米勒效應(yīng)這個(gè)名詞對于很多電子工程師來說,恐怕都不會陌生。作為一種會導(dǎo)致開通損耗時(shí)間增長的效應(yīng)現(xiàn)象,它是由米勒電容所引發(fā)的,將會對MOS管的正常工作運(yùn)行造成不利影響。
在MOS管的日常工作過程中,其柵極驅(qū)動過程可以理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容的充放電過程。當(dāng)Cgs達(dá)到門檻電壓后MOSFET就會進(jìn)入開通狀態(tài)。當(dāng)MOSFET開通后,Vds開始下降,Id開始上升,此時(shí)MOSFET進(jìn)入飽和區(qū)。但由于米勒效應(yīng),Vgs會持續(xù)一段時(shí)間不再上升,此時(shí)Id已經(jīng)達(dá)到最大,而Vds還在繼續(xù)下降,直到米勒電容充滿電,Vgs又上升到驅(qū)動電壓的值,此時(shí)MOSFET進(jìn)入電阻區(qū),此時(shí)Vds徹底降下來,開通結(jié)束。由于米勒電容阻止了Vgs的上升,從而也就阻止了Vds的下降,這樣就會使損耗的時(shí)間加長。
這也就可以理解為什么米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動中讓無數(shù)工程師們頭痛不已了。它是由MOS管的米勒電容引發(fā)的,在MOS管開通過程中,當(dāng)GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值,過后GS電壓又開始上升直至完全導(dǎo)通。
米勒會嚴(yán)重增加MOS的開通損耗,并造成MOS管不能很快得進(jìn)入開關(guān)狀態(tài),所以此時(shí)也就會出現(xiàn)所謂的圖騰驅(qū)動。因此,在選擇MOS時(shí)Cgd越小開通損耗就越小,然而該效應(yīng)卻不可能完全消失,只有盡可能的進(jìn)行消除和削弱。
以上就是本文對MOS柵極驅(qū)動過程中米勒效應(yīng)的危害所進(jìn)行的簡要分析,希望能夠幫助工程師更加充分的進(jìn)行不良效應(yīng)的規(guī)避和消除。
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