以芯片F(xiàn)SQ0170RNA為例如圖所示，陰影部分總面積S就是所需的能量。要增加面積S，辦法是：

 

1）增大峰值電流限流點(diǎn)I_limit，可允許流過更大電感電流Id：將與Pin4相接的電阻增大，從內(nèi)部電流源Ifb分流更小，使作為電流限制參考電壓的PWM比較器正輸入端的電壓將上升，即允許更大的電流通過MOSFET/變壓器，可以提供更大的能量。

 

2）啟動時，增加傳遞能量的時間，即延長Vfb的上升時間(到達(dá)OCP保護(hù)點(diǎn)前)。

 

 

對這款FSQ0170RNA芯片，電感電流控制是以Vfb為參考電壓的，Vfb電壓的波形與電感電流的包絡(luò)成正比?？刂芕fb的上升時間即可控制電感包絡(luò)的上升時間，即增加傳遞能量的時間。

 

IC的OCP功能是檢測Vfb達(dá)到Vsd(如6V)實(shí)現(xiàn)的。所以要降低Vfb斜率，就可以延長Vfb的上升時間。

 

輸出電壓未達(dá)到正常值時，如果反饋腳電壓Vfb已經(jīng)上升到保護(hù)點(diǎn)，傳遞能量時間不夠。重載、容性負(fù)載啟動時，輸出電壓建立較慢，加到光耦電壓較低，通過光耦二極管的電流小，光耦光敏管高阻態(tài)(趨向關(guān)斷)的時間較長。IC內(nèi)部電流源給與反饋腳相接的電容充電較快，如果Vfb在這段時間內(nèi)上升到保護(hù)點(diǎn)(如6V)，MOSFET將關(guān)斷。輸出不能達(dá)到正常值，啟動失敗。

 

解決辦法：

使輸出電壓達(dá)到正常值時，反饋腳電壓Vfb仍然小于保護(hù)點(diǎn)。使Vfb遠(yuǎn)離保護(hù)點(diǎn)而緩慢上升，或延長反饋腳Vfb上升到保護(hù)點(diǎn)的時間，即降低Vfb的上升斜率，使輸出有足夠的時間上升到正常值。

 

A.增大反饋電容(C9)，可以將Vfb的上升斜率降低，如圖所示，由D線變成A線。但是反饋電容太大會影響正常工作狀態(tài)，降低反饋速度，使輸出紋波變大。所以此電容不能變化太大。

 

B.由于A方法有不足，將一個電容(C7)串連穩(wěn)壓管(D6，3.3V)并聯(lián)到反饋腳。此法不會影響正常工作，如B線所示，當(dāng)Vfb<3.3V時，穩(wěn)壓管不會導(dǎo)通，分流。上升3.3V時，穩(wěn)壓管進(jìn)入穩(wěn)壓狀態(tài)，電容C7開始充電分流，減小后續(xù)Vfb的上升斜率。C。在431的K-A端并聯(lián)一個電容(C11)，電源啟動時，C11電壓較低，并由光耦二極管和431的偏置電阻R10進(jìn)行充電。這樣光耦就有較大電流通過，使光耦光敏管阻抗較低而分流，Vfb將緩慢上升，如C線所示。R10×C11影響充電時間，也就影響輸出的上升時間。

 

注意點(diǎn)：

1）增加反饋腳電容(包括穩(wěn)壓管串電容)，對解決超大容性負(fù)載問題作用較小；

2）增大峰值電流限流點(diǎn)I_limit，同時也增加了穩(wěn)態(tài)下的OCP點(diǎn)。需要在容性負(fù)載，輸入最低情況下檢查變壓器是否會飽和；

3）如果要保持限流點(diǎn)，須使R10×C11更大，但在超大容性負(fù)載(10000uF)情況下，可能會增加5Vsb的上升時間超過20mS，此法需要檢查動態(tài)響應(yīng)是否受太大影響；

4）431的偏置電阻R10太小，431并聯(lián)的C11要更大；

5）為了保證上升時間，增大OCP點(diǎn)和增大R10×C11方法可能要同時使用。

 

 

現(xiàn)象：

在輸出空載或輕載時，關(guān)閉輸入電壓，輸出(如5V)可能會出現(xiàn)如下圖所示的電壓反跳的波形。

 

 

原因：

輸入關(guān)掉時，5V輸出將會下降，Vcc也跟著下降，IC停止工作，但是空載或輕載時，巨大的PC電源大電容電壓并不能快速下降，仍然能夠給高壓啟動腳提供較大的電流使得IC重新啟動，5V又重新輸出，反跳。

 

解決方法：

在啟動腳串入較大的限流電阻，使得大電容電壓下降到仍然比較高的時候也不足以提供足夠的啟動電流給IC。

 

將啟動接到整流橋前,啟動不受大電容電壓影響。輸入電壓關(guān)斷時，啟動腳電壓能夠迅速下降。