－接下來(lái)，請(qǐng)您介紹一下驅(qū)動(dòng)器源極引腳是如何降低開(kāi)關(guān)損耗的。首先，能否請(qǐng)您對(duì)使用了驅(qū)動(dòng)器源極引腳的電路及其工作進(jìn)行說(shuō)明？

 

Figure 4是具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路示例。它與以往驅(qū)動(dòng)電路（Figure 2）之間的區(qū)別只在于驅(qū)動(dòng)電路的返回線是連接到驅(qū)動(dòng)器源極引腳這點(diǎn)。請(qǐng)看與您之前看到的Figure 2之間的比較。

 

 

從電路圖中可以一目了然地看出，包括VG在內(nèi)的驅(qū)動(dòng)電路中不包含L_SOURCE，因此完全不受開(kāi)關(guān)工作時(shí)的ID變化帶來(lái)的VL_SOURCE的影響。

 

如果用公式來(lái)表示施加到內(nèi)部芯片的電壓V_{GS_INT}的話，就是公式（2）。當(dāng)然，計(jì)算公式中沒(méi)有3引腳封裝的公式（1）中存在的L_SOURCE相關(guān)的項(xiàng)。所以，4引腳封裝MOSFET的V_{GS_INT}僅受R_{G_EXT}和IG引起的電壓降V_{RG_EXT}的影響，而且由于R_{G_EXT}是外置電阻，因此也可調(diào)。下面同時(shí)列出公式（1）用以比較。

 

 

－能給我們看一下比較數(shù)據(jù)嗎？

 

這里有雙脈沖測(cè)試的比較數(shù)據(jù)。這是為了將以往產(chǎn)品和具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)工作進(jìn)行比較，而在Figure 5所示的電路條件下使Low Side（LS）的MOSFET開(kāi)關(guān)的雙脈沖測(cè)試結(jié)果。High Side（HS）是將R_{G_EXT}連接于源極引腳或驅(qū)動(dòng)器源極引腳，并僅使用體二極管換流工作的電路。

 

 

Figure 6是導(dǎo)通時(shí)的漏極-源極間電壓VDS和漏極電流ID的波形。這是驅(qū)動(dòng)條件為R_{G_EXT}＝10Ω、VDS＝800V，ID約為50A時(shí)的波形。

 

 

紅色曲線的TO-247-4L為4引腳封裝，藍(lán)色的TO-247N為以往的3引腳封裝，其中的SiC MOSFET芯片是相同的。

 

我們先來(lái)比較一下虛線ID的波形。與藍(lán)色的3引腳封裝品的波形相比，紅色的4引腳封裝的ID上升更快，達(dá)到50A所需的時(shí)間當(dāng)然也就更短。

 

雖然VDS的下降時(shí)間本身并沒(méi)有很大的差別，但柵極信號(hào)輸入后的開(kāi)關(guān)速度明顯變快。

 

－就像您前面說(shuō)明的，區(qū)別只在于4引腳封裝通過(guò)設(shè)置驅(qū)動(dòng)器源極引腳，消除了L_SOURCE的影響，因此它們的開(kāi)關(guān)特性區(qū)別只在于L_SOURCE的有無(wú)所帶來(lái)的影響？可不可以這樣理解？

 

基本上是這樣。當(dāng)然，也有一些應(yīng)該詳細(xì)查考的事項(xiàng)，但如果從柵極驅(qū)動(dòng)電路中消除了L_SOURCE的影響，則根據(jù)Figure 4中說(shuō)明的原理，開(kāi)關(guān)速度將變快。關(guān)于關(guān)斷，雖然不像導(dǎo)通那樣區(qū)別顯著，但速度同樣也會(huì)變快。

 

－這就意味著開(kāi)關(guān)損耗得到了大幅改善。

 

這里有導(dǎo)通和關(guān)斷相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗比較數(shù)據(jù)。

 

 

在導(dǎo)通數(shù)據(jù)中，原本2,742µJ的開(kāi)關(guān)損耗變?yōu)?,690µJ，損耗減少了約38%。在關(guān)斷數(shù)據(jù)中也從2,039µJ降至1,462µJ，損耗減少了約30%。

 

－明白了。最后請(qǐng)你總結(jié)一下，謝謝。

 

SiC MOSFET具有超低導(dǎo)通電阻和高速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，還具有可進(jìn)一步縮小電路規(guī)模、提高相同尺寸的功率、以及因降低損耗而提高效率并減少發(fā)熱量等諸多優(yōu)點(diǎn)。

 

另一方面，關(guān)于在大功率開(kāi)關(guān)電路中的功率元器件的安裝，由于必須考慮寄生電感等寄生分量的影響，如果開(kāi)關(guān)電流速度明顯提高，那么其影響也會(huì)更大。這不僅僅是實(shí)裝電路板級(jí)別的問(wèn)題，同時(shí)也是元器件封裝級(jí)別的課題。

 

此次之所以在最新一代SiC MOSFET中采用4引腳封裝，也是基于這樣的背景，旨在在使用了SiC功率元器件的應(yīng)用中，進(jìn)一步降低損耗。

 

這里有一個(gè)注意事項(xiàng)，或者說(shuō)是為了有效使用4引腳封裝產(chǎn)品而需要探討的事項(xiàng)。前面提到了通過(guò)消除封裝電感L_SOURCE的影響可提高開(kāi)關(guān)速度并大大改善開(kāi)關(guān)損耗。這雖然是事實(shí)，但考慮到穩(wěn)定性和整個(gè)電路工作時(shí)，伴隨著開(kāi)關(guān)速度的提高，也產(chǎn)生了一些需要探討的問(wèn)題。就像“權(quán)衡（Trade-off）”一詞所表達(dá)的，電路的優(yōu)先事項(xiàng)一定需要用最大公約數(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。

 

 

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