波系數(shù)、高功率因數(shù)等。隨著激光器的輸出功率不斷加大,需要高性能大電流的穩(wěn)流電源來驅(qū)動。為了保證半導體激光器正常工作,需要對其驅(qū)動電源進行合理設(shè)計。并且隨著高頻、低開關(guān)阻抗的MOSFET技術(shù)的發(fā)展,采用以MOSFET為核心的開關(guān)電源出現(xiàn),開關(guān)電源在輸出大電流時,紋波過大的問題得到了解決。

1 系統(tǒng)構(gòu)成

裝置輸入電壓為24V,輸出最大電流為20A,根據(jù)串聯(lián)激光管的數(shù)量輸出不同電壓。如果采用交流供電,前端應(yīng)該采用AC/DC作相應(yīng)的變換。該裝置主要部分為同步DC/DC變換器,其原理圖如圖1所示。

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

Vin為輸入電壓,VM1、VM2為MOSFET,VM1導通寬度決定輸出電壓大小,快恢復二極管和VM2共同續(xù)流電路,整流管的導通損耗占據(jù)最主要的部分,因此它的選擇至關(guān)重要,試驗中選用通態(tài)電阻很低的M0SFET。電感、電容組成濾波電路。測量電阻兩端電壓與給定值比較后,通過脈沖發(fā)生器產(chǎn)生相應(yīng)的脈寬,保持負載電流穩(wěn)定。VM1關(guān)斷,快恢復二極管工作,快恢復二極管通態(tài)損耗大,VM2接著開通續(xù)流,減少系統(tǒng)損耗。

2 工作原理 

VM1導通ton時,可得:

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

電流紋波為:

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計
 
VM1關(guān)斷,電流通過VD續(xù)流,接著VN2導通。由于VM2的阻抗遠小于二極管阻抗,因此通過VM2續(xù)流。VMl、VN2觸發(fā)脈沖如圖2所示。圖2中td為續(xù)流二極管導通時間。

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

二極管消耗的功率為P=VtdI0。一般快恢復二極管壓降0.4V,當電流20A時,二極管消耗功率為0.8W。如采用MOSFET,則消耗的功率將小很多。本實驗采用威世半導體公司的60A的MOSFET,其導通等效電阻為0.0022Ω。當電流為20A時,消耗功率約為0.088W?!?br /> [page]

由電流紋波公式可知,增大電感、減小ton都可以減小紋波。為了不提高電感容量,實驗中采用200kHz的工作頻率,其中電感選用4.8-μH,根據(jù)公式可得激光管壓降2V時紋波電流約為1000mA。系統(tǒng)采用了電流負反饋電路,以適應(yīng)激光二極管的要求。當負載變化,電流略大于給定電流時,減小ton寬度,電壓降低。電流略小于給定電流時,增加ton寬度,這樣可以維持電流穩(wěn)定。圖3所示為脈沖發(fā)生器結(jié)構(gòu)。

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

圖3中,R1,R2為電壓測量電阻,Rc為電流測量電阻。調(diào)節(jié)R1可以設(shè)定最大輸出電壓。Rc限制最大輸出電流。當最大電壓或電流其中一個達到給定值,則脈沖寬度最大。這樣可以保證負載正常工作。

其仿真結(jié)果如圖4所示。

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

3 實驗結(jié)果  

實驗曲線如圖5所示,實驗數(shù)據(jù)為輸入電壓12V,輸出電壓2V左右,測量電阻0.0025Ω,最大輸出電流20A。
實驗中用50A的2個二極管串聯(lián)作為負載,輸入電壓12V時,不同電流下輸出及效率如表1所示。

一步到位,半導體激光管LD的電源設(shè)計

相關(guān)閱讀:

激光二極管,什么是激光二極管
第一講:LED驅(qū)動電源設(shè)計的考慮要素及通用要求
第二講:基于IGBT的高能效電源設(shè)計

要采購開關(guān)么,點這里了解一下價格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