【導(dǎo)讀】米勒電容引起的寄生導(dǎo)通常被認為是碳化硅MOSFET的弱點。為了避免這種效應(yīng)，硬開關(guān)逆變器通常采用負柵極電壓關(guān)斷。但是，這對于CoolSiC?MOSFET真的是必要的嗎？

引言

選擇適當(dāng)?shù)臇艠O電壓是設(shè)計所有柵極驅(qū)動電路的關(guān)鍵。憑借英飛凌的CoolSiC?MOSFET技術(shù)，設(shè)計人員能夠選擇介于18V和15V之間的柵極開通電壓，從而使器件具有極佳的載流能力或者可靠的短路耐用性。另一方面，柵極關(guān)斷電壓僅需確保器件保持安全關(guān)斷即可。英飛凌鼓勵設(shè)計人員在0V下關(guān)斷分立式MOSFET，從而簡化柵極驅(qū)動電路。

為此，本文介紹了一種易于重現(xiàn)的方法來表征碳化硅MOSFET的寄生導(dǎo)通敏感性，并介紹了使用分立式CoolSiC?MOSFET所獲得的測試結(jié)果。

寄生導(dǎo)通效應(yīng)

對柵極的電感反饋和電容反饋可能導(dǎo)致半導(dǎo)體開關(guān)產(chǎn)生不必要的導(dǎo)通。如果使用了碳化硅MOSFET，則通?？紤]是米勒電容產(chǎn)生的電容反饋。圖1便解釋了這種效應(yīng)。低邊開關(guān)S₂的體二極管導(dǎo)通負載電流I_L，直至高邊開關(guān)S₁導(dǎo)通。在負載電流換向到S₁之后，S₂的漏源電壓開始上升。在這個階段，不斷上升的漏極電位通過米勒電容C_GD上拉S₂的柵極電壓。然后，柵極關(guān)斷電阻試圖抵消并拉低電壓。但如果電阻值不夠低，則柵極電壓可能超過閾值水平，從而導(dǎo)致直通、增加開關(guān)損耗。

直通事件的風(fēng)險和嚴重程度取決于特定的操作條件和測量硬件。高母線電壓、高dV_DS/dt和高結(jié)溫是最關(guān)鍵的工作點。這些條件不僅會更嚴重地上拉柵極電壓，還會降低閾值電壓。硬件方面的主要影響因素是：與C_GD并聯(lián)的電路板寄生電容，與C_GS并聯(lián)的外部電容，柵極關(guān)斷電壓以及柵極關(guān)斷電阻。

圖1：體二極管關(guān)斷期間米勒電容C_GD的影響

表征測試實驗設(shè)置和方法

設(shè)計人員經(jīng)常會研究半導(dǎo)體器件的柵極電荷曲線，來了解其對寄生導(dǎo)通的敏感性。雖然這種方法相當(dāng)簡單——只需大致查看數(shù)據(jù)表即可——但卻無法得出應(yīng)用結(jié)論。其一大缺點在于柵極電荷在本質(zhì)上是靜態(tài)的，而寄生導(dǎo)通顯然是動態(tài)效應(yīng)。因此，我們在應(yīng)用條件下，執(zhí)行專門的表征測試，來評估1200V/45mΩ CoolSiC?MOSFET在TO-247 3引腳和4引腳兩種封裝中的寄生導(dǎo)通行為。所有測試均在0V關(guān)斷電壓下進行。

圖2：硬件設(shè)置：高邊開關(guān)S₁用作“dv/dt發(fā)生器”，低邊開關(guān)S₂作為測試器件。測試旨在找到能夠避免寄生導(dǎo)通的S₂最大柵極關(guān)斷電阻。

半橋評估板的配置如圖2。它主要是一個換向單元，其中低邊開關(guān)是測試器件，高邊開關(guān)用作dv/dt發(fā)生器。當(dāng)高邊器件導(dǎo)通時，低邊器件上的漏極-源極電壓上升，導(dǎo)致柵極電壓增加。當(dāng)然，dvDS/dt越低，柵極關(guān)斷電阻越低，出現(xiàn)寄生導(dǎo)通的可能性越小。本實驗旨在確定臨界柵極關(guān)斷電阻值。這種所謂的臨界柵極電阻就是與0Ω獲得的參考波形相比導(dǎo)致Q*_rr增加10％的值。10％的閾值足以使我們獲得可靠的測量數(shù)據(jù)，但同時它也足夠小，在大多數(shù)應(yīng)用中可忽略不計，參見圖3：在100°C下且R_Goff值不同時1200V/45mΩ CoolSiC?MOSFET的波形示例。與參考波形（黑：0Ω）相比，其他波形的Q*_rr增加了10％（橙：12Ω）和40％（紅：22Ω）。Q*_rr表示三個電荷的總和：（1）體二極管的反向恢復(fù)電荷；（2）半導(dǎo)體、布局和無源元件的電容電荷；（3）寄生導(dǎo)通的影響。

測試在不同溫度、不同負載電流和不同電壓斜率下進行。后者通過高邊開關(guān)S₁的R_Gon進行調(diào)節(jié)。

圖3：在100°C下且R_Goff值不同時1200V/45mΩ CoolSiC?MOSFET的波形示例。與參考波形（黑：0Ω）相比，其他波形的Q*_rr增加了10％（橙：12Ω）和40％（紅：22Ω）。Q*_rr表示三個電荷的總和：（1）體二極管的反向恢復(fù)電荷；（2）半導(dǎo)體、布局和無源元件的電容電荷；（3）寄生導(dǎo)通的影響。

