讓我們定義幾個(gè)術(shù)語(yǔ)。

 

-負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)是指由于LDO上的負(fù)載電流發(fā)生階躍變化而對(duì)輸出電壓造成的干擾。

 

-接地電流是LDO在整個(gè)輸出電流范圍內(nèi)對(duì)負(fù)載的消耗。接地電流可能與輸出電流有關(guān)，但并不總是如此。

 

-靜態(tài)電流是LDO在輸出空載時(shí)的接地電流（消耗）。

 

表1. LDO結(jié)構(gòu)的比較

 

關(guān)于LDO的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)結(jié)果和靜態(tài)電流的比較，請(qǐng)參見(jiàn)表1中的例子，該例子對(duì)不同結(jié)構(gòu)的LDO分別列出負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)性能和靜態(tài)電流，以展示如何權(quán)衡折中。LDO1具有最佳的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)和高靜態(tài)電流。LDO2具有低靜態(tài)電流，但負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)只是良好，不是最好的。LDO3有超低的靜態(tài)電流，但負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)較差。

 

圖1. NCP148的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

 

我們的NCP148 LDO是具有高靜態(tài)電流但動(dòng)態(tài)性能最理想的LDO例子。參見(jiàn)圖1，您可看到NCP148的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)，輸出電流從低電平到高電平的階躍：100 μA -> 250 mA，1 mA -> 250 mA和2 mA -> 250 mA。您可看到，輸出電壓波形之間有微小的差異。

 

圖2. NCP161的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

 

請(qǐng)看圖2進(jìn)行比較，這是NCP161的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。被稱為 "自適應(yīng)偏置 "的內(nèi)部功能使得LDO具有低靜態(tài)電流和良好的動(dòng)態(tài)性能。該功能根據(jù)輸出電流調(diào)整LDO內(nèi)部反饋的內(nèi)部電流和偏置點(diǎn)。但即使有自適應(yīng)偏置，也有一些限制。當(dāng)自適應(yīng)偏置沒(méi)有激活，且負(fù)載電流高于1 mA時(shí)，那么負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)良好。然而，當(dāng)初始電流水平為100 μA時(shí)，激活自適應(yīng)偏置，就會(huì)出現(xiàn)更大的差異。當(dāng)IOUT=100 μA時(shí)，那么自適應(yīng)偏置在內(nèi)部反饋電路中設(shè)置了較低的電流，所以響應(yīng)較慢，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)較差。

 

圖3顯示了這兩個(gè)器件的接地電流與負(fù)載電流的關(guān)系。NCP161在低負(fù)載電流下具有較低的靜態(tài)電流和較低的接地電流。但是，如圖1所示，對(duì)于極低負(fù)載的負(fù)載階躍，NCP148具有更好的瞬態(tài)響應(yīng)。

 

圖3. NCP161和NCP148的接地電流

 

NCP170的靜態(tài)電流非常低，只有500 nA。圖4顯示了NCP170的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)。由于內(nèi)部反饋非常慢，所以無(wú)論初始輸出電流如何，它的動(dòng)態(tài)性能都較差。

 

圖4. NCP170的負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

 

然而，應(yīng)用對(duì)電池壽命的要求越來(lái)越高，這促使對(duì)靜態(tài)電流的要求越來(lái)越低。安森美半導(dǎo)體最新的超低靜態(tài)電流器件NCP171，其靜態(tài)電流為50 nA。這將實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的充電間隔時(shí)間或更輕的便攜式電子產(chǎn)品，因?yàn)殡姵赝ǔＪ亲钪氐脑?/div>