圖1：從基本運(yùn)算放大器電流源轉(zhuǎn)換為具有電流輸出的高側(cè)電流檢測放大器。

 

圖2顯示了電路電源電壓低于運(yùn)算放大器的額定電源電壓。在電壓-電流轉(zhuǎn)換中添加一個負(fù)載電阻，記住您現(xiàn)在有一個高阻抗輸出，如果您想要最簡單的方案，這樣可能就行了。

 

基本電路

 

圖2顯示了基本實(shí)現(xiàn)高側(cè)電流檢測的完整電路。需要考慮的細(xì)節(jié)有：

 

●  運(yùn)放必須是軌對軌輸入，或者有一個包括正供電軌的共模電壓范圍。零漂移運(yùn)算放大器可實(shí)現(xiàn)最小偏移量。但請記住，即使使用零漂移軌對軌運(yùn)放，在較高的共模范圍內(nèi)運(yùn)行通常不利于實(shí)現(xiàn)最低偏移。

 

●  MOSFET漏極處的輸出節(jié)點(diǎn)由于正電壓的擺動而受到限制，其幅度小于分流電源軌或小于共模電壓。采用一個增益緩沖器可以降低該節(jié)點(diǎn)處的電壓擺幅要求。

 

●  該電路不具備在完全短路時低邊檢測或電流檢測所需的0V共模電壓能力。在圖2所示的電路中，最大共模電壓等于運(yùn)算放大器的最大額定電源電壓。

 

●  該電路是單向的，只能測量一個方向的電流。

 

●  增益精度是RIN和RGAIN公差的直接函數(shù)。很高的增益精度是可能獲得的。

 

●  共模抑制比(CMRR)一般由放大器的共模抑制能力決定。MOSFET也對CMRR有影響，漏電的或其它劣質(zhì)的MOSFET可降低CMRR。

 

圖2：最簡單的方法是使用電源電壓額定值以內(nèi)的運(yùn)算放大器。圖中配置的增益為50。增益通過RGAIN/RIN設(shè)定。

 

性能優(yōu)化

 

一個完全緩沖的輸出總是比圖2的高阻抗輸出要通用得多，它在緩沖器中提供了較小的增益2，可降低第一級和MOSFET的動態(tài)范圍要求。

 

在圖3中，我們還添加了支持雙向電流檢測的電路。這里的概念是使用一個電流源電路(還記得圖1A吧？)以及一個輸入電阻(RIN2)，它在U1非逆變輸入端等于RIN(這時為RIN1)。然后這個電阻器產(chǎn)生一個抵消輸出的壓降，以適應(yīng)必要的雙向輸出擺動。從REF引腳到整個電路輸出的增益基于RGAIN/ROS的關(guān)系，這樣就可以配置REF輸入來提供單位增益，而不用考慮通過RGAIN/RIN所設(shè)置的增益(只要RIN1和RIN2的值相同)，就像傳統(tǒng)的差分放大器參考輸入一樣工作：

 

VREFOUT=VREF*(RGAIN/ROS)*ABUFFER

 

(其中ABUFFER是緩沖增益)

 

注意，在所有后續(xù)電路中，雙向電路是可選的，對于單向電路工作可以省略。

 

圖3：這一版本增加了緩沖輸出和雙向檢測能力。它提供了一個參考輸入，即使在RIN1和RIN2值確定了不同增益設(shè)置的情況下，它也總是在單位增益下工作。

 

在共模高電壓下使用

 

通過浮動電路并使用具有足夠額定電壓的MOSFET，電流驅(qū)動電路幾乎可在任何共模電壓下使用，電路工作電壓高達(dá)數(shù)百伏的應(yīng)用已經(jīng)非常常見和流行。電路能達(dá)到的額定電壓是由所使用的MOSFET的額定電壓決定的。

 

浮動電路包括在放大器兩端增加齊納二極管Z1，并為它提供接地的偏置電流源。齊納偏壓可像電阻一樣簡單，但是我喜歡電流鏡技術(shù)，因為它提高了電路承受負(fù)載電壓變化的能力。這樣做時，我們已創(chuàng)建了一個運(yùn)放的電源“窗口”，在負(fù)載電壓下浮動。

 

另一個二極管D1出現(xiàn)在高壓版本中。這個二極管是必要的，因為一個接地的短路電路最初在負(fù)載處會把非逆變輸入拉至足夠負(fù)(與放大器負(fù)供電軌相比)，這將損壞放大器。二極管可以限制這種情況以保護(hù)放大器。

 

圖4：高壓電路“浮動”運(yùn)放，其齊納電源處于負(fù)載電壓軌。

 

該電路其它鮮為人知的應(yīng)用

 

我不確定是否還有人使用電流檢測MOSFET。幾年前的一些實(shí)驗室研究表明，一旦校準(zhǔn)，MOSFET電流檢測是非常精確和線性的，盡管它們具有約400ppm的溫度系數(shù)，我對這樣的結(jié)果很滿意。但是，最佳的電路結(jié)構(gòu)迫使檢測電極在與MOSFET的源電壓相同的電壓下工作，同時輸出部分電流。圖5顯示了如何使用電流驅(qū)動電路來實(shí)現(xiàn)MOSFET檢測FET電路。

 

圖5：MOSFET檢測FET電路。

 

 

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