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開關(guān)電源的電磁兼容性設(shè)計
如今，開關(guān)電源體積越來越小，功率密度越來越大，EMl/EMC問題成為了開關(guān)電源穩(wěn)定性的一個關(guān)鍵因素，也是最容易忽視的一個方面。實踐證明，EMI問題越早考慮，越早解決，費用越小，效果越好。隨著各國電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的加強，電磁兼容性設(shè)計在開關(guān)電源設(shè)計過程中的位置也愈加重要，因此，必須充分重視...
2008-09-29
EMC 電磁干擾 EMT 屏蔽措施
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電源高位跟蹤系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)
本系統(tǒng)通過采用可控硅延時開關(guān)的方式，解決了電源功率放大管的輸入極和輸出極電壓差無級跟蹤控制的問題，實現(xiàn)了輸入極電壓對輸出極電壓的非開關(guān)電源方式的全程無級高位跟蹤，從而使電源效率得到很大提高。
2008-09-29
差壓轉(zhuǎn)換 同步取樣 可控硅延時開關(guān) 無級高位跟蹤
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電壓不足期間支持電信電源的小電容
本設(shè)計實例介紹如何在短暫電壓不足期間使電信設(shè)備保持正常工作。一個隱藏的特性是電源磚能在-36V~-75V輸入范圍內(nèi)保持工作，甚至在大于-80V的浪涌下也能工作。即便假定每10s出現(xiàn)一次5ms電壓不足，用于充電200mF的電流仍僅約為3mA。比較器觀察輸入電壓，并且一旦它降至低于37V，開關(guān)S1就會關(guān)閉，而來...
2008-09-29
“磚塊” DC/DC 小電容 電壓不足
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今天的綠色POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計需要高效率和低IQ
由于在機箱內(nèi)空間有限和冷卻等多種限制因素，以及需要正確的電源跟蹤，以提高系統(tǒng)可靠性，幾乎任何系統(tǒng)的POL DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計師都面臨著很多難題。盡管必須克服大量限制因素，設(shè)計師們還是有路可走的，不同模擬集成電路制造商最近推出的很多穩(wěn)壓器，可提供簡單、緊湊、高效率和功能豐富的解決方案。
2008-09-29
POL DC/DC 嵌入式 多相工作
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OLED電源設(shè)計
OLED具有自發(fā)光、超薄等優(yōu)勢成為DSC、掌上游戲機或手機等產(chǎn)品的理想選擇，這些產(chǎn)品都極具發(fā)展前景。總之，技術(shù)與市場潛力是一個產(chǎn)業(yè)成長的關(guān)鍵因素。在技術(shù)上，國內(nèi)OLED廠商的努力已相當(dāng)受到肯定，若能進(jìn)一步提升品牌效應(yīng)、產(chǎn)品定位上的實力，必將在逐步起飛的OLED產(chǎn)業(yè)中立定卓越的地位。
2008-09-29
oled vdd vss mosfet
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DC-DC變換器AVP控制方法的分析
隨著VRM輸入容量的越來越大和動態(tài)要求的越來越嚴(yán)格，AVP控制在VRM中的應(yīng)用被人們重新認(rèn)識。本文對AVP控制策略的有源法和無源法進(jìn)行了理論分析，并采用一種新式檢測方法實現(xiàn)AVP控制,并通過比較實驗證實了AVP控制方法的優(yōu)越性。
2008-09-29
電壓調(diào)整模塊 降壓控制 有源法 無源法
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CCD數(shù)字相機的電源系統(tǒng)設(shè)計
為實現(xiàn)多路DC/DC轉(zhuǎn)換功能，提出一種開關(guān)型穩(wěn)壓電源與線性穩(wěn)壓電源相結(jié)合的系統(tǒng)設(shè)計方案。分析了具有BOOST/BUCK功能的開關(guān)電源和線性穩(wěn)壓電源的工作特性，并結(jié)合CCD相機的整體設(shè)計要求，實現(xiàn)了相機電源的功耗低、發(fā)熱量小、EMI干擾輕的設(shè)計目標(biāo)。
2008-09-29
CCD 電源 DC/DC轉(zhuǎn)換
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EMI及無Y電容手機充電器的設(shè)計
本文介紹了與EMI傳導(dǎo)相關(guān)的共模及差模電流產(chǎn)生的原理以及靜點和動點的概念，然后詳細(xì)地說明了在變壓器結(jié)構(gòu)中使用補償設(shè)計以及靜點和動點的調(diào)整方法，以提高EMI的傳導(dǎo)性能。最后給出了相應(yīng)的實驗波形和測試結(jié)果。
2008-09-29
傳導(dǎo)干擾 共模電流 差模電流 Y電容
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電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)
在 SMPS(Switching Mode Power Supply) 以及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器設(shè)計中 , 使用場效應(yīng)晶體管當(dāng)作切換開關(guān)已經(jīng)越來越普遍。此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。
2008-09-29
場效應(yīng)晶體 UIS 接合面 過壓
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