表征測試結(jié)果

在零負載電流下進行測試意味著測試器件的體二極管在開關(guān)瞬態(tài)之前沒有正向偏置。未出現(xiàn)二極管恢復(fù)；瞬態(tài)僅僅是電容的充電和放電。在這種情況下，寄生電感中感應(yīng)的電壓作用不大。因此，TO-247和TO-247-4引腳封裝的性能是相同的。

圖4顯示了800V和0A下的測量結(jié)果。非常明顯，為避免出現(xiàn)寄生導(dǎo)通，在更高dvDS/dt和更高溫度下，需要更低的R_Goff。值得一提的是，即使在50V/ns和175°C的條件下，0V的柵極關(guān)斷電壓也足以防止寄生導(dǎo)通。如果無法選擇極低的R_Goff，則可以使用具有有源米勒鉗位功能的驅(qū)動器（如1EDC30I12MH）。

圖4：在測1200V/45mΩ CoolSiC?MOSFET的臨界柵極電阻值與dvDS/dt的函數(shù)關(guān)系。測量點是使用0V的柵極關(guān)斷電壓在800V和0A條件下獲得的。虛線表示計算的趨勢線

在較高的負載電流水平下，出現(xiàn)了從S₂的體二極管到S₁的MOS溝道的硬換向。由于存在二極管反向恢復(fù)和感應(yīng)電壓，情況較為復(fù)雜。簡單來說，有三種效應(yīng)發(fā)揮作用：

1)體二極管恢復(fù)減慢了平均dvDS/dt，緩解了寄生導(dǎo)通。

2)換向回路電感和器件輸出電容之間的振蕩會局部增加dvDS/dt，使情況更加嚴峻。

3)假設(shè)采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，源極端子S₂的負反饋導(dǎo)致柵極電壓降低，增加了抗寄生導(dǎo)通的強度。

顯然，上述效果的權(quán)重取決于實際的硬件設(shè)置。在使用應(yīng)用于本文所述所有測試的評估板時，175°C和0A是最關(guān)鍵的條件。因此，圖4突出顯示的無寄生導(dǎo)通的區(qū)域也適用于40A測量——無論是TO-247還是TO-247-4引腳。

對高速開關(guān)應(yīng)用的影響

如圖3所示，由電容導(dǎo)通引起的直通電流和體二極管的反向恢復(fù)電流令人難以區(qū)分。不論是在二極管還是在開關(guān)上，這兩種效應(yīng)都會減緩電壓瞬變，或使之變得平滑，增加開關(guān)損耗。對于需要最高開關(guān)速度的應(yīng)用，寄生導(dǎo)通會對性能（類似于使用不當(dāng)?shù)睦m(xù)流二極管）產(chǎn)生影響。

圖5顯示了在柵極上以18/0V工作的各種碳化硅MOSFET技術(shù)可實現(xiàn)的最小導(dǎo)通開關(guān)損耗。并非所有器件都能夠在這樣的驅(qū)動條件下保持高速開關(guān)特性，但結(jié)果證實CoolSiC?MOSFET對寄生導(dǎo)通具有高抗擾度。

圖5：在800V，15A和150°C時，不同1200V碳化硅MOSFET技術(shù)可以實現(xiàn)的最小導(dǎo)通開關(guān)損耗。測試器件的標(biāo)稱導(dǎo)通電阻為60-80mΩ，在柵極上以18/0V運行。

結(jié)論

本文介紹了一種簡單的方法，來表征功率半導(dǎo)體開關(guān)對米勒電容產(chǎn)生的寄生導(dǎo)通的敏感性。我們使用了在800V母線電壓和50V/ns開關(guān)速度下運行的分立式CoolSiC?MOSFET進行測試，測試結(jié)果表明，即使在高速兩電平轉(zhuǎn)換器中，0V的柵極關(guān)斷電壓也是可行的。在研究開關(guān)電壓僅為母線電壓一半的三電平電路時，情況得到徹底緩解。在這種情況下，無論柵極電阻值是多少，CoolSiC?MOSFET幾乎都沒有容性寄生導(dǎo)通。

假設(shè)有一個精心設(shè)計、柵極-漏極電容極低的PCB布局，這時英飛凌鼓勵電力電子工程師使用0V的柵極關(guān)斷電壓來驅(qū)動分立式CoolSiC?MOSFET，這可以在不影響性能的同時，簡化柵極驅(qū)動設(shè)計。

參考文獻

[1] K. Sobe et al, “Characterization of the parasitic turn-on behavior of discrete CoolSiC? MOSFETs”, PCIM Europe 2019, Nuremberg, Germany, May 2018

[2] T. Basler et al, “Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200 V SiC Trench MOSFET”, PCIM Europe 2018, Nuremberg, Germany, June 2018

[3] Infineon AN-2006-01: “Driving IGBTs with unipolar gate voltage”, Application Note, December 2005

[4] S. Jahdi et al, “Investigation of parasitic turn-ON in silicon IGBT and Silicon Carbide MOSFET devices: A technology evaluation”, ECCE-Europe 2015, Geneva, Switzerland, September 2015

[5] Infineon AN-2017-44: “1200V Highspeed3 IGBT in TO-247PLUS Evaluation Board”, Application Note (rev 1), November 2017

來源：英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體 ，作者：Klaus Sobe  

免責(zé)聲明：本文為轉(zhuǎn)載文章，轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息，版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題，請聯(lián)系小編進行處理。

推薦閱讀：

5V輸入升壓架構(gòu)兩節(jié)串聯(lián)鋰電池充電管理芯片SGM41528

從負供電軌生成正電壓，這種簡單高效且組件少的電路你要知道

可穿戴設(shè)備向醫(yī)療級邁進，對元器件提出哪些新要求

如何正確理解SiC MOSFET的靜態(tài)和動態(tài)特性

用于汽車負載應(yīng)用的上橋SmartFET驅(qū)動器