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如何利用數(shù)字電位計(jì)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓調(diào)整？
本文為大家分享如何利用數(shù)字電位計(jì)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源的輸出電壓調(diào)整？很多系統(tǒng)應(yīng)用都必須在較窄的限幅內(nèi)調(diào)整開(kāi)關(guān)電源（SMPS）輸出電壓，以便移除電源路徑上的誤差和壓降、驗(yàn)證系統(tǒng)限幅的運(yùn)作，或者實(shí)現(xiàn)微處理器的簡(jiǎn)單動(dòng)態(tài)電壓控制。
2014-12-19
數(shù)字電位計(jì) 開(kāi)關(guān)電源 輸出電壓調(diào)整
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傾囊巨獻(xiàn)！九問(wèn)九答完爆放大電路
在模擬電路中，放大電路一直都是焦點(diǎn)所在。對(duì)于硬件工程師來(lái)說(shuō)，放大電路是電子電路當(dāng)中應(yīng)用最為廣泛的電路。只要通透放大電路，攻克只是時(shí)間問(wèn)題。下面我們采用九問(wèn)九答的方式全面了解放大電路。
2014-12-19
模擬技術(shù) 放大電路
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如何排除LED電源電磁干擾獲"3C"認(rèn)證，不想破產(chǎn)就照做
LED廠商如果生產(chǎn)的LED電源沒(méi)辦法得到3C認(rèn)證，也就是沒(méi)法過(guò)LED電源電磁兼容測(cè)試這一關(guān)，那你就等著破產(chǎn)吧！那么要得到3C認(rèn)證，通過(guò)LED電源電磁兼容干擾測(cè)試，要從哪方面去排除和解決呢？下文將從4個(gè)方面為大家找到解決方法。
2014-12-19
LED電源 電磁干擾 LED
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DC/DC電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)全面解析
開(kāi)關(guān)電源功率電路有五個(gè)基本元件：開(kāi)關(guān)，二極管，電容，電感，變壓器。本文為大家詳細(xì)介紹電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)指標(biāo)、開(kāi)關(guān)電源的基本分析及其拓樸結(jié)構(gòu)。
2014-12-19
DC/DC 開(kāi)關(guān)電源 電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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基于虛擬儀器的電機(jī)監(jiān)控系統(tǒng)的電路設(shè)計(jì)
利用虛擬儀器構(gòu)建監(jiān)控系統(tǒng)，有效地提高了開(kāi)關(guān)磁阻電機(jī)控制系統(tǒng)的實(shí)用性和可靠性，能夠快速實(shí)現(xiàn)監(jiān)測(cè)和調(diào)整電機(jī)運(yùn)行時(shí)的參數(shù)。下面是電路設(shè)計(jì)詳解。
2014-12-19
電機(jī)控制 虛擬儀器
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安森美半導(dǎo)體推出兩個(gè)新系列的功率因數(shù)校正AC-DC驅(qū)動(dòng)器 用于LED照明應(yīng)用
2014年12月17日 安森美半導(dǎo)體推出兩個(gè)新系列的功率因數(shù)校正(PFC)離線AC-DC驅(qū)動(dòng)器，用于高性能LED照明應(yīng)用。
2014-12-18
半導(dǎo)體 LED照明
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案例解析：直流電機(jī)調(diào)速與測(cè)速電路模塊的設(shè)計(jì)
直流電機(jī)應(yīng)用廣泛，具有平滑的無(wú)極調(diào)速及寬廣的調(diào)速范圍。本文將要解析的是采用單片機(jī)控制系統(tǒng)，利用軟件技術(shù)實(shí)現(xiàn)控制功能及算法，這樣可以使直流電機(jī)更加靈活，系統(tǒng)性能發(fā)揮到巔峰狀態(tài)。
2014-12-18
直流電機(jī) 驅(qū)動(dòng)電路
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數(shù)字電源大起底：智能全集成數(shù)字電源的方案解析
數(shù)字電源技術(shù)在經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展之后，取得突破性進(jìn)展。針對(duì)當(dāng)前的數(shù)字電源市場(chǎng)就由不同的解決方案，那么，數(shù)字電源意味著什么？數(shù)字電源還將迎來(lái)那些挑戰(zhàn)？本文將為你一一解答。
2014-12-18
數(shù)字電源 電源管理
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專家剖析：封裝寄生電感是否會(huì)影響MOSFET性能？
在處理電路板布局和器件封裝產(chǎn)生的寄生電感時(shí)，快速開(kāi)關(guān)器件接通和關(guān)斷控制是關(guān)鍵問(wèn)題。本文英飛凌專家分析了快速開(kāi)關(guān)MOSFET封裝寄生電感對(duì)開(kāi)關(guān)性能的影響。封裝源電感是決定切換時(shí)間的關(guān)鍵參數(shù)，后者與開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)關(guān)可控性密切相關(guān)。
2014-12-18
寄生電感 MOSFET 封裝寄生電感
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