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理想開關(guān)自身會帶來挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導體開關(guān)，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
理想開關(guān)自身會帶來挑戰(zhàn)
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如何快速了解預采購的電源器件性能？
自第二次工業(yè)革命之后，人類社會的發(fā)展和電能深度綁定，電氣/電子設(shè)備被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、能源、交通、民生等各個領(lǐng)域。隨著用電設(shè)備從單一回路逐漸演變成為系統(tǒng)，將電能合理、有效地分配給系統(tǒng)中的每個器件尤為重要。一個優(yōu)秀的電源管理系統(tǒng)不僅能夠保障系統(tǒng)的用電安全，更是設(shè)備做到高效節(jié)能...
2022-02-10
電源器件 性能
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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當電源設(shè)計人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時，他們會利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進行預測有助于縮小反饋環(huán)路補償元件的選擇范圍。
2022-02-09
電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器 LTspice AC模型
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開關(guān)穩(wěn)壓器的封裝體積正變得越來越小
開關(guān)穩(wěn)壓器電路已經(jīng)存在多年，用戶可以選擇使用分立式組件來設(shè)計自己的產(chǎn)品，也可以購買模塊化成品。如今，能夠滿足最新的效率、EMI和功率密度要求的技術(shù)讓模塊化方案獲得更多的青睞。
2022-02-09
開關(guān)穩(wěn)壓器 封裝體積
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主...
2022-02-09
SiC功率器件 派恩杰
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上...
2022-02-08
基本半導體 碳化硅肖特基二極管
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開關(guān)電源設(shè)計中的頻率選擇（下）
本文是深入研究開關(guān)頻率設(shè)計的系列文章之下篇。上篇回顧了如何計算開關(guān)頻率的關(guān)鍵指標，以及更高頻率設(shè)計的難點所在。本文將把這些開關(guān)頻率的概念應(yīng)用到實際場景當中。
2022-02-07
開關(guān)電源 設(shè)計 頻率
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識別并消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩(wěn)定是由多種因素造成的，例如補償參數(shù)不當或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當電流模式開關(guān)穩(wěn)壓器具有連續(xù)電感電流且占空比超過 50% 時可能產(chǎn)生的不穩(wěn)定形式，而這種振蕩會導致不穩(wěn)定的電源。
2022-02-07
消除 次諧波振蕩 開關(guān)穩(wěn)壓器
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如何控制原邊振鈴
反激電源是最常用的拓撲之一。其變壓器漏感常會引起原邊振鈴，并導致會損壞 MOSFET 的電壓尖峰。因此，通過變壓器和MOSFET 組件的合理設(shè)計來控制振鈴非常重要。針對如何降低漏感，MPS 引入了一種 RCD 鉗位電路設(shè)計策略，下面我們將對此進行詳細地描述。
2022-02-07
控制 原邊 振鈴
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