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IMS：2011年光伏逆變器市場(chǎng)將出現(xiàn)下跌
據(jù)IMS市場(chǎng)調(diào)研公司近日公布的名為《全球光伏逆變器市場(chǎng)調(diào)查》(The World Market for PV Inverters)稱(chēng)，在2010年蓬勃發(fā)展的全球光伏逆變器市場(chǎng)將在2011年跌至60億美元左右，降幅高達(dá)10%。IMS市場(chǎng)調(diào)研公司光伏高級(jí)研究主任阿什?夏爾馬(Ash Sharma)表示，盡管今年市場(chǎng)上的新增安裝量大約上漲了16%，但...
2011-07-08
光伏 逆變器 IMS
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開(kāi)關(guān)電源的常用軟啟動(dòng)電路
開(kāi)關(guān)電源的輸入電路大都采用整流加電容濾波電路。在電源接通瞬間沖擊電流可達(dá)100A以上，如此大的沖擊電流幅值往往會(huì)導(dǎo)致輸入熔斷器燒斷，有時(shí)甚至將合閘開(kāi)關(guān)的觸點(diǎn)燒壞，本文介紹了幾種常用的軟啟動(dòng)電路。
2011-07-08
開(kāi)關(guān)電源 軟啟動(dòng)電路 電源
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MEMS器件在新應(yīng)用市場(chǎng)持續(xù)勁揚(yáng)
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli最新預(yù)測(cè)，今年MEMS器件在以消費(fèi)電子和移動(dòng)手機(jī)為代表的新應(yīng)用市場(chǎng)將大放異彩，2011年的銷(xiāo)售額將達(dá)4.57億美元，比去年的1.78億美元，翻了一番半。
2011-07-08
MEMS 傳感器 新應(yīng)用
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Buck變換器反饋電阻的作用
對(duì)于任何一個(gè)輸出可以調(diào)節(jié)的Buck變換器芯片，選擇合適的反饋電阻是必不可少的。圖2是BCD半導(dǎo)體公司的Buck變換器AP3406的典型應(yīng)用圖，由于該芯片集成度很高，外圍只需要輸入電容、輸出電感、輸出電容和反饋電阻，本文就以此為例對(duì)反饋電阻的作用做簡(jiǎn)要分析，為如何選擇反饋電阻提供參考。
2011-07-08
Buck變換器 反饋電阻 AP3406
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太陽(yáng)誘電推出“世界最大容量”的積層陶瓷電容器用于數(shù)字產(chǎn)品
日本太陽(yáng)誘電上市了容量高達(dá)220μF的積層陶瓷電容器。據(jù)介紹，220μF的積層陶瓷電容器還是全球首次投產(chǎn)。
2011-07-07
太陽(yáng)誘電 陶瓷 電容器
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太陽(yáng)能發(fā)電可望成為未來(lái)新能源主導(dǎo)核心
在日前舉行的2011中國(guó)清潔電力論壇上，專(zhuān)家們表示，“十二五”期間我國(guó)能源工業(yè)為實(shí)現(xiàn)“保供應(yīng)同時(shí)實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型”這個(gè)主要任務(wù)，大力發(fā)展非化石能源、調(diào)整能源結(jié)構(gòu)是一個(gè)重要手段。而在眾多新能源品種中，預(yù)計(jì)太陽(yáng)能光熱發(fā)電可望成為未來(lái)新能源的主導(dǎo)核心內(nèi)容。
2011-07-07
太陽(yáng)能發(fā)電 新能源 可再生能源
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LED電源市場(chǎng)漸趨走向成熟
在LED照明產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展的同時(shí)，LED電源市場(chǎng)也快速膨脹。但是電源技術(shù)尚未成熟，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)未出臺(tái)，市場(chǎng)亂象叢生。有關(guān)專(zhuān)家認(rèn)為，市場(chǎng)最終會(huì)走向少數(shù)巨頭主導(dǎo)的局面，營(yíng)銷(xiāo)策略和產(chǎn)品質(zhì)量是勝負(fù)的關(guān)鍵...
2011-07-07
LED 電源 標(biāo)準(zhǔn)
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IGBT的四大保護(hù)措施
在中大功率的開(kāi)關(guān)電源裝置中，IGBT由于其控制驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、工作頻率較高、容量較大的特點(diǎn)。本文通過(guò)對(duì)IGBT損壞機(jī)理的分析，根據(jù)其損壞的原因，提供柵極保護(hù)、過(guò)壓、過(guò)流、過(guò)熱四大有效的保護(hù)措施，以保證IGBT安全可靠工作。
2011-07-07
IGBT IGBT的保護(hù)措施
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IGBT及其子器件的四種失效模式
本文通過(guò)案例和實(shí)驗(yàn)，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護(hù)用高壓npn管的硅熔融。
2011-07-07
IGBT 柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
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