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中芯MEMS出師不利 恩智浦訂單緊急喊停
10月底宣布跨足微機電(MEMS)晶圓代工的中芯國際出師不利，MEMS設(shè)備商指出，由于大客戶恩智浦(NXP)原計劃在中芯投產(chǎn)MEMS麥克風(fēng)，卻因當(dāng)前景氣不明而緊急喊煞車，這對于整體MEMS晶圓代工市場來說，無疑再度投下一個充滿變量的震撼彈。不過，中芯對此并未予以回應(yīng)。
2008-12-02
晶圓代工 麥克風(fēng) MEMS 微機電
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科博萊在我國建亞洲首座汽車電子工廠
意大利科博萊汽車技術(shù)有限公司準(zhǔn)備在華興建其在亞洲首座生產(chǎn)廠，將生產(chǎn)汽車電子安全系統(tǒng)，包括防盜與泊車輔助系統(tǒng)。新廠及一座研發(fā)中心在2010年投產(chǎn)后，該廠的防盜與泊車輔助系統(tǒng)總產(chǎn)能將達到300萬個。
2008-12-01
汽車電子 安全系統(tǒng) 防盜 泊車輔助系統(tǒng)
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晶川電子榮獲英飛凌2008年度KPI大獎
2008年11月18～20日，英飛凌（Infineon:原西門子半導(dǎo)體集團公開上市公司）在北京希爾頓逸林飯店舉行了亞太地區(qū)代理商大會。參會代表來自英飛凌德國總部，亞太地區(qū)總部（新加坡），以及亞太地區(qū)的代理商近兩百人。
2008-11-27
功率半導(dǎo)體器件 IGBT模塊 晶閘管 電力二極管
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FDMA1027/2P853：飛兆半導(dǎo)體最薄MicroFET MOSFET
飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿足現(xiàn)今便攜應(yīng)用的尺寸和功率要求。相比低電壓設(shè)計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。
2008-11-26
FDMA1027 FDFMA2P853 MicroFET MOSFET
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歐盟研發(fā)出光效為39．7％的太陽能電池
2008年11月24日消息，來自歐盟委員會資助的項目Fullspectrum的科學(xué)家研發(fā)出了光伏轉(zhuǎn)換效率達39.7%的太陽能電池。據(jù)說，這是歐盟目前所能達到的最高光效。
2008-11-26
光伏 晶硅光伏電池 太陽能電池 光能
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DS4560：Maxim具有自我保護及重啟功能的熱插拔開關(guān)
Maxim推出具有自我保護及重啟功能的完全集成熱插拔開關(guān)DS4560。器件極大地減少了12V供電背板系統(tǒng)中保證安全插入和拔出操作所需的元件數(shù)量。為減小方案尺寸、簡化設(shè)計，DS4560集成了25mΩ n溝道功率MOSFET，從而省去了外部MOSFET。DS4560專為12V系統(tǒng)而設(shè)計，是企業(yè)級硬盤驅(qū)動器、服務(wù)器/路由器、PCI E...
2008-11-25
DS4560 熱插拔開關(guān) PCIe InfiniBand MOSFET
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高性能IGBT提高太陽能逆變器效率
飛兆半導(dǎo)體的截止溝道式IGBT適用于不間斷電源、太陽能逆變器以及微波爐和感應(yīng)加熱類的應(yīng)用，可以幫助設(shè)計師減少傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗，實現(xiàn)極高的效率。
2008-11-25
太陽能 逆變器 IGBT
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特許半導(dǎo)體CEO：目前談合并太“冒失”
日前到訪我國臺灣省的新加坡特許半導(dǎo)體（Chartered Semiconductor Manufacturing）首席執(zhí)行官Song-Hwee Chia否認(rèn)了此行是為了接洽與其他半導(dǎo)體廠商進行合并事宜。Song-Hwee Chia表示對所謂的“合并大計”并不知情，不過他也沒有完全排除未來的形勢有往這個方向發(fā)展的可能。
2008-11-25
Song-Hwee Chia 半導(dǎo)體 合并
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IC S-5711A系列：日本精工最新磁性開關(guān)
日本精工電子有限公司(SII)日前推出磁性開關(guān)ICS-5711A系列。S-5711A系列是彩用CMOS技術(shù)開發(fā)的高靈敏度、低消耗電流的霍爾IC(磁性開關(guān)IC)?？蓹z測出磁束密度的強度，使輸出電壓發(fā)生變化。通過與磁石的組合，可進行各種設(shè)備的開/關(guān)檢測。
2008-11-25
S-5711A系列 磁性開關(guān)
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