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借助更多的選項(xiàng)響應(yīng)正反饋
負(fù)反饋什么時(shí)候會變成正反饋？當(dāng)控制工程師想要實(shí)現(xiàn)不錯的增益和相位裕度時(shí)。本博文概述第 4 代 SiC FET 如何為設(shè)計(jì)人員提供理想性能和多種器件選擇，同時(shí)支持更高的設(shè)計(jì)靈活性，從而實(shí)現(xiàn)成本效益最優(yōu)的功率設(shè)計(jì)。
2023-07-24
SiC FET 正反饋
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華潤微總裁李虹：中國半導(dǎo)體市場下滑趨勢有到底跡象！
6月17日，在廣州南沙召開的第二屆中國?南沙國際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（2023 IC NANSHA）上，國內(nèi)IDM大廠華潤微（SH688396）總裁李虹在演講中表示，中國半導(dǎo)體市場規(guī)模在過去的一年當(dāng)中，增速弱于全球，呈現(xiàn)周期性衰退，但下滑趨勢有到底跡象。
2023-07-24
華潤微 中國半導(dǎo)體 市場下滑
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一個(gè)簡單的無變壓器1．5V DC電源電路
本文介紹了一個(gè)簡單的無變壓器 1.5V DC電源電路，可用于直接從市電為掛鐘供電，并且還可以保持備用電池充滿電，即使在市電故障期間也能實(shí)現(xiàn)時(shí)鐘的不間斷運(yùn)行。
2023-07-22
無變壓器 DC電源電路
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)技巧
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（1686908889869977.png）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（1686908875512772.png），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和...
2023-07-21
柵極驅(qū)動器 設(shè)計(jì)技巧
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如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動器電路設(shè)計(jì)？
NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(ST...
2023-07-21
柵極驅(qū)動器 電路設(shè)計(jì)
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使用高壓電池的電動汽車安全性如何？
如今，電動汽車上使用的高壓電池都提供了最大的安全性和使用壽命。如果您還在因?yàn)閾?dān)心電池的安全性而猶豫是否將燃油動力汽車換成電動汽車 (EV)，那就盡管放心！據(jù)多家媒體的報(bào)道，很多人都非常關(guān)注電動汽車及其高壓電池的危險(xiǎn)性。其實(shí)高壓電池在正常的操作條件下使用是非常安全的，出現(xiàn)的問題也相對...
2023-07-20
高壓電池 電動汽車 安全 電池
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動注意事項(xiàng)
IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。
2023-07-20
IGBT 柵極驅(qū)動 注意事項(xiàng)
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VCC（電源）和 GND（地）之間電容的作用
電源與地之間接電容的原因有兩個(gè)作用，儲能和旁路儲能：電路的耗電有時(shí)候大，有時(shí)候小，當(dāng)耗電突然增大的時(shí)候如果沒有電容，電源電壓會被拉低，產(chǎn)生噪聲，振鈴，嚴(yán)重會導(dǎo)致 CPU 重啟，這時(shí)候大容量的電容可以暫時(shí)把儲存的電能釋放出來，穩(wěn)定電源電壓，就像河流和水庫的關(guān)系旁路：電路電流很多時(shí)候有...
2023-07-19
VCC GND 電容
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具有更高效率與優(yōu)勢的碳化硅技術(shù)
碳化硅（SiC）技術(shù)具有比傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等技術(shù)具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、可靠性和效率。本文將為您介紹SiC的發(fā)展趨勢與在儲能系統(tǒng)（ESS）上的應(yīng)用，以及由Wolfspeed推出的S...
2023-07-19
碳化硅 發(fā)展趨勢 儲能系統(tǒng)
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