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電壓基準源的概念、選型和應(yīng)用：讓你一口氣看懂！
面對人工智能 (AI) 或人機交互等新興應(yīng)用，我們需要去收集各種模擬環(huán)境數(shù)據(jù)，通過對其進行轉(zhuǎn)化、分析及學(xué)習(xí), 使系統(tǒng)能夠根據(jù)環(huán)境的變化做出可預(yù)測及精準的反應(yīng)。在這一過程中，如何在模數(shù)轉(zhuǎn)換中實現(xiàn)精確測量是關(guān)鍵的一環(huán)，而想要實現(xiàn)這一目標，一個不受輸入電壓或環(huán)境溫度等條件的影響、不隨系統(tǒng)波...
2022-12-14
電壓基準源 選型 應(yīng)用
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ADALM2000實驗：CMOS邏輯電路、D型鎖存器
本實驗活動的目標是進一步強化上一個實驗活動 “ADALM2000實驗：使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理，并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言，您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。
2022-12-14
CMOS邏輯電路 D型鎖存器
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納芯微驅(qū)動芯片助力工業(yè)自動化和汽車應(yīng)用發(fā)展
隨著新能源汽車和工業(yè)控制對驅(qū)動芯片的需求越來越旺盛、要求越來越復(fù)雜，開發(fā)者在芯片設(shè)計時，需要考慮更多元化的場景和更細節(jié)的技術(shù)要點。點擊下方視頻，從“三相逆變功率驅(qū)動”、“車載充電器電子鎖”、“PLC數(shù)字輸出”三大典型應(yīng)用場景出發(fā)，結(jié)合納芯微最新推出的智能驅(qū)動芯片，了解如何在系統(tǒng)開發(fā)時選...
2022-12-14
納芯微 驅(qū)動芯片 汽車應(yīng)用
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開關(guān)電源環(huán)路穩(wěn)定性分析(四)
在開關(guān)電源的系統(tǒng)中，要想使其輸出電壓穩(wěn)定，可以對輸出電壓進行監(jiān)控，然后調(diào)節(jié)開關(guān)管的開通和關(guān)斷，這種方式被稱為電壓控制模式。
2022-12-13
開關(guān)電源環(huán)路 開關(guān)電源
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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”多項殊榮
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎”，汽車主驅(qū)碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應(yīng)用獎”，高功率圖騰柱PFC控...
2022-12-13
安森美 智能電源
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設(shè)計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設(shè)計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設(shè)計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設(shè)計中可以增加功率輸出，幫助充電...
2022-12-13
面貼裝功率器件 電動汽車電池
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800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構(gòu)升級，組件成本下降？
各種電池結(jié)構(gòu)都有其固有的優(yōu)缺點。汽車OEM廠商需要分析并確定哪種架構(gòu)更適合自己的生產(chǎn)模式，同時保持系統(tǒng)價格競爭力。使用兩個獨立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。
2022-12-13
BMS 系統(tǒng)架構(gòu) 組件成本
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應(yīng)用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術(shù)的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案。文章針對這兩類拓撲進行參數(shù)設(shè)計，選取...
2022-12-13
功率器件 充電樁 LLC拓撲
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域，富昌電子結(jié)合自身的技術(shù)積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關(guān)設(shè)計的系列文章。希望以此給到大家一定的設(shè)計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-13
SiC MOSFET 寄生電容 高頻電源
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